Генератор с линией задержки на поверхностных акустических волнах Советский патент 1985 года по МПК H03B5/32 

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в измерительной технике и в системах передачи информации в качестве стабиль ных источников колебаний. Целью изобретения является повыше ние кратковременной стабильности выходных колебаний. На чертеже представлена электрическая структурная схема генератора с линией задержки на поверхностных акустических волнах. Генератор с линией задержки на по верхностных акустических волнах (ПАВ содержит транзистор 1, инвертор 2, первую катушку индуктивности 3, вторую катушку индуктивности 4, линию задержки 5 на поверхностных акустических волнах (ПАВ), первый встречно штыревой преобразователь (ВШИ) 6, второй встречно-штыревой преобразователь (ВШП) 7, делитель напряжения 8. Генератор с линией задержки на ПАВ работает следующим образом. При включении источника питания на коллекторе транзистора 1 возникают флуктуации напряжения, которые поступают на вход инвертора 2, а с выхода инвертора 2 поступают на базу транзистора 1. Для получения незатухающих колебаний необходимо выполнить условие баланса амплитуд и условие баланса фаз. Суммарный фазовьй набег в замкнутой петле, образованной уселительным каскадом на транзисторе 1 и инвертором 2 равен J -if суммарный фазовый набег; где т 2 фазовьй сдвиг, вносимый усилителем на транзисторе фазовый сдвиг, вносимьш ин вертором 2. Если выбрать величину индуктивно ти первой катушки индуктивности 3 так, чтобы параллельный колебательный контур, образованный первой каг тушкой индуктивности 3 и статическо емкостью первого ВШП 6 был бы настр ен на частоту генерации, тогда /,с то /. , т.е Поскольку /пне выполняется условие баланса фаз. В эмиттерной цепи транзистора 1 образуется колебательный контур, со ставленный из индуктивности второй катушки индуктивности 4 и статичесой емкости второго ВШП 7, который также настроен на частоту генерируеых колебаний. При этом создается трицательная обратная связь по току последовательного типа, которая охватывает усилитель на транзисторе 1 и з-за которой уменьшается коэффици-. нт усиления усилителя транзистора. 1. ричем коэффициент усиления усилитея на транзисторе 1 имеет минимальую величину на частоте генерируемых олебаний, так как на этой частоте эквивалентное сопротивление колебательного контура, образованного инуктивностью первой катушки индуктивости 4 и статической емкости ВШП 7, меет максимальную величину. Условие аланса амплитуд может быть записано виде модуль коэффициента передачи инвертора 2; модуль коэффициента усиления усилителя, выполненного на транзисторе 1. Напряжение с параллельного колебательного контура, образованного первой катушкой индуктивности 3 и статической емкостью первого ВШП 6, совпадает по фазе с фазой напряжения между базой транзистора 1 и общей шиной и подается через линию задержки 5 в эмиттерную цепь транзистора 1, в которой суммируются следующие колебания, сдвинутые на а)колебания, поступающие с второго ВШП 7 линии задержки 5, б)колебания на колебательном контуре, состоящем из второй катушки индуктивности 4 и статической емкости второго.ВШП 7. В результате суммирования зтих колебаний напряжение между эмиттером транзистора 1 и общей шиной уменьшается, следовательно, коэффициент усиления усилителя на транзисторе 1 увеличивается в той же мере, в какой необходимо для выполнения условия баланса амплитуд согласно выражению (2) . Таким образом, выполняются одновременно условие баланса амплитуд и условие баланса фаз, что приводит к возникновению, незатухающих колебаний .

311648564

Наличие отрицательной обратной частотной харак;теристики генератора с связи по току последовательного типа линией задержки на ПАВ и,как следствие, и инвертора 2 повьшает крутизну фазо- повьшает кратковременную стабильность.

ГЕНЕРАТОР С ЛИНИЕЙ ЗАДЕРЖИ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащий транзистор, база которого через делитель напряжения подключена к источнику питания, коллектор которого через первую катушку индуктивности подключен к шине питания, вторую катушку индуктивности, линию задержки на поверхностных акустических волнах, состоящую из первого и второго встречно-штыревых преобразователей, при этом первый встречно-штыревой преобразователь подключен между коллектором транзистора и шиной питания, а второй встречно-штыревой преобразователь включен между эмиттер.ом транзистора и общей шиной, отличающийся тем, что, с целью повьшгения кратковременной стабильности выходных колебаний, введен инвертор, который включен между коллектором и (Л базой транзистора, а вторая катушка индуктивности включена между эмиттером транзистора и общей Ш1шой.