СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Советский патент 1995 года по МПК H01L21/208 

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов с применением жидкостной эпитаксии.

Цель изобретения улучшение качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое.

Примеры реализации способа.

На подложках InAs (III) B и (III) A выращивают эпитаксиальные пленки InAs_0,78Sb_0,07P_0,14 (состав на гетерогранице) по режимам, представленным в таблице, где Х_In^l, X_As^l, X_Sb^l, X_P^l соответственно атомные концентрации индия, мышьяка, сурьмы и фосфора в расплаве. Время выдержки и скорость охлаждения соответственно составляют 30 мин и 0,24^оС/мин.

Плотность дислокации N определяют путем подсчета ямок травления, полученных при обработке образцов в смеси: 2 мл H₂O, 8 мг AgNO₃, 1 г CrO₃, 1 мл НF (АВ травитель).

Как видно из таблицы, выбор режимов за пределами указанных интервалов приводит к ухудшению качества эпитаксиальных структур InAs_1-x-ySb_xP_y.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
InAs InAs_1-x-ySb_xP_y
методом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое, вводят в раствор-расплав фосфор в количестве 0,11 0,19 мас. а температуру начала эпитаксиального наращивания устанавливают в диапазоне 700 730^oС.