СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДАВЛЕНИЯ Советский патент 2005 года по МПК G01L9/04 

Похожие патенты SU1294078A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления интегральных кремниевых механоэлектрических преобразователей 1991
  • Ваганов Владимир Иванович
  • Пряхин Геннадий Дмитриевич
SU1783595A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДАТЧИКА ГАЗОВ 1994
  • Скупов В.Д.
  • Смолин В.К.
RU2065602C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2007
  • Володин Николай Михайлович
RU2346250C1
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ 1996
  • Тимофеев Г.Д.
  • Адаскин М.Г.
  • Востоков П.В.
  • Панферов А.А.
RU2097721C1
Интегральный микромеханический гироскоп 2021
  • Лысенко Игорь Евгеньевич
  • Науменко Данил Валерьевич
  • Синютин Сергей Алексеевич
  • Ежова Ольга Александровна
RU2778622C1
Оптический сенсор на основе плазмон-индуцированной прозрачности и Фано-резонансов 2021
  • Окунев Владимир Олегович
RU2770648C1
ПЛАЗМОННЫЙ ФОТОДЕТЕКТОР 2023
  • Федоров Александр Семенович
RU2826383C1
Устройство для измерения параметров объектов 1988
  • Бурлий Петр Васильевич
  • Капулло Лидия Николаевна
  • Кучеров Иван Яковлевич
  • Левченко Александр Александрович
SU1753395A1
ЕМКОСТНОЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, УСТАНАВЛИВАЕМЫЙ НА ПОДСТАВКЕ (ВАРИАНТЫ), СНИЖАЮЩАЯ ДАВЛЕНИЕ ПОДСТАВКА И СПОСОБ АНОДНОГО СОЕДИНЕНИЯ ДВУХ ПЛАСТИН 1993
  • Чарлз Р.Уиллкокс
  • Кевин Р.Леви
  • Эрик П.Питерсен
  • Ларри А.Пейтерсен
RU2120117C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОДУЛЯ КАРТОЧКИ С МИКРОСХЕМОЙ, МОДУЛЬ КАРТОЧКИ С МИКРОСХЕМОЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ ЭТИМ СПОСОБОМ, И УНИВЕРСАЛЬНАЯ КАРТОЧКА С МИКРОСХЕМОЙ, СОДЕРЖАЩАЯ ЭТОТ МОДУЛЬ 1997
  • Удо Детлеф
  • Вильм Роберт
RU2161331C2

Реферат патента 2005 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДАВЛЕНИЯ

Способ изготовления преобразователя давления, включающий в себя формирование тензоизмерительной схемы на одной из сторон пластины, разделение пластины на чувствительные элементы, установку их на металлический упругий элемент, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона и повышения надежности, на другую сторону пластины наносят слой полупроводникового материала, а на металлический упругий элемент последовательно наносят слой ковара и стекла, после чего проводят электростатическое соединение упругого и чувствительного элементов при рабочем напряжении 3-5 кВ, температуре 490-510°C, времени выдержки 30-40 мин, причем слой полупроводникового материала соединяют со схемой токопроводящей перемычкой.

SU 1 294 078 A1

Авторы

Михайлов П.Г.

Косогоров В.М.

Даты

2005-12-20Публикация

1984-07-25Подача