Устройство для моделирования биполярного транзистора Советский патент 1982 года по МПК G06G7/62 

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОПЕЛИРОВАНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к исследованиям и измерениям параметров транзисторов, и может быть использовано для анализа поведения радиоэлектронных устройств в условиях воздействия различного рода облучения ; нейтронного, j -излучения, d,излучения, протонного.

Известно устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее операционные усилители, переменный резистор и транзистор. Данное устройство позволяет моделировать изменение коэффициента передачи по току транзистора til .

Недостатки этого устройства заключаются в том, что точность моделирования определяется точностью совпадения парноподобных транзисторов. Кроме того, невозможно одновременно изменить входное сопротивление и коэффициент передачи по току, что не позволяет моделировать поведение транзистора в условиях нейтронного облучения.

Наиболее близкой по технической сущности к предлагаемому является модель , биполярного транзистора, содержащая транзистор и операционный усилитель, в эмиттерную цепь транзистора, который соединен через резистор с инвертируют шим входом операционного усилителя, введен эталонный резистор, связанный с неинвертирующим входом операционного усилителя, выход которого соединен с

10 усилителем мощности, связанным с базовой цепью входного транзистора 2 .

Недостатком данного устройства является сложность схемы и наличие внещних источников питания.

15

Цель изобретения - упрощение.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство для моделирования би-. полярного транз1й;тора, содержащее первый транзистор и переменный резистор

20 введен второй тр&нзистор, при этом выводы переменного резистора подключены к базам обоих транзисторов соответственно, эмиттеры транзисторов объединены 39 и являются эмиттерным входом устройства, база первого транзистора соединен с коллектором второго транзистора и яв ляется базовым входом устройства, а коллектор первого транзистора является коллекторным входом устройства. На чертеже представлена схема устройства для моделирования биполярного транзистора. Устройство состоит из первого транзистора 1, в базовую цепь которого вкл чен переменный резистор 2, одновременно включенный в базовую цепь второго транзистора 3, эмиттеры транзис. 1 и 3 объединены и являются эмиттерным одом устройства (Э), база транзистора 1 соединена с коллектором транзистора 3 и является базовым входом устройства (Б), коллектор транзистора 1 является коллекторным входом устройства (К). Устройство работает следующим образом. Для быстрого исследования поведения радиоэлектронных устройств в специальных условиях достаточно изменять усилительные свойства транзистора от номинальных значений до минимальных, что соответствует различным дозам облучения. Входной ток устройства 36f является суммой трех токов Оц, (bif, Промежуток коллектор-эмиттер транзистора 3 предсагавляет собой генератор тока, величина которого saiBHCHTb от 3 , а следовательно, от величины сопротивления резистора 2. Таким образом, при подаче на базовый вход тока , велзиина коллекторного тока Jj транзистора 1 будет также зависеть от величины сопротивления резистора 2. Отношение J|/ к Э есть коэффишент усилени по току В устройства. При сопротивлени 6 резистора 2, стремящемся к со токи 31 и Зц стремятся к нулю, следовательно, 3(j ,и Б устройства равен значению коэффициента усиления по току транзистора 1. При/уменьшении сопротивления резистора 2 ток базы транзистора 1 по сравнению с входным током устройства уменьшается, следовательно, уменьшается и 3ц , что со стороны внешних зажимов устройства эквивалентно уменьшению Б. Преимуществом предлагаемого устройства 1голяется отсутствие внешних дополнительных источников питания, простота изготовления и эксплуатации. Для создания модели могут быть использованы серийные, транзисторы. Формула изобр е н и я Устройство для моделирования биполярного транзистора, содержащее первый транзистор, и переменный резистор, о т лишающееся тем, что, с целью упрощения, в него введен второй транзистор, при этом выводы переменного резистора подключены к базам обоих транзисторов соответственно, эмиттеры транзисторов объединены и 5юляются эмиттерным. входом устройства, база первого транзистора соединена с коллектором второго транзистора и является базовым входом устройства, а коллектор первого транзистора является коллекторным входом устройства. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторские свидетельство СССР № 631944, кл. Q06Q 7/62, 1977. 2.Авторское свидетельство СССР по,заявке № 2822923/27, кл, Н О1 U 29/7О, 1979,