Способ растрирования электрофотографического прозрачного микроизображения Советский патент 1988 года по МПК G03G16/00 

со

00

113

Изобретение относится к микрофнль мированию, в частности к фотографии, электрофотографии, фототермопластики занимающихся регистрацией уменьшенных изображений.

Цель изобретения - улучшение качества изображения путем устранения непосредственного контакта оптического растра с прозрачным ьшкроизображе ниеМо

Сущность изобретения состоит в следующем

Со стороны подложки.электрофотогрфического материала помещают опти- ческий растр, который выполнен фазовым, и экспонируют его. При этом для экспонирования растровой структуры до, во время или после экспонирования основного изображения применяю источники света с таким угловым размером относительно фокусирующих фазовых элементов растра, чтобы изображение источника света в фокальной плоскости этих элементов не правое- ходило хл(где А - период фазового растра, К 1 - отношение ширины темных элементов растра к ширине светлых элементов)„ Изменяя угловой размер источника света относительно фа-

зового растра путем изменения его расстояния до указанного растра можно оперативно изменять значение К, добиваясь требуемого соотношения ши- рии элементов растровой структуры. Высокая разрешающая способность и однородность фазового растра обеспечивается тем, что его получают на светочувствительном матернате, в частности на фототермопластическом материале, путем записи на нем голограммы на несущей частоте, соответствующей частоте микроструктуры, В частном случае это может быть голограмма, которую получают при записи двух скрещенных когерентных плоских волн.В этом случае образуется линейчатый фазовый растр с периодом Л , определяемым углом, под которым скодятся плоские волны. В этом случае в растриропанном изображении могут иметь место муаровые эффекты. Для их устранения при формировании фазового растра используют интерференцию опорного и предметного пучков, т,е, записывают реальную голограмг-fy Френеля, в которой нет четкого направления интерференционных полос, ка в линейчатом растре.

II р и м е р о Для регистрации уменьшенного в 21х изображения журнального текста используют фототермопластический материал ФТПП-М2, В1шючающий металлизированную лавсановую подложку толщиной 175 мм (п 1,6) и фототермопластический слой толщиной d 4мкм на основе ПВК и сополимера стирола с дивинилом. Наилучшие деформационные свойства ФТПС имеет на частоте квазирезонанса

1000 ,„,- -1/г,

о7 125 Mh5 , а частоты ниже 40- Ла.

50 ФТПС практически не передает, В регистрируемом изображении имеются линии различной щирины в диапазоне 15-100 мкм, которые нельзя зарегистрировать без растрирования, Для этого на таком же ФТПС регистрируют голограмму двух плоских когерентных волн (лазер ЛГ-52), в результате проявления которой на поверхности фототермопластического материала образуется рельеф, соответствую- ццш растру с частотой 100 мм и глубиной 0,5 мкм. Получают фазовый растр с элементами, фокусирующими световой поток в плоскости, отстоящей от фазового растра на расстояние f - 100 мкм в воздухе (или на рассто п 100 мкм 160мкм в лавсане). Фазовы рельеф нлотно прижимают к подложке с помощью узла электростатической сенсибилизации до напряжения 250 В Далее экспонируют растровую структуру до снижения среднего потенциала до 180В, а затем экспонируют изображение журнальной страницы до снижеп НИН потенциала до 100В, Полученное изображение проявляют импульсным инфракрасным блоком проявлега-1я мощ- и-остыо 1 Дж/см за время 0,8 с„ Для экспонирования растра используют лампу накаливания 70 Вт с размером тела накала 5 мм. При расстоянии от фазового растра 100 мм ширина светлых и темных элементов практически соппадает, так что при проявлении регистрирующего материала на нем образуется растр симметричной С1рукту- ры глубиной 0,6 мкм на темных элементах записываемого изображения. Удаляя источник от фазового растра, можно формировать на фототермопластическом материале несимметричный растр, который имеет лучшие деформационные свойства и позволяет увели313814174

чить глубину фазового рельефа дос я тем, что, с целью улучшения ка1 мкм.чества изображения путем устранения

непосредственного контакта оптичесФормула изобретения кого растра с прозрачным микроизобраСпособ растрирования электрофото-жением,растрирование осуществляют со графического прозрачного микроизоб-стороны подложки электрофотографичес- ражения, включающий экспонированиекого материала световым потоком с микроизображения на электрофотографи-изменяемой апертурой, при этом растр ческий материал с одновременным его |Qвыполнен фазовым иа прозрачном фоторастрированием световым потоком черезтермопластическом материале и обра- оптический растр, отличающий-щен рельефом к подложке

Изобретение относится к способу растрирования электрофотографичес- кого прозрачного мнкроизображения. Позволяет улучшить качество изображения путем устранения непосредственного контакта оптического растра с прозрачным микроизображением. Раст- pHpoBaHiie осуществляют со стороны подложки электрофотографического материала. Растр выполнен фазовым на прозрачном фототермопластическом материале. При растрировании растр обращен рельефом к подложке. Для растрирования и экспонирования используют световой поток с изменяемой апертурой. (О