Изобретение относится к технологическому оборудо-ванию для сборки полупроводниковых приборов, в частности к устройствам для присоединения полупроводниковых кристаллов через золотокремниевую эвтектику и основаниям корпусов СВЧ-транзис - торов.
Цель изобретения - повьппение качества паяемьж изделий путем создания необходимого градиента температур при их нагревании и охлаждении и сокращение расхода золота на покрытие корпусов, а также обеспечение возможности заполнения тепло- распределяющего Средства инертным газом.
На фиг. 1 приведено устройство, разрез; на фиг. 2 - сечение устройства А-А на фиг. 1.
Устройство для присоединения кристаллов состоит из теплораспре- деляющего средства 1 с профильной кольцевой проточкой 2, блоком 3 нагрева и блоком 4 охлаждения. В кольцевой проточке теплораспределяющего средства размещено кольцо 5 с гнездами 6 для корпусов приборов 7. Теплораспределяющее средство закрыто крышкой 8с загрузочно-выгрузоч- ным окном 9, уплотненным графитовой вс .тавкой 10 и кварцевь1м стеклом для наблюдения 11с отверстием 12 для ввода инструмента 13. Для поворота кольца с изделиями имеется вал 14 с водилом 15.
Устройство работает следующим образом.
Производится включение нагревателей блока 3 и подача воды в блок 4 охлаждения. Одновременно подается инертный газ. в полость кольцевой проточки 2 теплораспределяющего средства 1. После чего корпус прибора 7 через загрузочно-выгрузочное окно 9 устанавливают в гнездо. Затем водилом 15 через вал 14 от механизма, работающего по программе (не показан) поворачивается кольцо 5, подводя следующее гнездо под загрузочно-выгрузочное окно и производится установка следующего корпуса. При прохождении ряда позиций, постепенно нагреваясь, корпус при2224512
бора заходит в зону максимального нагрева под отверстие 12, через , которое инструментом 13 производится посадка кристаллов на-корпус при5 бора. Последний с припаянным кристаллом, периодически передвигаясь с позиции на позицию, постепенно- охлаждается, попадает в зону интенсивного охлаждения под загрузочно10 выгрузочное, окно 9, где охлаждается до необходимой температуры и выгружается. В освободившееся гнездо загружают очередной корпус. Цикл повторяется. Устройство может рабо15 тать в автоматическом режиме.
Б теплораспределяющем средстве для создания необходимого градиента температур при пайке приборов и их охлаждении блок нагрева смещен в
20 сторону загрузки корпусов элементов против хода перемещаемых элементов, а блок охлаждения смещен в сторону места пайки также против хода перемещаемых элементов, причем зоны- мак25 симально отдаваемой мощности нагрева и максимальньй теплосъем приходятся соответственно на зоны пайки элемента и его выгрузки.
Инертный газ, подаваемый при не30 большом избыточном давлении, препят- Iствует попаданию в устройство воздуха. Уплотняющая графитовая вставка 10, помещенная между крьшжой и поворотным кольцом 5 служит для уменьшения утечки газа через верхнюю часть
35
40
загрузочно-выгрузочного окна.
Устройство для присоединения полупроводниковых кристаллов через золотокремниевую эвтектику методом пайки за счет контактного плавления
к основаниям локально золоченых корпусов СВЧ-транзисторов позволяют получить высококачественные сое- дингения системы кристалл-основание
с обеспечением надлежащего внешнего вида и качества иикельсодержащего покрытия, нанесенного на ос гальную поверхность корпусов.
Использование изобретения для
пайки кристаллов только, например, к локально золоченным корпусам .КТ-4 транзисторов позволяет получить экономию золота в количестве 46 кг на каждый миллион штук корпусов.
Редактор Н.Бобкова
Составитель Г.Теслин Техред Л.Олейник
Заказ 1649/13
Тираж tootПодписное
ВНШПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ПШ Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, А
Фиг.г
Корректор К.Сирохман
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для ультразвуковой пайки кристаллов | 1976 |
|
SU667346A1 |
СПОСОБ БЕССВИНЦОВОЙ КОНТАКТНО-РЕАКТИВНОЙ ПАЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА К КОРПУСУ | 2008 |
|
RU2379785C1 |
Установка для пайки в защитной среде электротехнических изделий | 1979 |
|
SU870028A1 |
Автомат ультразвуковой напайки кристаллов | 1973 |
|
SU698075A1 |
КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2009 |
|
RU2405229C2 |
СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЕВЫХ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К КОРПУСУ С ОБРАЗОВАНИЕМ ЭВТЕКТИКИ КРЕМНИЙ-ЗОЛОТО | 2005 |
|
RU2298252C2 |
ПРИПОЙ ДЛЯ ПАЙКИ ЭЛЕМЕНТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 1972 |
|
SU432999A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОРПУСА МИКРОСХЕМЫ | 1991 |
|
RU2034368C1 |
Ленточный композиционный припой на основе сплава золота и способ его получения | 2019 |
|
RU2734609C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОНТАЖА КРИСТАЛЛА | 2011 |
|
RU2468470C1 |
Авторы
Даты
1986-04-07—Публикация
1983-04-25—Подача