Фотодиод Советский патент 1986 года по МПК H01L31/06 

Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам оптического излучения.

Цель изобретения - улучшение пороговой чувствительности фотодиода за счет снижения темнового тока.

На чертеже изображена структура; предлагаемого фотодиода.

Фотодиод содержит полупроводниковый кристалл 1, в котором вьтолнен р-п-переход 2, слой диэлектрика 3, кольцевой полевой электрод 4, выполненный в виде двух концентрических элементов 5 и 6, разделенных промежутком 7, электрическое выводы от элементов полевых электродов 8 и 9, электрические вьйоды от р до п областей 10 и 11.

1

Пример. В фотодиоде, структура которого изображена на фиг. 1, полупроводниковый кристалл из кремния п-типа проводимости с удельным сопротивлением 20 Ом.см, диэлектрик двуокись кремния, элементы полевого электрода вьтолнена из поликремния и

разделены слоем двуокиси кремния, полученной окислением поликремния одного из элементов полевого электрода. Величина з.азора между элементами полевого электрода равна 0,1 мкм.

Формула изобретения

Фотодиод на основе полупроводникового кристалла, содержащий р-п-переход и размещенные над выходом р-п- перехода на поверхность диэлектрическую пленку и полевой электрод, отличающийся тем, что, с целью повьшения пороговой чувстви- тёльности за счет снижения темново-. го тока, полевой электрод вьшолнен в виде двух концентрических элементов с зазором между ними, ширина которого не менее величины, обеспечивающей электрическую изоляцию между элементами,, и не более ширины области объемного заряда в месте выхода р-п-пере- хода на поверхность кристалла, при ЭТОМ каждый элемент снабжен электрическим вьтодом.

Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам оптического излучения. Целью изобретения является повышение пороговой чувствительности фотодиода за счет снижения темнового тока. Фотодиод выполнен на основе полупроводникового кристалла. Он содержит р-п- переход, полевой электрод и диэлект - рическую пленку. Пленка размещена над выходом р-п перехода на поверхность. Полевой электрод вьтолнен в виде двух концентрических элементов с зазором между ними. Ширина зазора не более ширины области объемного заряда в месте выхода р-п-перехода на поверхность. Каждый элемент снабжен электрическим выводом. 1 ил. (Л с ьр СП О) о 00

S. 1 т я в

У у/ у/ // //

003

Редактор А. Сабо

Составитель П. Бирюлин

Техред А.Кравчук Корректор Л. Пилипенко

Заказ 4831/52Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

л

/ //