Способ коррекции фотошаблона теневой маски для цветной электронно-лучевой трубки Советский патент 1986 года по МПК G03F3/06 

Изобретение относится к фотографии, а более конкретно к способам коррекции скрытых фотографических изображений на фотошаблоне при изго товлении теневой маски для цветной электронно-лучевой трубки, и может найти применение в электронной и радиоэлектронной промышленности. Целью изобретения является повышение качества фотошаблона путем ко рекции его по параметру убывания прозрачности от центра к периферии На фиг. 1 изображены оси направлений производимых замеров прозрач ности; на фиг. 2 - график кривых ра пределения прозрачности теневой мас ки от центра к периферии по оси 0180 ; на фиг. 3 - кривая зависимост отклонения прозрачности от величины освещенности. Сущность способа заключается в том, что помещением светофильтра, имеющего области затемнения, между источником света и объектом фотоэкспонирования добиваются изменения размеров скрытого фотографического изображения в зонах отклонения от допустимых параметров, что увеличивает выход годных масок на 0,5-1,0% и повьпнает их качество. Пример. Изготовленную с помощью фотошаблона апертурную теневую маску для цветного масочного ки нескопа с диагональю экрана 61 см исследуют по осям 0-180°, 90-270, 54-234°, 126-306° (фиг. 1) на прозрачность с помощью денситометра в следующей последовательности: шаг проводимых замеров 5 мм, диаметр диафрагмы фотопреобразователя 10 мм калибровочное число измерит ьного прибора 1000, разрешающая способность цифрового вольтметра 0,1%. По полученным замерам строят графики убывания прозрачности от центра к периферии по четьгрем осям и сравнивают с теоретически рассчитанным по формуле (фиг. 2, кривые 1).. А 1,70162-10 (d - 1,310-Зх «r2) прозрачность маски, л, диаметр отверстия в центре маски (346±10) мкм, расстояние от центра маски до области, в которой прои водят замеры, мм. В областях маски.(фотошаблона), отстоящих от центра на г мм, имеются отклонения от теоретически рассчитанного закона убывания (фиг. 2, кривая 2), На прозрачное стекло (светофильтр), имеющее размеры фотошаблона, с помощью аэрографа наносят полупрозрачный слой черной краски, таким образом затемняя выявленные в результате описанных исследований области, в которых величина прозрачности выходит за поле допуска (фиг. 2, кривая 1). Методика и способ определения интенсивности затемнения областей светофильтра следующая. В результате исследований была получена характеристическая кривая зависимости прозрачности (как интегральной характеристики изменения размеров элементов структуры эмульсионного фотошаблона) от величины экспозиции. В частном случае для маски прозрачность - это отношение площади всех отверстий к площади рабочей поверхности маски. Поскольку экспозиция определяется как произведение освещенности на время освещения Н E«t, то при t const экспозиция зависит от освещенности и, следовательно, прозрачность полученного фотошаблона зависит от величины освещенности Е в интересующих нас областях в момент экспозиции. Используя кривую фиг. 3 и зная отклонения прозрачности А в данной области фотошаблона от теоретической, определяем величину изменения освещенности Е в данной области фотопластины во время ее экспозиции .ЛА А - А, где л А - величина отклонения прозрачности, %; А - действительная прозрачность в измеряемой области, %, А - теоретически рассчитанная прозрачность, %. Под прозрачную стеклянную пластину (светофильтр), совмещенную с оригиналом фотошаблона, устанавливается приемник фотометра (наприиер, люксметр Ю-116) и определяется освещенность данной области. Запыляя этот участок светс4)Ш1ьтра полупрозрачным слоем краски, уменьшают освещенность найденную с помощью на величину; фиг. 3. Полученный светофильтр устанавли вают на раму (на расстоянии 40 мм от оригинала), закрывая им оригинал соприкасающийся с фотопластиной, ра личные участки которой в процессе экспонирования засвечиваются неодинаково. Дал ее фотопластину проявляю при Т 20 ± 0,5°С в течение 200 с. Затем фотопластину фиксируют, промы вают и подвергают сушке при 120С. В результате получается откоррек тированный по параметру убывания прозрачности от центра к периферии фотошаблон. Фотошаблон устанавливают на техн логическую линию для получения тене вой маски с распределением закона убьшания прозрачности , от. центра к периферии, блиЗКЮ4 к теоретическому фиг. 2, кривая 3 .

Ось f26

Ч

к

Ось 30

OcbSfy

/

Л 94 Формула изобретенн Способ коррекции фотошаблона теневой маски для цветной электроннолучевой трубки, включающий экспониpoBakiie оригинала через пространст-. венный яркостной светофильтр на. фотопластину и ее последующую фотохимическую обработку, отличающийся тем, что, с целью повьшгения качества фотошаблона путем коррекции его по параметру убывания прозрачности от центра к периферии, при изготовлении пространственного светофильтра измеряют изменение прозрачности теневой от центра к периферии по четьфем осям, вычисляют отклонение измеренных значений от теоретически рассчитанных, по по-, лученным значениям с помощью зависимости отклонения прозрачности от величины изменения освещенности определяют последнюю и затемняют прозрачную стеклянную пластину на участках отклрнения прозрачности, уменьшая освещенность этих участков за фотошаблоном со светофильтром на найденную величину.

Изобретение относится к фотографии и позволяет повысить качество фотошаблона путем коррекции его по параметрам убывания прозрачности от центра к периферии. Апертурную теневую маску исследуют по четырем осям на прозрачность. По замерам строят графики убывания прозрачности от центра к периферии и сравнивают с теоретическими расчетами. На прозрачном светофильтре с размерами фотошаблона затемняют области, в которых величина прозрачности выходит за поле допуска. Светофильтр устанавливают на раму, закрывая им оригинал фотошаблона, соприкасающийся с топластиной. При экспонировании разсл личные участки фотопластины засвечиваются неодинаково. После проявления фотопластину фиксируют, промывают и сушат. 3 ил. ю ел со СП

IBff

Ось о

23

306

270 Фиг.1 r.HHlSO 135 120 105 3D 75 60 ifS 30

S 6o To т 120 т т .пк

Фиг.З 15 0 15 Jff «J SO 15 30 W5 120 135150 Пмм 9иг.2