Эмиттеры электронов, выполненные на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов MgO, Аl2О3, SiO2 и др.) с введенными в них донорными примесями, обладающих малым (порядка 0,1 и меньше) отношением электронного сродства к ширине запрещенной зоны Советский патент 1960 года по МПК H01J1/312 

При наложении на эмиттер достаточно сильного внутреннего эле.-:трического поля, вследствие ускорения электронов, температура электронного газа оказывается выше температуры решетки и достаточной для интенсивной эмиссии. «Перегретая электронная эмиссия наблюдалась на монокристаллах п-кремния, но вследствие большого электронного сродства у этих кристаллов и малой ширины запретной зоны, требовалось охлаждение - 70°КПредлагается в качестве эмиттера взять диэлектрик, у которого электронное сродство, а следовательно, и энергия выхода малы, в то .время как ширина запретной зоны велика, и затруднены ударная ионизация и пробой. Такими свойствами обладают кристаллы с ионной связью (например, MgO, АЬОз, SiOs и др). С введенными в них доиорными примесями они позволяют получить интенсивную «перегретую эмиссию уже комнатной температуре.

Предмет изобретения

Применение эмиттеров электронов, выполненных на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов MgO, АЬОз, SiO и др.) с введенными в них донорными примесями, обладающих малым (порядка 0,1 и меньше) отношением электронного сродства к ширине запрещенной зоны, для получения электронной эмиссии, вследствие перегрева электронного газа при наложении на однородные кристаллы эмиттеров электрического поля.