Накопитель для запоминающего устройства Советский патент 1986 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении устройств хра нения дискретной информации. Цель изобретения - повьшение отказоустойчивости накопителя для запоминающего устройства. На чертеже изображена принципиал ная схема предлагаемого накопителя. Накопитель для запоминающего уст ройства содержит слой 1 магнитоодно осного материала с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД) 2, на поверхности которого расположены регистры 3 хранения информации, взаимосвязанные через основной регистр 4 ввода информации с основным генератором 5 ЦМД и через дополнительны регистры 6 ввода информации - с дополнительными генераторами 7 ЦМД. Регистры 3 хранения информации связаны также через переключатели-репликаторы 8 ЦМД с основным 9 и допол нительными 10 регистрами вывода информации, которые соединены с элементом 11 считывания ЦМД, Регистры 4 и 6 ввода информации магнитосвязаны с соответствукщими аннигиляторами 12 ЦМД. Предлагаемьй накопитель работает следующим образом. При записи управляющие сигналы в виде импульса тока поступают на выводы основного 5 и дополнительных 7 генераторов ЦМД в соответствии со значением разрядов записываемого сло ва данных. Слойо данных вводится в основной 4 и дополнительные 6 регист ры ВЕюда. При этом в токопроЬодящую шину аннигиляторов 12 ЦМД подаются импульсы тока, уничтожающие (k-1) разрядов слова данных в каждом i-м регистре 6 ввода (). При поступл€ нии разряда а в (k-1)-и дополнительный регистр 6 ввода импульсы тока в токопроводящую шину аннигилятора не подаются и осуществляется па раллельный ввод слова данных из основного 4 и дополнительных 6 регистров ввода информации в регистры 3 хранения информации. При считывании информации слово данных, продвигаясь по регистрам 3 хранения информации, попадает в переключатели-репликаторы 8 ЦМД и переводится импульсом тока отрицатель ной полярности, посьшаемым в токопроводящую шину переключателей-реп382ликаторов В ЦМД из регистров хранения информации в основной 9 и дополнйтельные 10 регистры вывода ЦМД. Разряды считанного блока последовательно поступают в элемент 11 считывания ЦМД за счет того, что разрядность каждого i-ro дополнительного регистра 10 вывода ЦМД больше разрядности основного регистра 7вьгаода ЦВД на (k-i) разрядов. Формула изобретения Накопитель для запоминающего устройства, содержащий слой магнитоодноосного материала, на поверхности которого расположены регистры хранения информации, основной регистр ввода информации, соединенный с основным генератором цилиндрических магнитных доменов, основной регистр вывода информации, соединенный с элементом считывания цилиндрических магнитных доменов, и переключатели-репликаторы цилиндрических магнитных доменов, отличающийся тем, что, с целью повьш1ения отказоустойчивости он содержит (k-1) допол нительных регистров ввода информации, где k - разрядность страницы информации, (k-1) дополнительных регистров вывода информации, (k-1) дополнительных генераторов цилиндрических магнитных доменов и k аннигиляторов цилиндрических магнитных доменов, один регистр хранения информации соединен с основным, а другие регистры хранения информации - соответственно с одним из дополнительных регистров ввода информации и через переключатели-репликаторы цилиндрических магнитных доменов - соответственно с одним из дополнительных регистров вывода информации, каждый дополнительный регистр ввода информации соединен с соответствующим дополнительным генератором цилиндрических магнитных доменов, а каждый дополнительный регистр вывода информации соединен с элементом считывания цилиндрических магнитных доменов, основной и каждый из дополнительных регистров ввода информации магнитосвязан с соответствующим аннигилятором цилиндрических магнитных доменов, причем разрядность каждого i-ro дополнительного регистра ввода информации, , больше разрядности основного регист312755384

pa на L разрядов, разрядность каждо- дов, а дополнительные генераторы циго i-ro регистра вьгеода информации линдрических магнитных доменов соедибольше разрядности основного регист- нены последовательно с основным генера вывода информации на (k-i) разря- ратором..

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации,Целью изобретения является повышение отказоустойчивости накопителя для запо. минающего устройства. Накопитель для запоминающего устройства содержит слой магнитоодноосного материала с цилиндрическими 4arнитными доменами (ЦМД), на поверхности которого расположены регистры хранения информации, взаимосвязанные через основной регистр ввода информации с основным генератором ЦЬЩ и через дополнительные регистры ввода информации - с дополнительными генераторами ЦМД. Регистры зфанения информации свАзаны также через переключатели-репликаторы ЦМД с основными и дополнительными регистрами вйвода информации, коi торые соединены с элементом считывания ЦМД. Регистры ввода информации магнитосвязаны с соответствующими С аннигиляторами. 1 ил.

DDD