Способ получения рисунка фотошаблона Советский патент 1993 года по МПК H01L21/312 G03F1/00 

Изобратенне относится к области микроэлектроники и может быть использовано на литографических операц1 ях при изготовлении фотошаблонов для полупроеоднико- вых приборов и интегральных схем.

Целью изобретения является повышение тирзжестойкости фотошаблона за счет уменьшения адгезии маскирующего слоя к фоторезисту при экспоняровйнии .и снижении деформации маскирующего слоя/

Сущность способа заключается о следующем.

На стеклянную фотошаблоинунэ подложку размером 102x102 мм наносят на центрифуге слой полиимида толщиной 1-4 мкм, После сушки при 100±10°С и течение 30- 60 мин проводят радиационное сшивание полимера, например, рентгенозским излучением с длиной волны 0,54 нм (Мо .ш) i поглощаемой дозой г 0рядка 1-Дж/см.

Затем вакуумным термическим папыле нием из кварцевой лсдочки последовательно наносят слом AsxSei-к толщиной

100-300 им состава 0,3 х 0,5 гт слой

серебра толщиной 15-20 им.

Полученные .1 локально экспонируют мли электронным лучом по заданной программе топологии с з1 ерг1 ей 5-30 кэВ, или рентгеновским излучением через рент- геношаблон в диапазоне 0,41-0,54 нм ( 4G /ш) ЛИ ультрафиолетом с длиной волны 100-470 нм через фотошаблон, ИЛИ- на оптикомеханиче.ском генератора изображений с гюглощзег-юй дозой, достаточной ,цлл фотохимической диффузии серебра в слой AsxSes-x обычно до 1 Дж/см.

После этого удаляют слой серебра с неэкспонированных участков путем обрйбот- ки структурь 8 pacTBOpnTejie .серебра, удобное всего в 20-30%-ном растворе i-lNOg. Проявление экспонированных участков до полного удаления незкспони ровзн- ных участков слоя AsxSei-x проводят путем

Формула изобретения

. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ. Р.ИСУНКА ФО- ТОШАБЛО - А, в1 Л ОЧающий последовательное нанесение й п розрачную по/уюж- ку слоя полиимида, неорганического резиста на основе хапькогенидного стею ю- образного полупроводника .и слоя легирующего материала, литографическое формирование маски в неорганическом ре- зисте и .перелое изображения в слой полиимида путем травления его в кислородсодержащей плазме, отличающийся тем, что, с целью увеличения тирарвсостивно-ионного травления на установке УВП-2 в CF при давлении (3-5) 10 мм рт -ст. и удельной мощности не более 0.3 мВт/см на обрабатываемой поверхности. Затем в

той же установке меняют газ CF на кислород и при давлении (2-3) 10- мм рт.ст, удаляют участки слоя полиимида, немаскированные слоем AsxSei-x+Ag.

Темные участки фотошаблона представляют собой сендвич, нижний слой (амортизирующий) которого обесп.ечивает сохранение бездефектности топологии, а верхний - основной маскирующий слой с коэффициентом поглощения до 10 см при

Я 470 нм и коэффициентом пропускания 30-50% в диапазоне 550-650-нм и низкой адгезией к слоям фоторезиста обеспечивает проведение безрефлексного (вследствие многократных отражений от маскирующего

и маскируемого слоев) экспонирования фо- торезистивных слоев без нарушения их сплошности при разъединении с фотошаблоном.

Диапазон длин волн ограничен снизу

.(115 нм) границей пропускания прозрачной подложки на основе кварца, а сверху (470. нм).- максимальный чувствительностью экспонируемых через фотошаблон фО торезистов..

Соединение селенида с мышьяком AsxSei-x фактически представляет собой твердый pacTDOp мышьяка в селене, при этом маскирующие свойства и чувствительность к фотохимической диффузии мefaляоп, преимущественно серебра или меди, сохраняется в диапазоне изменения состава 0,3 :2 X : 0,5 на приемлемом уровне.

(56) Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса. Пер. с англ,. Л.: Химия, 1980, с. 558-559,105-108, 581-584.

Y. Vac. Sci, and Technol, 1983, В,1, N 4. p. 1174-1177.

жестойкости фотоЩаблона за счет уменьшения адгезии маскирующего по крытия к фоторезисту при экспонировании

и снижении деформации маскирующего покрытия, слрй полиимида наносят толщиной. Обеспечивающей непрозрачность слоя в диапазоне длин волн 115 - 470 им, а перед нанесением резиста проводят сшивание слоя полиимида путем облучения рентгеновским излучением при температуре не более 110 С, причем в качестве резиста используют, материал системы ASj , где 0,3 х 0,5, толщиной 100 - 300 им.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при литографических операциях Цель изобретения - повышение тиражеетойкости фотошаблона На стеклянную подложку наносят слой полиимида, а затем слой As Se толщиной 100 - 300 нм состава X 1-X 0.2 х 0.5 и слой Ag толщиной 15 - 20 нм. Полученные структуры локально экспонируют, например, электронным лучом с. энергией, достаточной для фотохимической диффузии Ag в слой As Se до X 1 -Х Дж/см . С неэкспонированных участков удаляют слой Ag и проявляют экспонированные участки до полного удаления слоя Аз Se реактивно-ионным 1 ,X 1-х травлением. Нанесение слоя полиимида толщиной, обеспечивающей непрозрачность слоя в диапазоне длин волн 1.15 - 470 мм, проведение операции сшивания споя полиимида путем облучения его рентгеновским излучением при температуре не более 110°С и использование в качестве резиста материала сис темы As Se уменьшает адгезию маскирующего слоя к фоторезисту при Э1 :пониро- .вании и снижает деформацию маскирующего слоя.