Микрополосковая согласованная нагрузка Советский патент 1986 года по МПК H01P1/26 

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано при построении интегральных микрополос- ковых устройств.

Цель изобретения - повышение рабо чей мощности.

На фиг. 1 показан вариант конструкции микрополосковой согласованной нагрузки; на фиг. 2 то же, вариант

Микрополосковая согласованная на- рузка содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой нанесено заземляющее основание 2, а на другой - проводник 3, подключеннь к резистивному слою 4, вьтолненному в форме полукольца (к его внутренней кромке 5), внешняя кромка 6 которого заземлена. На поверхности резистивно го слоя 4 вьтолнены участки 7 в форме круга или правильного многоуголь- ника,, имеющие удельное сопротивление отличное от удельного сопротивления резистивного слоя, при этом центры участков 7 расположены на окружностях 8 с центром, совпадающим с цент- ром полукольца. Если удельное сйпро- тивление каждого из участков 7 меньше удельного сопротивления резистивного слоя 4, расстояние f l (г) между центрами участков 7, расположенных на одной окружности 8, определяется из соотношения

(1.

.i

t, (г)

где г - радиус окружности 8;

г - радиус окружности внешней

кромки 6 резистивного слоя 4 S -; площадь участка 7. Если участки 7 выполнены в виде отверстий, расстояние |(г) между центрами участков 7, расположенных на одной окружности 8, определяются из соотношения г

i,r).;r:jr-.

где Г - радиус окружности внутренней кромки резистивного слоя.

Микрополосковая согласованная нагрузка работает следующим образом.

СВЧ-мощность, поступающая на проводник 3, рассеивается в резистивном слое 4. Наличие учавтков 7 обеспечивает локализацию рассеяния СВЧ мощности либо на них (когда удельное сопротивление участков 7 меньше уделного сопротивления резистивного слоя 4), либо на участках резистир

ного слоя 4, окружающих участки 7, когда участки 7 выполнены в виде отверстий. Расположение плотности участков 7 по закономерностям, приведенным выше, обеспечивает равномерное распределение поглощенной СВЧ-мощнос- ти по поверхности резистивногослоя 4, в результате чего отсутствуют области перегрева и возрастает рабочая мощность. С точки зрения технологичности целесообразна комбинация расположения на одном резистивном слое 4 участков 7, вьтолненных в виде отверстий и выполненных с уменьшенным удельным сопротивлением. При этом участки 7, выполненные в виде отверстий, располагаются вблизи кромки 6, а другие участки 7 - вблизи проводника 3. Это позволяет располагать участки 7 не слишком близко один к дpyгo y, сохраняя эффект увеличения рабочей мощности.

Формула изобретения

1.Микрополосковая согласованная нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесено заземляющее основание, а на другой - резистивный слой, выполненный в форме полукольца, внешняя кромка которого заземлена, а

к внутренней кромке подключен проводник, отличающаяся тем, что, с целью повышения рабочей мощности, на поверхности резистивного слоя выполнены участки в форме круга или правильного многоугольника, имеющие удельное сопротивление, отличное от удельного сопротивления резистивного слоя, при этом центры участков расположены на окружностях с центром, совпадающим с центром полукольца.

2.Нагрузка по п. 1, о т л и - чающаяся тем, что удельное сопротивление каждого из участков меньше удельного сопротивления резистивного слоя, а расстояние между центрами участков, расположенных на одной окружности, определяется из соотношения

rs.rf

I (г)-----

- радиус окружности}

- радиус окружности внешней кромки резистивного слоя; - площадь участка. Нагрузка по п. 1, отлищаяся тем, что участки

31224866

вьтолнены в виде отверстий, при этом расстояния между центрами участков, расположенных на одной окружности, определяются из соотношения

гд

fs г

r.(r)jFi|p

где г - радиус окружности внутренней кромки резистивного слоя.

Изобретение м.б. использовано при построении интегральных микро- полосковых устройств в технике СВЧ. Цель изобретения - повышение рабочей мощности. Устройство содержит диэлектрическую подложку 1 с заземляющим основанием 2 и проводником (П) 3, подключенным к резистивному слою (PC) 4, выполненному в форме полукольца (к его внутренней кромке 5), внешняя кромка 6 которого заземлена. На поверхности PC 4 вьтолнены участки (У) 7 в форме круга или правильного многоугольника, при этом центры У7 расположены на окружностях 8 с центром, совпадакмцим с центром полукольца. СВЧ мощность, поступающая на ПЗ,- рассеивается в PC 4. Наличие У7 обеспечивает локализацию рассеяния СВЧ мощности либо на них (когда удельное сопротивление У7 меньше удельного сопротивления PC 4), либо на участках РС4, окружающих У7, когда У7 выполнены в виде отверстий. Расположение плотности У7 по установленным закономерностям обеспечивает равномерное распределение поглощенной СВЧ мощности по поверхности РС4, в результате чего отсутствуют точки перегрева и возрастает рабочая мощность. Приведены установленные закономерности расположения плотности У7 и дан другой вариант конструкции микрополосковой согласованной нагрузки. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. сл ю to 4: 00 О5 G)