Способ формирования изображения на подложке с фоторезистором Советский патент 1991 года по МПК G03F7/26 

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть ис пользовано на операциях фотолитографии при изготовлении полупроводнико- вых приборов и интегральных микросхем.

Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа за счет улучшения сонме- щаемостй фотошаблона.

На фиг.1, 2 показаны возможные искажения рисунка фотошаблона; на фиг.З, 4 - исходное состояние орямо- угольного фотошаблона и подножки перед совместным изгибом; иа фиг.,5, 6- варианты совместного изгиба фотошаблона и подложки; на фиг.7, 8 - изображение на подложке рисунка фотошаблона после проведенной коррекции.

Рисунок 1 фотошаблона 2 может иметь на:ру1 1ения ортогональности координатной системы .(Фиг.1) (tU- угол неортогональности) иля ее искажения типа трапеция (г.2) (- угол межд ; высотой и стороной трапеции). .Искажения первого вида могут появляться из-за неортогональности пере- мёщений кареток координатного стола фотоповторителя при мультиготцирова- нии изображения, искажения второго вида - это температутшые деформации фотошаблона 2 илч дифракционных решеток датчиков перемещений стола фо- топовторитепя. .

Величины углов иЗ и 0 , характеризующие соответственно неортогональность и трапециевидность рисунка I, могут составлять +(1,3... 1,7) что на расстоянии 30 мм от центра фотошаблона 2 вызывает смещения эле- . ментов относительно номинального по- лсожения +(0,4..) мкм,

П р и не р. После выявления нс- кджений с помощыо компаратора прягю- угольный фотошаблон 2 П1жжимают к подложке 3, (фиг,3, 4) и совместно изгибают до положения коррекции при

.

,

4676 t

закреплении двух углов, расположенных иа одной из диагоналей прямоугольных пластин (фиг.5, 6), а затем проводят экспонирование фоторезиста

5 актимичным излучением. При совместном изгибе пластин их контактирующие слои деформируются, что приводит к смещениям элементов рисунка 1 фотошаблона 2p, вдоль координат 0 ных направлений X и у , пропорцйо- . налььгым расстояниям Ь ч этих элементов до диагонали, относительно которой изгибают прямоугольные пластиньт. Возникающие смещения про15 порциоиальны также расстояниям от из- меряемьпс элементов до этой диагонали в направлении, ортогональном смещениям, т.е. xL, {%

- .и ЭЦ , , «РЬ, .

20 Величина прогиба угловых участков пластин (2-6 мкм) при коррекции искажений рассчитъгвается, исходя из Ве- , личинь компенсируемых погрешностей uJt,, uJL или pL ЭЬх вызываемых

25 этими искажениями, с учетом условий закрепления фотошаблона 2 и подложки 3 и их толщин или подбирается экспериментально пробными фотолитографиями.

30 При коррекции неортогональности рисунка 1 фотошаблона 2 деформирующую нагрузку прикладывают к участкам прямоугольной подложки 3, располо- женньт по обе стороны от диагонали

35 соединяющей углы их закрепления, в одном направлении (фиг.З), при коррекции трапециевидности - в противоположных направлениях (фиг.6), В результате изображения фотошаблона 2

40 воспроизводятся на подложках 3 без искажений (фиг.7, 8).

Прн необходимости, например, в случае существенного различия величин U.) или Р для деформируемых

4$ участков фотошаблона 2 к его угловым участкам при коррекции прикладывают неодинаковые нагрузки.

Фиг. 2

Ф«&5

« «««/i/..

Jlfly J t

Фчг.6

Фиг. 7

Фив. 8

Редактор Л.Утехинв

Составитель А.Хохлов

Техред О.Гортвай Корректор А.Ференц

Заказ 1892Тираж 294 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делан изобретений и открытий 11Э035, Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

11рО11эводственно полиграфическое предприятие, г.Ужгород,ул.Проектная,4