Составной транзистор Советский патент 1987 года по МПК H03F3/18 

1129

Изобретение относится к усилительной технике и может быть использовано в качестве усилительного элемента для построения инерционных звеньев второго порядка.

Целью изобретения является уменьшение паразитной емкости между базой и коллектором составного транзистора, а также повьшение устойчивости.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема составного транзистора.

Составной транзистор содержит первый, второй и третий транзисторы 1-3, резистор 4, четвертый транзистор 5, элемент 6 смещения, элемент 7 стабилизации, первую и вторую корректирующие цепи 8 и 9.

Составной транзистор работает следующим образом.

Эмиттерный ток составного транзистора I , задаваемый внещними элементами смещения, перераспределяется в соответствии с соотношением

1:,

I-.,

где I

Учитывая, что прямое падение напряжения на переходе база - эмиттер 20 транзистора меняется незначительно с изменением режимного тока, считается, что изменения потенциала на базе составного транзистора практически точно повторяются на коллекторе первого 25 транзистора 1. При этом значительно уменьшается составляющая тока через емкость перехода база - коллектор первого транзистора 1, что эквивалентно существенному уменьшению парао. 1-3 эмиттерные токи перво- ,„ с,

„„ 1 „ „„„ т 30 зитнои емкости база - коллектор соего 1 и второго 2 транзисторов;

и g - прямое падение напряжения на переходе база - эмиттер второго транзистора 2;

Кд - сопротивление резистора 4.

Ток коллектора третьего транзистора 3 связан с током 1 коллектора первого транзистора 1 и с базовым током 1 второго транзистора 2, соответственно, следующими формулами:

I,

КЗ

- В, 1ц,;

тавного транзистора. Кроме того, из- за фиксации напряжения коллектор - эмиттер первого -Транзистора 1 возрастает .дифференциальное сопротивление его коллекторного перехода и соответствующее сопротивление составного транзистора. В результате при использовании составного транзистора в схеме с общим коллектором существенно повьппается входной импеданс повторителя напряжения, а в схеме с общим эмиттером - коэффициент усиления по напряжению.

Для увеличения устойчивости схем j на составном транзисторе в него введены первая и вторая корректирующие цепи 8 и 9, которые представляют собой, как правило, ту или иную комбинацию резисторов и конденсаторов. В35

40

I

52

+ УЬа R,

Для увеличения устойчивости схем j на составном транзисторе в него введены первая и вторая корректирующие цепи 8 и 9, которые представляют собой, как правило, ту или иную комбинацию резисторов и конденсаторов. Вгде Bj - коэффициент передачи тока

базы третьего транзистора 3. Элемент 7 стабилизации обеспечива- 50 простейшем случае одна корректирую- ет стабильность включения составного Щая цепь может быть выполнена в виде транзистора, задавая иекий начальный (незначительный) ток в базу четвертопоследовательной КС-цепи,тогда другая -в виде интегрирующего конденсатора. В частности , при использовании составного транзистора в звеньях второго порядка первая 8 и вторая 9 корректирующие цепи обеспечивают получение двухполюсной передаточной функции схемы.

го транзистора 5 при включении источника питания. Элемент 7 может быть выполнен, например, в виде резистора. Величина коллекторного потенциала первого транзистора 1 может быть записана в виде соотношения

UK, %, -UH,, U5,,UcM-%,4. где U(

U,

US,4

и

CM

5

потенциал на базе первого транзистора 1; прямые падения напряжения на переходах база - эмиттер, соответственно, первого и четвертого транзисторов 1 и 5; падение напряжения на элементе 6 смещения (в качестве эле- М(5нта 6 может быть использован, например, диод или стабилитрон) .

Учитывая, что прямое падение напряжения на переходе база - эмиттер 0 транзистора меняется незначительно с изменением режимного тока, считается, что изменения потенциала на базе составного транзистора практически точно повторяются на коллекторе первого 5 транзистора 1. При этом значительно уменьшается составляющая тока через емкость перехода база - коллектор первого транзистора 1, что эквивалентно существенному уменьшению пара,„ с,

тавного транзистора. Кроме того, из- за фиксации напряжения коллектор - эмиттер первого -Транзистора 1 возрастает .дифференциальное сопротивление его коллекторного перехода и соответствующее сопротивление составного транзистора. В результате при использовании составного транзистора в схеме с общим коллектором существенно повьппается входной импеданс повторителя напряжения, а в схеме с общим эмиттером - коэффициент усиления по напряжению.

Для увеличения устойчивости схем j на составном транзисторе в него введены первая и вторая корректирующие цепи 8 и 9, которые представляют собой, как правило, ту или иную комбинацию резисторов и конденсаторов. В35

40

50 простейшем случае одна корректирую- Щая цепь может быть выполнена в виде

простейшем случае одна корректирую- Щая цепь может быть выполнена в виде

последовательной КС-цепи,тогда другая -в виде интегрирующего конденсатора. В частности , при использовании составного транзистора в звеньях второго порядка первая 8 и вторая 9 корректирующие цепи обеспечивают получение двухполюсной передаточной функции схемы.

Формула изобретения

1. Составной транзистор, содержащий первый и второй транзисторы од- иой структуры и третий транзистор другой структуры, при этом база и эмиттер первого транзистора .являются соответственно- базой и эмиттером, а коллектор второго - коллектором составного транзистора, эмиттеры пер вого и третьего транзисторов соединены соответственно с эмиттером и коллектором второго транзистора, между базой и эмиттером второго транзистора включен резистор, отличающийся тем, что, с целью уменьшения паразитной емкости между базой и коллектором составного транзистора, в него введен четвертый транзистор, структура которого совпадает со

-

Редактор Л.Повхан Заказ 395/58

Составитель П.Дик Техред Л. Сердюкова

Корректор

Тираж 902Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раущская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

38264

структурой первого транзистора, причем эмиттер и база четвертого транзистора соединены соответственно с коллектором первого и коллектором третьего транзисторов, коллектор четвертого транзистора соединен с базой третьего транзистора, между базами второго и четвертого транзисторов включен элемент смещения, а О между базой четвертого и коллектором второго - элемент стабилизации.

2. Транзистор по п.1, о т л и - чаю щийся тем, что, с целью повьппения устойчивости, между базой и эмиттером второго транзистора включена первая корректирунщая цепь, а между базой и эмиттером третьего транзистора - вторая корректирующая чепь.

Корректор Г. Решетник

Изобретение относится к усилительной технике. Цель изобретения - уменьшение паразитной емкости между «-ь базой и коллектором составного транзистора (Т) и повышение его устойчивости. Составной Т содержит четыре Т 1, 2, 3 и 5, резистор 4, элемент 6 смещения, элемент 7 стабилизации и две корректирующие цепи (КЦ) 8 и 9. Введение Т 5 и элементов 6 и 7 в составной Т значительно уменьшает составляющую тока через емкость перехода база-коллектор Т 1, что эквивалентно существенному уменьшению паразитной емкости база - коллектор составного Т. Составной Т по п.2 ф-лы отличается введением КЦ 8 и 9, представляющих собой комбинации резисторов и конденсаторов, с помощью которых увеличивается устойчивость схем на составном Т. 1 з.п. А-лы, I ил. с (Л 00 00