Устройство фазирования антенной решетки Советский патент 1986 года по МПК H01Q3/26 

1239774

дение напряжения на этом Тр в цепи БТС уменьшается-,компенсируя увеличе- коллектор-эмиттер.Выходное напряжение ние тока через р1ъ--диоды Ф 1 1 ил

Изобретение относи Ля к радиотехнике и может быть использовано для фазирования антенной решетки.

Цель изобретения - повьшени е точности фазирования путем термостабилизации тока Р -диодов.

На чертеже представлена схема устройства фазирования антенной решетки..

Устройство содержит фазовращатели 1 на pin -диодах, блок 2 питания, блоки 3 управления, блоки 4 термостабилизации, первые 5, вторые 6 и третьи 7 транзисторы, первые 8 и вторые 9 конденсаторы, первые 10 вторые 11 и третьи 12 резисторы, первые 13 и вторые 14 диоды.

Устройство фазирования антенной решетки работает следующим образом.

Стабилизированное питающее напряжение от блока 2 питания подается на входы блоков 4 термостабили- згци№, выходное напряжение которых служит для управления pin -диодами соответствующих фазовращателей 1.- Оно подается на -диоды фазовращателей 1 через соответствующие блоки 3 управления. При подаче сигнала управления на управляющий вход блока 3 управления на соответствующий pih -ДИОД поступает открывающее напряжение. При снятии сигнала управления полностью снимается напряжение, поступающее на р1к -диоды.

Блоки 4 термостабилизации служат для термостабилизации тока соответствующих pih -диодов.

Каждый блок термостабилизации работает следующим образом.

При повьшении температуры окружающей среды сопротивление pin-диодов фазовращателей 1 уменьшается и увеличивается ток через них. Для поддержания постоянного тока pih-дидов при увеличении температуры необходимо уменьшение выходного напряжения блока 4 термостабилизации. Это достигается за счет того, что при

зшеличении температуры сопротивления первого и второго диодов 13 и 14 уменьшается, при этом увеличивается ток базы третьего транзистора 7 и

его ток коллектора, увелич иваются базовый и коллекторный токи первого транзистора 5, уменьшается ток базы второго транзистора 6, отчего увеличивается падение напряжения на этом

транзисторе в цепи коллектор - эмиттер, в результате чего выходное напряжение блока 4 термостабилизации уменьшает ся, компенсируя таким образом увеличение тока через pin -диоды

фазоврашдтелей 1.

Формула изобретения

Устройство фазирования антенной решетки, содержащее фазовращатели на pin -диодах, блок питания и блоки управления, отличающееся тем, что, с целью повьшения точности фазирования путем термостабилизации тока p lh -диодов , в каждый фазовращатель введен блок термостабилизации, состоящий из первого, второго и третьего транзисторов, первого и второго конденсаторов, первого, вто- рого и третьего резисторов, двух последовательно соединенных диодов, причем эмиттеры первого и второго транзисторов, первый вьгаод первого конденсатора, первый вьтод первого резистора объединены и являются входом блока термостабилйзации, второй вьтод первого резистора соединен с базой первого транзистора, база второго транзистора подключена к коллектору первого транзистора и второму резистору, соединенному с общей шиной, а база первого резистора подключена к коллектору третьего транзистора, катод первого диода и первый вывод третьего резистора объединены и подключены к базе третьего транзистора, анод.второго диода, коллектор второго транзистора и пер

3J2397744.

вый вьшод второго конденсатора объе-ка термостабилизации подключен к выдинены и соединены с первым входомходу блока пита/1ия, выход блока упсх ответст8ующего блока управления,равления подключен к соответствугощепри этом вторые вьшоды конденсаторов,му р м-диоду, а вторые входы блоков

эмиттер третьего транзистора и вто- 5управления являются управляющирой вывод третьего резистора соеди-ми входами устройства фазиронены с общей пщной, причем вход бло-вания.

Изобретение относится к области радиотехники. Повьшается точность фазирования путем термостабилизации тока р П -диодов. Устройство содержит фазовращатели (Ф) 1 на P h -диодах, блок 2 питания, блоки 3 управления,. блоки 4 термостабилизации (FTC), транзисторы (Тр) 5-7, конденсаторы 8, 9, резисторы 10 - 12, диоды 13 и 14. БТС 4 служат для термостабилизации тока соответствующих Pin -диодов. При повьшении температуры окружающей среды сопротивление pin -диодов Ф 1 уменьшается и увеличивается ток через них. Для поддержания постоянного тока pib -диодов при увеличении температуры необходимо уменьшение выходного напряжения БТС 4. При увели- .чении температуры сопротивления диодов 13, 14 уменьшается, ток базы и коллектора Тр 7 увеличивается. При этом увеличивается базовый и коллекторный токи Тр 5, уменьшается ток базы Тр 6, отчего увеличивается па(О (Л 1C со со nU