Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов Советский патент 1987 года по МПК G01N22/00 

Описание патента на изобретение SU1317339A1

113

Изобретение относится к технике измерений на СВЧ

Цель изобретения- - повышение точности- измерения

На чертеже изображена структурная электрическая схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит измерительный резонатор 1, в котором размещены генераторный элемент 2, держатель 3 ис- следуемогр образца, светонепроницаемая диэлектрическая перегородка 4, дополнительный полупроводниковый образец 5, видеодетектор 6 связанный через элемент 7 связи с измерительным резонатором i, дифференциальный усилитель 8 постоянного тока, источник 9 света, управляемый источник 10 света, регистратор 11, источник 2 опорного напряжения, блок 13 питания и сопротивление 14 нагрузки.

Устройство работает следующим об- .разом.

При включении блока 13 питания в измерительном резонаторе 1 устанавливается уровень СВЧ-мощности, определяемый добротностью измерительного резонатора 1 с помещенным в него освещенным дополнительным полупроводниковым образцом 5 и исследуемым образцом. На сопротивлении 14 нагрузки видеодетектора 6 выделяется напряжение, пропорционсшьное уровню СВЧ-мощности в измерительном резонаторе 1, Выходной ток дифференциального усилителя 8 при этом определяется разностью напряжений на нагрузке 14 видеодетектора 6 и источника 12 опорного напряжения. Управляемый источник 10 света (светодиод), включенный последовательно между выходом дифференциального усилителя 8 и регистратором 115 освещает дополнительньш полупроводниковый образец 5 причем его световой поток пропорционален току дифференциального усилителя 8. Добротность измерительного резонатора 1 определяется при этом проводимостью исследуемого образца дополнительного полупроводникового образца 5 и неравновесной проводимостью, возникающей при освещении дополнительного полупроводникового образца 5 при .освещении его от управляемого источника 10 света. Величина добротности задается источникам 12 опорного напряжения за счет .регулирования вапичины фотспо- терь СВЧ-мощности в дополнительном

92

полупроводниковом образце 5. При уменьшении добротности измерительного резонатора 1 (например, при освещении исследуемого образца светом от

источника света 9) уровень СВЧ-мощности в измерительном резонаторе 1 и напряжение на нагрузке 14 видеодетектора 6 уменьшаются, поэтому умень- щается выходной ток дифференциапьного усилителя 8, а следовательно, и световой поток от управляемого источника 10 света. Это вызывает уменьшение проводимости дополнительного полупроводникового образца 5 и вносимых им в измерительный резонатор 1 потерь. Исходная добротность измерительного резонатора 1 восстановится гри меньшем токе на выходе дифференциального усилителя 8, Таким образом,

реализуется обратная связь, поддерживающая уровень СВЧ-мощности. в измерительном резонаторе 1 на уровне, определяемом источником . 12 опорного

напряжения Регистратор 11 определяет значение тока управления управляемого источника 10 света, пропорциональное темновым СЙЧ-потерям исследуемого образца при внесении его в измерительный резонатор 1 или удельному сопротивлению исследуемого образца при его освещении светом от источника 9 света. При таком выполнении устройства за счет-компенсации потерь СВЧ-мощности с образца снимается погрешность измерений, связанная с нестабильностью режима автогенератора.

Формула изобретения

Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, содержащее измерительный резонатор, в котором размещен гене„

раторныи элемент и держатель исследуемого образца, видеодетектор, связанный через элемент связи с измерительным резонатором, источник света для освещения исследуемого образца

и регистратор, отличающееся тем, что, с целью повьшения точности, в измерительном резонаторе установлен дополнительньш полупроводниковый образецS отделенный от исследуемого образца введенной светонепроницаемой диэлектрической перегородкой , а таюте введены последовательно соединенные дифференциальньй

313173394

усилитель постоянного тока и управ- тора, и источник опорного напряжения, ,Iй источник света для освещения выход которого соединен с первым вхо- .дополнительного полупроводникового дом дифференциального усилителя пос- образца, выход управляющего сигнала тоянного тока, второй вход которого которого.соединен с входом регистра- 5 подключен к выходу видеодетектора.

Похожие патенты SU1317339A1

название год авторы номер документа
Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов 1972
  • Наливайко Борис Александрович
SU444132A1
Устройство для измерения времени жизни носителей заряда в полупроводниковых образцах 1986
  • Бородовский Павел Анисимович
  • Булдыгин Анатолий Федорович
  • Тарло Дмитрий Георгиевич
SU1689874A1
Способ бесконтактного измерения удельного электросопротивления полупроводниковых пленок 1990
  • Ануфриев Александр Николаевич
  • Гасанов Адольф Александрович
  • Титов Михаил Николаевич
  • Филимонов Аркадий Семенович
  • Чурин Сергей Сергеевич
SU1758589A2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ 2011
  • Владимиров Валерий Михайлович
  • Коннов Валерий Григорьевич
  • Марков Владимир Витальевич
  • Репин Николай Семенович
  • Шепов Владимир Николаевич
RU2451298C1
Способ диагностики двумерной проводимости в полупроводниковых материалах 1987
  • Гореленок Алексей Тихонович
  • Мамутин Владимир Васильевич
  • Приходько Александр Владимирович
SU1483409A1
ИЗМЕРИТЕЛЬ РАССТРОЙКИ СВЧ-РЕЗОНАТОРА 1991
  • Скрипник Ю.А.
  • Потапов А.А.
  • Мордоус В.Н.
RU2014623C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ 1'13Л\ЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ4 СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ | 1972
SU419817A1
Устройство для определения температурной зависимости параметров диэлектриков 1990
  • Фридрик Ефим Алексеевич
  • Пасичный Владислав Васильевич
  • Литовченко Алексей Васильевич
SU1762265A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ БЕСКОНТАКТНЫМ СВЧ МЕТОДОМ 2010
  • Владимиров Валерий Михайлович
  • Марков Владимир Витальевич
  • Мартыновский Владимир Николаевич
  • Шепов Владимир Николаевич
RU2430383C1
Автоматический измеритель изменений составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и времени релаксации 1981
  • Потапов Алексей Алексеевич
  • Войтов Сергей Иванович
SU983581A1

Реферат патента 1987 года Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

Изобретение относится к технике измерений на СВЧ. Цель изобретения - повьшение точности. Устр-во содержит измерительный резонатор 1, в котором размещены генераторный элемент 2, держатель 3 исследуемого образца, светонепроницаемая диэлектрическая перегородка 4, полупроводниковый образец 5, видеодетектор 6, связанный через элемент связи 7 с резонатором 1, дифференциальный у-ль 8 постоянного тока, источник $ света, управляемый источник 10 света, регистратор 11, источник 12 опорного напряжения , блок питания 13 и сопротивление нагрузки 14. При уменьшении добротности резонатора 1 уровень СВЧ-мощ- ности в нем и напряжение на нагрузке 14 Бидеодетектора 6 уменьшаются, по- этому уменьшается выходной ток у-л.я 8, а следовательно и световой поток от источника 10. Это вызывает уменьшение проводимости образца 5 и вносимых им в резонатор 1 потерь. Т.о. реализуется обратная связь, поддерживающая уровень СВЧ-мопщости в резонаторе 1 на уровне, определяемом источником 12, При таком выполнении устр- ва за счет компенсации потерь СВЧ- мощности в исследуемом образце снижается погрешность измерений, связанная с нестабильностью режима автогенератора. Цель достигается введением перегородки 4, образца 5, у-ля 8 и источников 10 и 12. 1 ил. i (Л С со -j 00 00 со

Формула изобретения SU 1 317 339 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1987 года SU1317339A1

1971
SU410334A1
Прибор с двумя призмами 1917
  • Кауфман А.К.
SU27A1
Способ оптимизации режима резания на металлорежущих станках 1972
  • Лищинский Леонид Юльевич
SU441132A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 317 339 A1

Авторы

Аносов Виктор Николаевич

Трухан Эдуард Михайлович

Даты

1987-06-15Публикация

1985-04-04Подача