Материал для фоторезистивных приемников ультрафиолетового излучения Советский патент 1987 года по МПК H01L31/08 

vl

05 Изобретение относится к области электротехники и электроники, в част кости, может быть использовано для изготовления простых малогабаритных приемников ультрафиолетового (УФ) из лучения, чувствительных в диапазоне длин волн 230-320 нм, с целью применения в медицине, биологии, сельском хозяйстве и других областях. Целью изобретения является расширение области чувствительности за счет смещения максимума чувствительности в диапазоне от 260 до 300 нм. Пример 1. Просушенные окислы галлия и индия берут в количестве 3,65 г Ga.2.05 и 1,35 г ,, что соответствует 80 мол.% и 20 мол. , в расчете на 5 г твердого раствора СТа, (,4). П р и м е р 2. Аналогично примеру 1, кроме соотношения компонентов, ко торое составляет 3,96 г и 1,04 ,, что соответствует 85 мол.% , и 15 мол.% , в расчете на 5 г твердого раствора , (,3). П р и м е р 3. Аналогично примеру 1, кроме соотношения компонентов, ко торое составляет 4,29 г Ga.O, и 0,71 г , , что соответствует 90 мол.% , и 10 мол.% в 1 42 расчете на 5 г твердого раствора Ga,, (х.0-,2). П р и м е р 4. Аналогично примеру 1, кроме соотношения компонентов, которое равно 4,67 г и 0,33 г ,, что составляет 95 мол.% и 5 мол.% в расчете на о/ 5 г твердого раствора Ga,, 1Пд,0 (,1). I В таблице приведены фотоэлектрические характеристики получения пленочных фоторезисторов (толщина -0,7 мкм), где R (RJ.) - относительная фоточувствительность; Р - плотность светового потока; 1 - -темновой ток. Из представленных результатов следует, что данный. ма:териап для фоторезистивных приемников УФ-излучения позволяет получить максимальную чувствительность в области 260-300 нм в зависимости от концентрации окиси индия. Область максимального выхода фототока в УФ области совпадает с зона-зонными переходами, что позволяет применить материал для регистрации УФ излучения на фоне подсветки видимым светом и излучением ближнего ультрафиолета .

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ ПРИЕМНИКОВ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ на основе окиси галлия, о тличающийся тем, что, с целью расширения области чувствительности за счет смещения максимума чувствительности в диапазоне от 260 до 300 нм, материал дополнительно содержит окись индия и представляет собой твердый раствор формулы , |где ,1-0,4. (Л

2бО 277

1, 5-10

300

282

1-10

1-Ч

10

10