Способ измерения параметров плоскопараллельных диэлектриков Советский патент 1985 года по МПК G01R27/26 

Изобретение относится к технике радиотехнических измерений в диапазоне СВЧ и может быть использовано для измерений диэлектрической проницаемости плоскопараллельных диэлектриков . Целью изобретения является повышение точности измерения. На чертеже показано устройство, реализующее предлагаемый способ. Устройство содержит СВЧ-генерато 1, делитель 2 мощности, первый и вт рой волноводные излучатели 3, метал лический фланец 4, плоскопараллельный дизлектрик 5, фазовращатель 6, циркулятор 7, детектор 8, измерител ный прибор 9. Предлагаемый способ реализуется следующим образом. Первый и второй волноводные излу чатели 3 вводят в непосредственный контакт с плоскопараплельным диэлек триком 5 и возбуждают их сигналами одинаковой амплитуды, полученными делением поровну сигнала СВЧ-генера тора 1 в делителе 2 мощности, меняют разность фаз сигналов с помощью фазовращателя - 6 и фиксируют значение разнести фаз сигналов в момен ты наибольшей амплитуды отраженной волны, регистрируемой измерительным прибором 9. Затем измеряют ширину резонансной кривой зависимости амплитуды отраженной волны от частоты По измеренной разности фаз, с учетом толщины исследуемого плоскопараллельного диэлектрика и расстояния между первым и вторым волноводными излучателями рассчитывают диэлектрическую проницаемость исследуемого плоскопараллельного диэлектрика с помощью характеристических уравнений возбуждения поверхностных вблн, которые имеют вид: для случая электрических поверхностных волн pd gdtggd, для случая магнитных поверхностны волн pd |dctggd, где (pd) + (gd) R% k,2j/,, R k dTfTT, E и d - диэлектрическая проницаемость и толщина плоскопараллельного диэлектрика, Vg - разность фаз сигналов в момент наибольшей амплитуды отраженной волны; Р- расстояние между излу-; чателями. О тангенсе угла диэлектрических потерь судят по ширине резонансной кривой зависимости амплитуды отраженной волны от частоты.

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛОСКОПАРАЛПЕЛЬНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ,включающий облучение испытуемого плос- копараллельного диэлектрика электромагнитным полем посредством первого волноводного излучателя, находяшего- ся в контакте с поверхностью этого диэлектрика, и измерение амплитуды отраженной волны, отличающийс я тем, что, с целью повышения точности измерений, испытуемый плоскопараллельный диэлектрик облучают дополг нительно электромагнитным полем второго волноводного излучателя, который совместно с первым волноводным излучателем образует двухэлементную антенную решетку, первый и второй волноводный излучатели возбуждают сигналами одинаковой амплитуды, изменяют разность фаз между сигналами, фиксируют значение разности фаз сигналов в момент наибольшей амплитуды отраженной волны, измеряют ширину резонансной кривой зависимости ам- ; плитуды отраженной волны от частоты, а по измеренной разности фаз с учетом толщины указанного диэлектрика и расстояния между излучателями рассчитывают диэлектрическую проницаемость диэлектрика при помощи характеристического уравнения возбуждения поверхностных волн в диэлектрике, а по ширине резонансной кривой зависимости амплитуды отраженной волны от Частоты определяют тангенс угла диэлектрических потерь.