Способ регенерации заготовки фотошаблона Советский патент 1991 года по МПК H01L21/312 G03F1/00 

Изобретение относится к области икроэлектроники и может быть мсполь- эовано при изготовлении стеклянньж заготовок для фотошаблонов

Цель Изобретения - повышение каества заготовки за счет улучшения Ч днородности ее поверхности.

Пример 1. Забракованные пс локальным подтравам фотошаблоны с маскирующим слое окиси ж-элеза после операции снятия маскирующего сло.я и вьщержки в окислительной среде подвергают дополнительной выдержке в щелочной среде (раствор едкого кали КОН в воде с рН 10 и 10,5 ед. и не больЕюй добавкой поверхностно-гактив - кого вещества) в течен1т 3 и 4 in-ji; соответственно при температуре раствора 50 и соответствеино. Затем стеклянные подло кки подвергшот финишному полирование в течение 10 мин и далее известнъм способом изготавли- вагат фотошаблоны, т,е, подложки подвергают многоступенчатой, ультразвуковой отмывке и наносят на ншс маскирующий слой окиси железа с помощью пиролитического разложения пентакар- бонила железа. После этого подложки вновь отмывают на линии ультразвуковой отмывки, методом цектрифугирохза- ния наносят слой фоторезиста, проводят его Сушку в термошкафу. Потом с помощью шаблонов с определенной топологией заготовки зкстюкир ьпот на установке контактного разкно кення проводят процессы проявления,, травления, снятия фоторезиста,, прог- ывки . и сушки. Контроль, качествга фотошаблона проводится с помощью оптического микроскопа при увеличении от 200 до 500 крат,

П р и м е р 2о Пришедшие в негодность в результате эксплуатации фотошаблоны (появление недопустимого ко- 45 выявленшо заполированных царапин и

личества проколов) с маекирующрм слоем хрома после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в окислитель- ндй,среде дополнительно выдерживают в щелочной среде (раствор едког о натра МаОН в воде с рН 11 к 11,5 ед« и небольшой добавкой поверхиостно-ак- тивного вещества) в течение 4 мик при температуре раствора-50-к-65®С соответственноо Затем подпожки подвергают фнншшой полировке н изготавливают, фотошаблоны

Примерз, Забракованные -по невытравливаемым точкам фотошаблоны

-

- .

306 i022

к фотошаблонные заготовки, забракованные по проколам, с маскирующим слоем хрома после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в окис- 5 лительной среде дополнитель но выдерживают в щелочной среде (раствор едкого кали КОН в воде) с . рН 12 в те- че,ние 5 мин при температуре раствора j 70 - с. Затем стеклянные подложки под- tO вергают финишной полировке и изготавливают фотошаблоны.

Мерой повышения однородности поверхности стекла является снижение 6paica по локальньм подтравам, проколам и невытравливаемым точкам.

Умепьшение рК ниже 10 ед. не позволяет провести необходимое

подтравливание стенок пор, образую- ш,1жся после выдержки в окислительной среде, и значительно снизить их химическую активность, что приводит к сорбции на них абразивных частиц в

процессе полирования. Увеличение рН среды выше 12 ед. приводит к выявление заполированных царапин и других . дефектов 5 возникших на предыдущих стадиях обработки стеклянной заго S OBKH фотошаблона Уменьшение време- ИИ выдержки менее 3 мкн не позволяет существенно увеличить диаметр пор и снизить их уамическую активность. Увеличение времени выдержки более 5 мин не пршзодит к дальнейшему растравливанию м пассивации стенок пор экранирующего действия продуктов взаимодействия: компонентов стекла и щелочной среды. Уменьшение температуры среды ниже 50°С существенно снижает эффективность ее воздействия на поверхность ст€;кла и требует увеличения времени выдержки. Увеличение температуры среды выш е 70°С приводит

сиилсает качество обработки.

Формула изобретения

ijg Способ регенерации заготовки фотошаблона, включающий Удаление маскирующего слоя с его поверхности, выдержку стеклянной подложки Е окисли- тальной среде с рМ О,1-0,6 в течение

55 2-3 мии, механическую обработку ее поверхности и последовательное формирование маскирующего я фоторезистив- ког о слоев, отличающийся тем,, что5 с цель1о повышения качества

313064024

заготовки за счет улучшения однород- цолнительнзпо выдержку подложки в ще- ности ее поверхности, перед механи-лочном растворе с рН 10-12 в течение

ческой обработкой осуществляют до-3-5 мин при 50-7С С.

Составитель А.Хохлов Редактор А.Купрякова ; - ехред Л.Ояийвык Корректор М.Пожо

Заказ 2564Тираж 375Подписное

. ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб ., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Изобретение отйосится к области микроэлектроники. Цель изобретения повышение качества заготовки за счет улучшения однородности ее поверхности. С забракованных подложек фотошаблонов удаляют маскирующий слой и выдерживают их в окислительной среде, после чего подвергают дополнительной обработке в растворе едкого кали в- воде с рН 10 ед с добавкой поверхностно-активного вещества в течение 3 мин при температуре раствора 50°С, Затем подложки полируют и наносят на них маскирующий и фоторезистивный слой для формирования рисунка фотошаблона методом фотолитографии. Обработка подложек в njejjo4HOM растворе с рН 10-12 при 50-7Э С в течение 3-5 мия позволяет улучшить однород ность поверхности подложки и повысить качество фотошаблонов.