Способ нагрева структур полупроводниковых приборов Советский патент 1991 года по МПК G01R31/26 H01L21/66 

Изобретение относится к полупрог водниковой электронике и может быть использовано для нагрева структур теплоемких полупроводниковых Jфибoров (например диодов или транзисторов), при измерении их параметров дри ловышенной температуре в условиях массового производства.

Известен способ нагрева структур полупроводниковьк приборов, не имеющих теплоотвода, заключающийся в подаче на переход импульса греющей мощности определенной формы и длитель- ности.

Недостатком этого способа являет7 ся невозможность использования его

СПОСОБ НАГРЕВА СТРУЩУР ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий подачу на структуру импульсов греющей мощности и измерение температуры перегрева структуры в пазах между ними, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности нагрева, на выборку структур подают два импульса одинаковой , греющей мощности и определяют разность температур перегрева после воздействия первого и второго импульсов, после чего для всех остальных структур подают импульс греющей мощности, мощность которого рассчитывают по формуле:. р р 1:гваг-1на11 , t где Р. мощность импульса, подаваемого на выборку структур,определяемая из условия Р Р/п; максимально допустимая мощность, определяемая по области безопасной работы приборов данного типа для выбранной длительности греющего импульса; разброс значений теплового п сопротивления приборов данного типа, равный отношению максимального сопротивления к минимальному; At, температура перегрева структуры относительно начальной температуры структуры, измеряемая после подачи первоЕО импульса Р ; заданная температура нагре309 жл ва; начальная температура корНОЧ пуса структуры; разность температур перегре00 CD ва после воздействия первого и второго импульсов одиЧ 00 наковой ГреющеД мощности.