Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1987 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение надежности канала для продвижения ЦМД.

На чертеже изображена конструкция канала для продвижения ЦМД.

Канал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены пермаллоевые элементы 2 в форме несимметричных полудисков, у которых приемные перемычки 3 выполнены большей длины, чем передаю- нхие перемычки 4, и расположены под углом а 43-47° к оси канала, причем зазор 5 между смежными несимметричными 15 элемента.

полудисками 2 равен среднему значению диаметра ЦМД d.

Указанное расположение элементов 2 по отношению к оси канала позволяет минимизировать расстояние между приемной 3 и передающей 4 перемычками, которое в данном случае равно П1ирине зазора S (или диаметру ЦМД d), что примерно в 1,8 раза меньше, чем в прототипе. В результате этого градиент магнитных полей рас20

Уменыпепие расстояния между этими перемычками приводит к увеличению градиента полей рассеяния и более надежному переходу ЦМД через зазоры между элемен - тами.

Формула изобретения

Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой последовасеивания увеличивается в 1,8 раза по срав- 25 тельно расположены пермаллоевые элементы

в форме несимметричных полудисков, у которых приемные перемычки выполнены боль- ишй длины, че.м передающие перемычки, причем зазоры между несимметричпыми полудисками равны среднему значению диаметсмежными элементами под действием гради- 30 Р цилиндрического магнитного домена в магнитоодноосной пленке, отличающийся тем, что, с целью повыщения надежности канала.

нению с прототипом.

Цродвижение ЦМД в предложенном канале происходит так же как и в канале- прототипе вдоль внешней стороны пермал- ;1оевых элементов 2 и через зазор между

ента нормальной составляющей магнитных полей рассеивания. Градиент нормальной составляющей магнитных полей рассеивания получается от элементов 2 при наличии врап1аюп1.егося внешнего магнитного поприемные перемычки несимметричных полудисков расположены под углом 43-47° к оси канала.

элемента.

ля в плоскости магнитоодноосной пленки и однородного магнитного поля, нормального к плоскости пленки, для поддержания существования ЦМД. Цри этом градиент полей рассеивания, а следовательно, ЦМД

перемещаются по внешней стороне элемента и через зазор между элементами синфаз- но с полем вращения. Наиболее критичным участком доменопродвижения является зазор б между смежными элементами, условием перехода через который является наличие достаточной величины градиента магнитных полей рассеивания, образуемых концами передающей и приемной перемычек в .фазе врап1,ающегося поля, когда ЦМД находится на конце передающей перемычки

15 элемента.

20

Уменыпепие расстояния между этими перемычками приводит к увеличению градиента полей рассеяния и более надежному переходу ЦМД через зазоры между элемен - тами.

Формула изобретения

приемные перемычки несимметричных полудисков расположены под углом 43-47° к оси канала.

Изобретение относится к области вычислительной техники н может быть исноль- зовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности канала для продвижения ЦМД. Канал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены пермал- лоевые элементы 2 в форме несимметричных .полудисков, у которых приемные перемычки 3 выполнены большей длины, чем передающие перемычки 4, и расположены под углом а 43-47° к оси капала, причем зазор б между смежными несимметричными полудиеками равен среднему значению диаметра ЦМД d. Указанное расположение элементов 2 по отношению к оси кана.па позволяет мини.мизировать расстояние между приемной 3 и передаюн1ей 4 перемычками, увеличить градиент полей рассеяния и обеспечить более надежный переход ЦМД через зазоры между элементами. 1 ил. Ф