Способ определения подвижности носителей заряда Советский патент 1986 года по МПК H01L21/66 

Описание патента на изобретение SU1168019A1

1 1 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводников, в частности для определения дрейфовой подвижности носителей заряда. Цель изобретения - повьпиение точности, оперативности и обеспечение неразрушающего контроля. На фиг. 1 приведена схема реализа ции способа; на фиг. 2 показаны зонные диаграммы структуры полупроводник - диэлектрик для случая Vj. 0; на фиг. 3 - для случая V- 0; на фиг. 4 показана зависимость переходного тока I(t) от времени t. На фиг. 1 приняты следующие обозначения: генератор 1 импульсов, выходное сопротивление 2 генератора импульсов, источник 3 постоянного смещения, металлический электрод 4. диэлектрик 5,(полупроводник 6, колл кторный электрод 7, входное сопротивление 8 измерительного прибора. На фиг. 2 и 3 приняты обозначения напряжение смещения V , дно зоны про водимости Е, дно валентной зоны Еу, уровень Ферми F. Пример. Определяли дрейфовую подвижность электронов в структуре Me - SiOj - Si на основе высокоомного кремния с удельным сопротивлением р 2-Ю Ом «см. Толщина SiOj, состав ляла 0,2 мкм. Толщина кремниевой 19.1 подложки 210 мкм, площадь структуры 310 СМ. Напряжение смещения V варьировалось от 3 до 6 В. На фиг. 4 приведена экспериментально полученная зависимость переходного тока от времени при подаче импульсов напряжения. В начале переходного процесса имеется острый пик, обусловленный емкостным возмущением. Второй пик соответствует времени прихода переднего фронта пакета носителя заряда к коллекторному электроду (26 не). Дальнейший медленный спад обусловлен истощением заряда в обогащенном слое кремния. Дрейфовую подвижность носителей заряда вычисляли по формуле где а - коэффициент, равный 1 для токов, не ограниченных пространственным зарядом, и а %0,78 для токов, ограниченных пространственным зарядом; - время прихода переднего фронта пакета носителей заряда к коллекторному электроду} L - толщина полупроводника. При а 0,78 вычисленное значение дрейфовой подвижности носителей заряда равно /Kj 1320 .

Похожие патенты SU1168019A1

название год авторы номер документа
ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР СИГНАЛОВ СЛОЖНОЙ ФОРМЫ 2006
  • Перепелицын Юрий Николаевич
  • Жаворонков Николай Васильевич
  • Перепелицына Елена Юрьевна
  • Пылаев Юрий Константинович
RU2324961C1
Способ определения распределения плотности состояний в запрещенной зоне аморфных полупроводников 1983
  • Коньков О.И.
  • Андреев А.А.
  • Теруков Е.И.
SU1127488A1
ОПТИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР СВЧ-ИМПУЛЬСОВ 2009
  • Перепелицын Юрий Николаевич
RU2390073C1
ЯЧЕЙКА МАТРИЦЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ 2005
  • Мордвинцев Виктор Матвеевич
  • Кудрявцев Сергей Евгеньевич
RU2302058C2
ФОТОННЫЙ МАТРИЧНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ 2011
  • Перепелицын Юрий Николаевич
  • Пылаев Юрий Константинович
RU2490680C2
ЯЧЕЙКА ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЙ ПАМЯТИ 2010
  • Мордвинцев Виктор Матвеевич
  • Кудрявцев Сергей Евгеньевич
RU2436190C1
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРИБОР НА ЭФФЕКТЕ ГАННА 1992
  • Каневский Василий Иванович
  • Сухина Юрий Ефимович
  • Ильин Игорь Юрьевич
RU2014673C1
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА 2009
  • Зиррингхаус Хеннинг
  • Гвиннер Майкл К.
  • Гайссен Харальд
  • Швайцер Хайнц
RU2532896C2
Планарная транзисторная структура 1985
  • Глущенко В.Н.
  • Гальцев В.П.
  • Татьянин В.И.
SU1272927A1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР 1991
  • Евсеев И.И.
  • Замотайлов Ю.Г.
  • Ивакин А.Н.
  • Петров Б.К.
  • Суровцев И.С.
  • Корчагин Ю.А.
  • Дудкин В.П.
  • Бугров В.П.
RU2030812C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 168 019 A1

Реферат патента 1986 года Способ определения подвижности носителей заряда

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, основанный на создании двух электродов на исследуемом образце, один из которых является коллекторным, а второй инжектирующим, приложении к электродам импульсов напряжения, регистрации переходного инжекционного тока и определении дрейфовой подвижности носителей заряда расчетным путем, отличающийся тем, что, с Целью повышения точности, оперативности и обеспечения неразрушающего контроля, второй электрод выполняют в виде двухслойной структуры, состоящей из диэлектрического слоя толщиной от О,1 до 1 мкм, покрытого пленкой металла, к электродам прикладывают пог стоянное напряжение, имеющее величину и полярность, обеспечивающую создание слоя обогащенного носителями заряда у границы раздела полупроводник - диэлектрик.

Формула изобретения SU 1 168 019 A1

7/Tf/f7//7/

EV

//

/////////

0(1)

F

v

0.8

0.6

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1986 года SU1168019A1

Кучме Е.В
Методы исследования эффекта Холла
М.: Советское радио, 1974, с
Разборный с внутренней печью кипятильник 1922
  • Петухов Г.Г.
SU9A1
Spear W.E
Drift - mobility techniques for the study of electrical tremspost properties in insulating solids
- J
of Noncryst
Sol
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 168 019 A1

Авторы

Ждан А.Г.

Омельченко В.И.

Рыльков В.В.

Синкевич В.Ф.

Даты

1986-05-07Публикация

1983-08-02Подача