Двухтактный усилитель Советский патент 1987 года по МПК H03F3/26 

Изобретение относится к радиотехнике и может быть применено в интегральных усилителях мощности.

Цель изобретения - повьшгение быстродействия при обеспечении высокой точности.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема двухтактного усилителя.

Двухтактный усилитель содержит nep вый, второй, третий, четвертый, пятый, шестой и седьмой транзисторы 1-7, первый и второй резисторы 8 и 9 источник 10 тока, диод 11 и нагрузку 12.

Двухтактный усилитель работает следующм образом.

Одна полуволна сигнала усиливается первым и вторым транзисторами 1 и 2, другая - третьим и четвертым транзисторами 3 и 4, при этом ток нагрузки 12 протекает через диод 11. Седьмой транзистор 7 и второй резистор 9 образуют местную отрицательную обратную связь (ООС) для первого тран зистора 1, шестой транзистор 6 и первый резистор 8 - ООС третьего транзистора 3. Управление плечами каскада осуществляется током пятого транзистора 5, который перераспределяет ток источника 10 тока. Максимальный трк потребления двухтактного усилителя ограничен и не зависит от параметров транзисторов. Повьшение быстродействия достигается за счет местных отрицательных обратных связей, расширяющих полосу усиления, а также за счет параллельных широкополосных каналов усиления (вход-коллектор пятого транзистора 5, нагрузка 12, вход- база третьего транзистора 7, нагрузРедактор А.Долинич

Заказ 1640/53 Тираж 902Подписное

ВНЙИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, , Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

ка 12). Ток покоя в двухтактном усилителе выбирается сколь угодно близким к току источника 10 тока при условии обеспечения требуемого уровня нелинейных искажений.

Формула изобретения

Двухтактный усилитель, содержащий первьй и второй транзисторы, коллекторы которых объединены и соединены с шиной питания, база первого транзистора соединена с источником тока, а его эмиттер - с базой второго транзистора, эмиттер которого соединен с нагрузкой, третий и четвертый транзисторы, причем коллектор четвертого транзистора через диод соединен с объединенными эмиттером второго и коллектором третьего транзистора, а его эмиттер и база - с общей шиной и эмиттером третьего транзистора соответственно, отличающий- с я тем, что, с целью повышения быстродействия, введены пятый, шестой, седьмой транзисторы, первый и второй резисторы, причем ко.плектор, база и эмиттер пятого транзистора соединены с базой первого, базой второго и коллектором четвертого транзисторов соответственно, коллектор и база шестого транзистора -соединены с базой третьего и базой четвертого транзисторов соответственно, а его эмиттер через первый резистор - с общей шиной, второй резистор включен параллельно диоду, база седьмого транзистора является входом двухтактного усилителя, а его коллектор и эмиттер соединены с базой первого и базой третьего транзисторов, соответственно

Составитель Ю.Рогаткин

Техред М.Ходанич Корректор Н.Король

Изобретение м.б. применено в интегральных усилителях мощности. Цель изобред-ения - повъшение быстродействия при обеспечении высокой точности. Усилитель содержит четыре трано зистора 1-4, источник тока 10, диод 11 и нагрузку 12. Вновь введены три транзистора 5-7, два резистора 8 и 9. Повьшение быстродействия достигается за счет местньк отрицат. обратных связей, расширяющих полосу усиления, и за счет параллельных широкополосных каналов усиления (вход - коллектор транзистора 5, нагрузка 12 j вход - база транзистора 7, нагрузка 12). Ток покоя в дёухтактном усилителе выбирается сколь угодно близким к току источника 10 при условии обеспечения требуемого уровня нелинейных искажений. 1 ил. JO ои (Л 7 и 12 СО о СП со О5