Микрополосковая нагрузка Советский патент 1982 года по МПК H01P1/26 

(54) МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА

1. Изобретение относитсяг к технике сверхвысоких частот. Известна микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесено заземляющее основание, а на другой - токонесущий проводник и резистивный слой, подключенный к нему, имеющий шкруяу, равную ширине токонесущего проводника, и соединенный торцовой кромкой с заземляющим основанием закорачивающим проводником, щирина которого больше щирины токонесущего проводника, при этом кромки резистивного слоя образуют с закорачивающим проводником щелевые зазоры Ц Однако известная нагрузка имеет небольшую ширину рабочей полосы частот, что связано с недостаточной компенсашгей реактивнос ти, вносимой резистором. Цель изобретения - расщирение рабочей полосы частот. Для достижения цели в микрополосковой нагрузке щеле18ые зазоры вьшолнены с одина-. КОБОЙ шириной по длине, которая выбрана больше длины резистивного слоя и меньше yдвoe шoй его длины. На чертеже приведено устройство микрополосковой нагрузки. Микрополосковая нагрузка содержит диэлектрическую подложку , на одной стороне которой нанесено заземляющее основание 2, а на другой - токонесущий проводник 3 и резистивный слой 4, подключенный к нему, имеющий ширину, равную ширине токонесущего проводника 3, и соединенный торцовой кромкой с заземляющим основанием 2 закорачивающим проводником 5, ширина которого больше щирины токонесущего проводника 3. При этом кромки резистивного слоя 4 и токонесущего проводника 3 образзпют с закорачивающим проводником 5 одинаковые по длине щелевые зазоры 6 шириной S. Длина щелевых зазоров 2 больше длины езистивного слоя fj и меньще удвоенной его лины. Микрополосковая нагрузка работает следуюим образом. 39 Поступающая на вход микрополосковой нагрузки сверхвысокочастотная мощность рассеивается в резистшном слое 4. Условие широкополосного согласования обеспечивается выбором длины щелевых зазоров 6 в указанных пределах. При этом происходат компенсация реактивной составляющей резистквного слоя 4. М5псрополосковая нагрузка обеспечивает в полосе частот 0-18 ГГц КСВ не более 1,12 и конструктивно, проста. Формула изобретения Микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическую, подложку, на одной стороне которой нанесено заземляющее основание, а на другой - токонесущий проводник и резис тивный слой, подаслюченньШ к нему, имеюW

/

-Нщий ширину, равную щирине токонесущего проводника и соединенный торцовой кромкой с заземляющим основанием закора твающим проводником, щирина которого больше щирины токонесущего проводника, при этом кромки резистивного чяюя образуют с закорачивающим проводником щелевые зазоры, отличающаяся, тем, ПО, с целью расщирения рабочей полосы частот, щелевые зазоры выполнены е опниаковой щирнной по дл1Ше, которая выбрана- больще длины резистивного слоя и меньше удвоенной его длины. Источники информащга, принятые во внимание при экшертизе 1. Гонский Н. Т. и др. Согласованная нагрузка для гибридных интегральных микросхем СВЧ диапазона. Электронная техника, сер. I, Электроника СВЧ, 1980, вьш. 3, с. 3134 (прототип).