Способ изготовления электрических сопротивлений Советский патент 1958 года по МПК H01C17/08 

У наилзчших по температурным характеристикам пленочных сопротивлений, представляющих- собой тонкий слой проводящего материала, нанесенного на изолирующую фарфоровую трубку, область с минимальным температурным коэффициентом сопротивления лежит в сравнительно узком температурнол интервале 20-50° Taivi, где температурный коэффициент меняет свой знак. В области повышенных температур (50-100°) этот коэффициент составляет 0,0002 , а при температурах ниже нуля меняет знак и изменяется по абсолютной величине до 0,0006 .

С целью расширения диапазона стабильнЬсти температурного коэффициента сопротивлепия, предлагается в качестве материала сопротивления применить селенид ртути (HgSe) и наносить его в виде тонкой пленки на нагретое изолирующее основание методом термического испарения с последующим отжигом в вакууме.

Применение селенидов для изготовления электрических сопротивлений само по себе известпо. Однако

литые образцы селенида ртути имеют температурный коэффициент сопротивления а 0,009 град, т. е., примерно вдвое больщий, чем у обычных металлов.

Изменение сопротивления с температурой в литых образцах HgSe обусловлено изменением подвижности носителей электрического тока с температурой.

В пленках HgSe с мелкодисперсной кристаллической структурой путем подбора режима их изготовления- нанесения в виде тонкой пленки на нагретое (до 120-140°) изолирующее основание методом термического испарения с последующим отжигом в вакууме - можно создать такие условия, что подвижность электронов будет остааться постоянной в интервале темератур от 190 до 50-100°. Постонство подвижности обеспечивает ысокую стабильность сопротивлений из пленок HgSe в значительном интервале температур.

Предмет изобретения

Способ изготовления электричеческих сопротивлений на основе се№ 115462- 2 -

ленидов, отличающийся тем,ют селенид ртути, который наносят

что, с целью расширения диапазонав виде тонкой пленки на нагретое

стабильности темпе атурного коэф-изолирующее основание методом

фициента сопротивления, в качестветермического испарения с последуюматериала сопротивления применя-щим отжигом в вакууме.