Однополосный модулятор СВЧ Советский патент 1985 года по МПК H03C7/02 H04B1/26 

I 1

Изобретение относится к области радиотехники СВЧ, а именно к амплитудным модуляторам с фазовым подавлением несущей и одной боковой полосы, и может быть использовано в аппаратуре связи, телевидения, измерительной техники.

Целью изобретения является расширение полосы рабочих частот и увеличение динамического диапазона.

На фиг. 1 изображен однополосньй модулятор СВЧ, общий вид, (диэлектрик условно показан прозрачным) , на фиг. 2 - то же, поперечное сечение в корпусе; на фиг. 3 - вид А на фиг. 2; на фиг, 4 - вид Б на фиг. 2.

Однополосньй модулятор СВЧ содёрг жит первую и вторую диэлектрические ПОДЛОЖ1СИ 1 и 2, на первую и вторую стороны которых нанесен соответственно слой 3 металлизации и дополнительный слой 4 металлизации, первьй и второй кольцевые отрезки щелевых линий 5 и 6, третий отрезок щелевой линии 7, четвертый и пятьй кольцевые отрезки щелевых линий 8 и 9, шестой отрезок щелевой линии 10, пер вый и второй диодные мосты 11 и 12, микрополосковый квадратурный направленный ответвитель 13с первым, вторым, третьим и четвертым плечами 14- 17, первьй, второй и третий микрополосковые элементы связи 18-20, согласованную нагрузку 21, центральные проводники. 22 и 23 отрезков коаксиальных линий 24 и 25, которые являются входами модулирующих сигналов, металлические перемычки 26 и 27 (на фиг. 1 показаны штриховыми линиями).

Однополосный модулятор СВЧ работает следукмцим образом.

Сигнал СВЧ несущей поступает на первое плечо 14 микрополоскового квавдратурногр направленного ответ- вителя 13 и с равными амплитудами и фазовьм сдвигом 90 подводится к первому и микрополосковь м элементам связи 1в и 19.

252

Модулирующий сигнал с равными амплитудами и фазовым сдвигом на 00 поступает на отрезки коаксиальных линий 24 и 25 и через слой 3 металлизации подводится к диагонали первого диодного моста 11, а через металлические перемычки 26 и 27 и дополнительный слой 4 металлизации подводится к диагоналям второго

диодного моста 12. Взаимодействие сигнала СВЧ несущей с периодически изменяющимися под действием модулирующего сигнала проводимостями диодов в первом и втором диодных

мостах 11 и 12 приводит к балансной амплитудной модуляции.сигнала СВЧ несущей. Полярность включения диодов, а также фазовые, соотноше- яия для модулирующего сигнала и

сигнала СВЧ несущей таковы, что на третьем микрополосковом элементе 20 связи, являющимся выходом устройства, электромагнитные колебания нижней боковой полосы частот от

соответствующих пар диодов первого и второго диодных мостов 11 и 12 оказываются в фазе и складываются, а верхней боковой полосы частот - в противофазе и вычитаются, т.е. данный модулятор является однополосным модулятором. Развязка входа и вьсхода однополосного модулятора СВЧ достигается благодаря синфазному и противофазному возбуждению первого и четвертого кольцевых отрезков щелевых линий 5 и 8 и второго и пятого кольцевых.отрезков щелевых линий 6 и 9 со стороны первого и второго микрополосковых элементов 18 и 19 связи и со стороны третьего и шестого отрезков щелевых линий 7 и 10 соответственно. Вход модулирующего сигнала развязан от входа и выхода однополосного

модулятора СВЧ, так как электромагнитные колебания в первом, втором, четвертом и пятом кольцевых отрезках щелевых линий передачи не возбуждают колебания в отрезках коаксиальных линий 24 и 25.

22 mi 7fl,tf2y

1t12 101212 9 Фиг.I

// //

s

23

Фиг. 2

ОДШНОЛрЙЙЙ :MOflyJ18fOi СВЧ, содержа ttefvy йект чеекую подлояосу с нацесея «а ее первой «стороне мсетафшэации, в котором BbBiOBitemi aeySK и второй кольцевью отреэ|си целевых линий, сбепииеЯЕяме отрезком щелевой линии, к кр«як которого одной своей atxiMoniatsttae по) ключей первый jDEИoдml i«DClr, другая диагональ которого лодр1сл {ё«а к сяо еталлиэащт внутри; первого и второго кольЦе мх отреэксю цеяевьос лнянй а на стороне первой диэлектрической ПОЯ ЮЯЕКН расположены микрополосковый KBitiflj «Typный иаправлеишлй отаетаитель -ttef вое плечо которого яйляется входом модулятора, подкт ено к согласованной нагрузке, а третье и четвертое пяечй подкат 1ены соответст1йенно к первому и второму микрополосковым элементам связи с первьм и вторым кольцевьвш отрезками щелевых линий, и третий 14ИКРОПОЛОСКОВЫЙ элемент связи с третьим отрезком щелевс линии, который является выходом модулятора, отличающий с я тем, что, с целью; расширения полосы рабочих частот и увеличения диншшческого диапазона,в него дoпoлhиtвльнo введены второй диодный мост и идентичная первс диэлектрической подложке вторая диэлектрическая подложка, которая первой своей стороной совмещена с второй стороной первой диэлектрической подложки, а на вторую ее сторону «анесеи дополнительный слой металлизации, в котором эеркалынр первому и второму кольцевьм отрезка щелевых линий и третьему отрезку щелевой линии вшюлнены соответственно четверть } и пятый кольцевые отрезки щелевых линий . ffi и аест отрезок щелевой линии, |фи этом первый и второй диодные мосты вш1юлиены по кольцевой схеме, Л одна диагональ второго диодного ю :д моста подключена к краям шестого отрезка 1 левоЙ линии, другая его диагональ подключена к дополнительноадг слсмо металлизации внутри четвертого и пятого кольцевых отрезков ,1е|еЛевой линии, а слой метаплизацни и дополнительнь слой металлизации виут,ри первого и четвертого, второго И пятого кольцевых отрезков щелевой линии гальванически соединены между собой.

euiff

Вид В

ФигЗ