Устройство для присоединения полупроводниковых кристаллов Советский патент 1986 года по МПК B23K3/00 

Описание патента на изобретение SU1222451A1

Изобретение относится к технологическому оборудо-ванию для сборки полупроводниковых приборов, в частности к устройствам для присоединения полупроводниковых кристаллов через золотокремниевую эвтектику и основаниям корпусов СВЧ-транзис - торов.

Цель изобретения - повьппение качества паяемьж изделий путем создания необходимого градиента температур при их нагревании и охлаждении и сокращение расхода золота на покрытие корпусов, а также обеспечение возможности заполнения тепло- распределяющего Средства инертным газом.

На фиг. 1 приведено устройство, разрез; на фиг. 2 - сечение устройства А-А на фиг. 1.

Устройство для присоединения кристаллов состоит из теплораспре- деляющего средства 1 с профильной кольцевой проточкой 2, блоком 3 нагрева и блоком 4 охлаждения. В кольцевой проточке теплораспределяющего средства размещено кольцо 5 с гнездами 6 для корпусов приборов 7. Теплораспределяющее средство закрыто крышкой 8с загрузочно-выгрузоч- ным окном 9, уплотненным графитовой вс .тавкой 10 и кварцевь1м стеклом для наблюдения 11с отверстием 12 для ввода инструмента 13. Для поворота кольца с изделиями имеется вал 14 с водилом 15.

Устройство работает следующим образом.

Производится включение нагревателей блока 3 и подача воды в блок 4 охлаждения. Одновременно подается инертный газ. в полость кольцевой проточки 2 теплораспределяющего средства 1. После чего корпус прибора 7 через загрузочно-выгрузочное окно 9 устанавливают в гнездо. Затем водилом 15 через вал 14 от механизма, работающего по программе (не показан) поворачивается кольцо 5, подводя следующее гнездо под загрузочно-выгрузочное окно и производится установка следующего корпуса. При прохождении ряда позиций, постепенно нагреваясь, корпус при2224512

бора заходит в зону максимального нагрева под отверстие 12, через , которое инструментом 13 производится посадка кристаллов на-корпус при5 бора. Последний с припаянным кристаллом, периодически передвигаясь с позиции на позицию, постепенно- охлаждается, попадает в зону интенсивного охлаждения под загрузочно10 выгрузочное, окно 9, где охлаждается до необходимой температуры и выгружается. В освободившееся гнездо загружают очередной корпус. Цикл повторяется. Устройство может рабо15 тать в автоматическом режиме.

Б теплораспределяющем средстве для создания необходимого градиента температур при пайке приборов и их охлаждении блок нагрева смещен в

20 сторону загрузки корпусов элементов против хода перемещаемых элементов, а блок охлаждения смещен в сторону места пайки также против хода перемещаемых элементов, причем зоны- мак25 симально отдаваемой мощности нагрева и максимальньй теплосъем приходятся соответственно на зоны пайки элемента и его выгрузки.

Инертный газ, подаваемый при не30 большом избыточном давлении, препят- Iствует попаданию в устройство воздуха. Уплотняющая графитовая вставка 10, помещенная между крьшжой и поворотным кольцом 5 служит для уменьшения утечки газа через верхнюю часть

35

40

загрузочно-выгрузочного окна.

Устройство для присоединения полупроводниковых кристаллов через золотокремниевую эвтектику методом пайки за счет контактного плавления

к основаниям локально золоченых корпусов СВЧ-транзисторов позволяют получить высококачественные сое- дингения системы кристалл-основание

с обеспечением надлежащего внешнего вида и качества иикельсодержащего покрытия, нанесенного на ос гальную поверхность корпусов.

Использование изобретения для

пайки кристаллов только, например, к локально золоченным корпусам .КТ-4 транзисторов позволяет получить экономию золота в количестве 46 кг на каждый миллион штук корпусов.

Редактор Н.Бобкова

Составитель Г.Теслин Техред Л.Олейник

Заказ 1649/13

Тираж tootПодписное

ВНШПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ПШ Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, А

Фиг.г

Корректор К.Сирохман

Похожие патенты SU1222451A1

название год авторы номер документа
Устройство для ультразвуковой пайки кристаллов 1976
  • Амнуэль Валентин Аронович
  • Савицкий Ромуальд Лонгинович
  • Колкин Михаил Михайлович
SU667346A1
СПОСОБ БЕССВИНЦОВОЙ КОНТАКТНО-РЕАКТИВНОЙ ПАЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА К КОРПУСУ 2008
  • Зенин Виктор Васильевич
  • Бокарев Дмитрий Игоревич
  • Гальцев Вячеслав Петрович
  • Кастрюлёв Александр Николаевич
  • Кочергин Александр Валерьевич
RU2379785C1
Установка для пайки в защитной среде электротехнических изделий 1979
  • Верников Михаил Аврамович
  • Сидоров Владимир Алексеевич
  • Стесин Лев Ефимович
  • Апраксин Евгений Васильевич
SU870028A1
Автомат ультразвуковой напайки кристаллов 1973
  • Никулин Николай Иванович
SU698075A1
КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2009
  • Асессоров Валерий Викторович
  • Бражникова Тамара Ивановна
  • Кожевников Владимир Андреевич
  • Марченко Олег Васильевич
  • Пахомов Олег Николаевич
RU2405229C2
СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЕВЫХ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К КОРПУСУ С ОБРАЗОВАНИЕМ ЭВТЕКТИКИ КРЕМНИЙ-ЗОЛОТО 2005
  • Зенин Виктор Васильевич
  • Рягузов Александр Владимирович
  • Спиридонов Борис Анатольевич
  • Хишко Ольга Владимировна
  • Шарапова Таисия Ивановна
RU2298252C2
ПРИПОЙ ДЛЯ ПАЙКИ ЭЛЕМЕНТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 1972
SU432999A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОРПУСА МИКРОСХЕМЫ 1991
  • Афонов Олег Николаевич
RU2034368C1
Ленточный композиционный припой на основе сплава золота и способ его получения 2019
  • Томилин Николай Алексеевич
  • Серегин Вячеслав Сергеевич
  • Пилавова Лариса Владимировна
RU2734609C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОНТАЖА КРИСТАЛЛА 2011
  • Лебедева Ольга Васильевна
  • Литвиненко Николай Петрович
  • Бейль Владимир Ильич
RU2468470C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 222 451 A1

Реферат патента 1986 года Устройство для присоединения полупроводниковых кристаллов

Формула изобретения SU 1 222 451 A1

SU 1 222 451 A1

Авторы

Юртаев Юрий Герасимович

Собкевич Игорь Юрьевич

Грачев Анатолий Алексеевич

Даты

1986-04-07Публикация

1983-04-25Подача