СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ Советский патент 1996 года по МПК H01L21/66 

Описание патента на изобретение SU1268015A1

Изобретение относится к полупроводниковой технике может быть использовано для определения кристаллографической неоднородности тонких пластин сульфида кадмия.

Цель изобретения обеспечение определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышение экспрессности и достоверности.

П р и м е р 1. Определяют кристаллографическую неоднородность тонких кристаллических пластинок CdS. Образцы помещают в диэлектрическую жидкость. Стримерные разряды возбуждают импульсами напряжения 2 кВ, частотой 5 Гц, крутизной фронта импульса поля 1016 В/см·с в нескольких участках образца путем перемещения электрода. Диэлектрическая жидкость этилацетат. На всех участках образца на фоне разрядов, образующих с осью углы 43о и 47о (типа 1), наблюдают разряды, образующие с осью углы 85о и 97о (типа 2). Ориентация образцов соответствует100} а сами образцы являются кристаллографически однородными.

П р и м е р 2. Определяют кристаллографическую неоднородность тонких пластинок CdS. Стримерные разряды возбуждают импульсами напряжения 2,7 кВ, частотой 1 Гц, крутизной фронта импульса поля 1,3·1016 В/см·с в нескольких участках образца путем перемещения электрода. Диэлектрическая жидкость трансформаторное масло. На всех участках пластины разряды типа 2 отсутствуют, что указывает кристаллографическую однородность образцов и их ориентацию в плоскости110}
П р и м е р 3. Определяют кристаллографическую неоднородность пластинок CdS. Стримерные разряды возбуждают импульсами 5 кВ, частотой 10 Гц, крутизной фронта импульса поля 2·1016 В/см·с в нескольких участках образца путем перемещения иглового электрода. Диэлектрическая жидкость этилацетат. На одних участках образца разряды типа 2 наблюдаются, на других отсутствуют. В первом случае участок соответствует плоскости100} во втором плоскости110} Образцы кристаллографически неоднородны.

П р и м е р 4. Определяют кристаллографическую неоднородность тонких пластинок CdS. Разряды возбуждают импульсами напряжения 4 кВ, частотой 50 Гц, крутизной фронта импульса поля 1,8·1016 В/см·с в нескольких участках образца путем перемещения электрода. Диэлектрическая жидкость четыреххлористой углерод. Стримеры не возникают или имеют разветвленную структуру. Поверхность всех этих образцов разориентирована относительно плоскости100} и 110} а образцы не являются кристаллографически однородными.

Похожие патенты SU1268015A1

название год авторы номер документа
Способ определения кристаллографической полярности поверхностей полупроводников 1982
  • Грибковский В.П.
  • Зубрицкий В.В.
  • Яблонский Г.П.
SU1045785A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ 1986
  • Гладыщук А.А.
  • Грибковский В.П.
  • Парашук В.В.
  • Яблонский Г.П.
SU1491271A1
ФОКОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕКТРОРАЗРЯДНЫЙ ЛАЗЕР 2013
  • Насибов Александр Сергеевич
  • Баграмов Владимир Георгиевич
  • Бережной Константин Викторович
  • Шапкин Петр Васильевич
RU2541417C1
ЛАЗЕР 1986
  • Гурский А.Л.
SU1356927A1
Лазер 1979
  • Насибов А.С.
  • Обидин А.З.
  • Печенов А.Н.
  • Попов Ю.М.
  • Фролов В.А.
SU807962A1
НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1991
  • Яблонский Г.П.
  • Гладыщук А.А.
  • Зыкова Т.Л.
  • Ракович Ю.П.
RU2018193C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРАВЛЕНИЯ ПОЛЯРНОЙ ОСИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ 1990
  • Гурский А.Л.
  • Луценко Е.В.
  • Трухан В.М.
  • Яблонский Г.П.
  • Якимович В.Н.
RU2022403C1
Способ управления излучением стримеров 1976
  • Грибковский В.П.
  • Паращук В.В.
  • Яблонский Г.П.
SU578672A1
Способ возбуждения заданного типа стримерного разряда в гексагональных полупроводниках 1990
  • Грибковский Виктор Павлович
  • Русаков Константин Иванович
  • Паращук Валентин Владимирович
SU1755336A1
Способ легирования полупроводниковых соединений типа АВ 1989
  • Зубрицкий Владимир Вячеславович
SU1756393A1

Реферат патента 1996 года СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 1016 В/см • с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии кристаллографических неоднородностей судят по наличию стримеров, образующих углы 85 - 97o с кристаллографической осью образца.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют импульсы напряжения, следующие с частотой 1 - 50 Гц.

Формула изобретения SU 1 268 015 A1

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 1016 В/см • с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии кристаллографических неоднородностей судят по наличию стримеров, образующих углы 85 - 97o с кристаллографической осью образца. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют импульсы напряжения, следующие с частотой 1 - 50 Гц.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года SU1268015A1

Мильбурн Г
Рентгеновская кристаллография
М.: Мир, 1975, с.25
Способ определения ориентации полупроводниковых кристаллов 1976
  • Грибковский В.П.
  • Паращук В.В.
  • Яблонский Г.П.
SU574011A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 268 015 A1

Авторы

Грибковский В.П.

Гладыщук А.А.

Гурский А.Л.

Паращук В.В.

Яблонский Г.П.

Пендюр С.А.

Таленский О.Н.

Даты

1996-02-10Публикация

1985-01-04Подача