Изобретение относится к измери- тельной технике, а именно к датчикам механических величин, и может быть использовано в преобразователях механических и акустических давлений в электрический сигнал.
Целью изобретения является упрощение технологии изготовления.
Способ изготовления тензопреоб- разователя осуществляют следующим образом.
Вырезают полупроводниковую пластину, ориентированную в плоскости jlOO. Производят определение базового кристаллографического направления 1103, например, методом скола, или по геометрии фигур травления, или методом световых фигур. Наносят сначала сплошной металлический слой, затем слой фоторезиста. После этого поворачивают ось фотошаблона, параллельную созданному на нем рисунку токовых контактов и перпендикулярную оси, на которой расположены потенциальные контакты от базового направления в любую сторону на угол 22,5° для плоскости (lOOJ. Создают токовые и потенциальные контакты, например засвечивают нанесенный предварительно фоторезист через фотошаблон и проявляют его, затем травят металлическую пленку, формируя таким образом металлические площадки под контакты, и производят их вжйгание для получения в заданных местах омических контактов. Далее придают определенную форму и толщину тенз опреобразователю, например шлифуют полупроводниковую пластину до толщины примерно в два раза больше требуемой. Наносят сплошным слоем пицеин через металлическую маску с отверстиями, которые задают внешнюю геометрическую форму тензопреоб- разователя, расплавляя его паяльником, термически испаряя в вакууме, при этом надежно закрывая пицеином токовые и потенциальные контакты. Затем снимают маску и опускают полуРедактор А.Лежнина
Составитель О.Полев
Техред А.Кравчук Корректор С.Черни
.Заказ 7890/36 Тираж 799 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д,4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул,Проектная54
5
0
5
0
5
0
5
n
проводниковую пластину (с нанесенным на нее пицеином в определенном мес- те) в химический травитель и травят ее до получения необходимой для тен- зопреобразователя толщины.
Формирование таким образом формы и толщины тензопреобразователя позволяет улучшить стабильность его рабочих характеристик, так как не происходит образование дефектов и дислокаций, которые образуются при механической резке и влияют на временную стабильность параметров. Представляется возможность варьирования толщиной тензопреобразователя, что важно при его практическом использовании.
Групповой способ изготовления тен- зопреобразователей осуществляется аналогично способу изготовления единичного тензопреобразователя, необходимо только мультиплицировать рисунок на фотошаблоне. Разделение пластины с п элементами осуществляется путем защиты пицеином каждого и дальнейшего травления до разделения пластины на отдельные тензопреобразова- тели.
Формула изобретения
Способ изготовления тензопреобразователя давления, включающий выпол- нение полупроводниковой .пластины в плоскости 5 в которой выбирают базовое кристалло1 рафическое направление, после чего ориентируют продольную ось тензопреобразователя от- .носительно него, формируют токовые и потенциальные контакты и придают тензопреобразователю определенные форму и толщину, отличающий- с я тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, в качестве базового выбирают кристаллографическое направление 110, после чего ориентируют от этого направления продольную ось тензопреобразователя .в любую сторону на угол 22,5° в плоскости пластины.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления полупроводникового тензопреобразователя с раздельными цепями питания и измерения | 1987 |
|
SU1493890A1 |
Способ формирования плат микроструктурных устройств со сквозными металлизированными отверстиями на монокристаллических кремниевых подложках | 2018 |
|
RU2676240C1 |
Тензопреобразователь давления с раздельными цепями питания и измерения | 1986 |
|
SU1408262A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С Т-ОБРАЗНЫМ УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ | 2010 |
|
RU2421848C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПРИБОРА НА ЭФФЕКТЕ ГАННА С КАТОДОМ С ОГРАНИЧЕННОЙ ИНЖЕКЦИЕЙ ТОКА | 1992 |
|
RU2061277C1 |
НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2022 |
|
RU2808137C1 |
Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом | 2018 |
|
RU2674405C1 |
Способ изготовления планарного лавинного фотодиода | 2016 |
|
RU2654386C1 |
Способ изготовления малогабаритной атомной ячейки с парами щелочного металла | 2023 |
|
RU2819863C1 |
Способ изготовления упругих элементов микромеханических датчиков | 2016 |
|
RU2648287C1 |
Изобретение относится к измерительной технике и позволяет упростить технологию изготовления.В полупроводниковой пластине, ориентированной в плоскости lOOl , определяют базовое кристаллографическое направление 110 , После нанесения на пластину металлического и фото- резнстивного слоев поворачивают продольную ось тензопреобразователя в любую сторону на угол 22,5 от базового направления. Создают токовые и потенциальные контакты и придают тензопреобразователю необходи- мую форму и толщину, подвергая пластину с нанесенным на нее в определенном месте пицеином химическому травлению. с (Л С ю со
Ваганов В.И, Интегральные тен- зопреобразователи | |||
М.: Энергоатом- издат, 1979 | |||
Гридчин В.А | |||
и др | |||
Интегральный тензопреобразователь на поперечной тензоЭДС | |||
- Физика и техника полупроводников | |||
Труды / НЭТИ, Новосибирск, 1976. |
Авторы
Даты
1987-02-15—Публикация
1984-08-06—Подача