Кассета для диффузии Советский патент 1987 года по МПК C30B31/14 

13

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для проведения процессов диффузии в полупроводниковые пластины из плоскопараллельного ис- точника в потрке газа-носителя.

Цель изобретения - повышение производительности и увеличение срока пластин источника.

На фиг,1 и 2 показана рамка для пластин источника; на фиг.З - вид А фиг.2; на фиг.4 и 5 - рамка для пластин полупроводника; на фиг.6 - кассета для диффузии с установленными на ней пластинами, вид сбоку.

Кассета содержит две установленные одна в другой рамки: рамку 1 для пластин источника и рамку 2 для пластин полупроводника. Рамка 1 имеет три держателя 3 и направляющую штан- ГУ 4, которая является продолжением центрального держателя 3. На держателях 3 выполнены приливы 5 с пазами для установки пластин 6 источника. Рамка 2 имеет два держателя 7 с при- ливами 8 и пазами дня установки пластин 9 полупроводника. Рамка 2 снабжена скобой 10 и толкат елем 11 . Пластины 6 источника и 9 полупроводника установлены в рамках 1 и 2 вдоль их продольной оси.

Кассета работает следующим образом.

Рамку 1 загружают пластинами 6 ис точника и помещают в рабочую зону реактора. Затем загружают рамку 2 пластинами 9 полупроводника и с помощью толкателя 11 устанавливают в

9иг.1

O

15

6

5

0 О

JJ

182

реактор. При этом скоба 10 рамки 2 скользит по направляющей штанге 4 рамки 1, обеспечивая тем самым устойчивость и направление движения рамки 2 в рабочую зону. После установки рамок 1 и 2 в рабочую зону начинают процесс диффузии. После завершения процесса рамку 2 с пластинами 9 извлекают из реактора, а рамку 1 с пластинами 6 источника оставляют в реакторе.

С помощью кассеты проводят операцию термической диффузии фосфора в кремний для создания эмиттерной п области.

Кассета для диффузии практически исключает разрушение пластин источника и позволяет их использовать на 100-200 процессов. Время проведения процесса сокращено на 40%.

Форму л а изобретения

Кассета для диффузии, содержащая рамки, установленные друг в друге, имеющие держатели с приливами и пазами для параллельного размещения пластин источника и полупроводника, отличающ аяся тем, что, с целью повьшения производительности и увеличения срока службы пластин источника, рамка для пластин источника имеет дополнительный центральный держатель, переходящий в направляющую штангу, рамка для пластин полупроводника снабжена скобой, охватывающей направляющую штангу, при этом рамки установлены с возможностью перемещения вдоль продольной оси.

,

/ jV

n

/

I

t

Y

. rt

зср

,

A

t

|y

9игЛ

X

/

/

I

J

V

X

ae. 5

9LL2.

/

/1

8

/

V

/ /

11

/

5

/

иг.б

Изобретение относится к полупроводниковой технике,может быть использовано для проведения процессов диффузии в полупроводниковые пластины из плоскопараллельного источника в потоке газа-носителя и позволяет повысить производительность и увеличить срок службы пластин источника. Кассета содержит две рамки, установленные одна в другой. Рамка для пластин источника имеет три держателя с приливами и пазами. Центральный держатель переходит в направляющую штангу. Рамка для пластин полупроводника имеет держателя с приливами и пазами и снабжена скобой и толкателем. Скоба скользит по направляющей щтанге. Пластины источника и полупроводника установлены вдоль продольной оси рамок. .Проведена операция термической диффузии пластин источника, что позволило использовать их на 100-200 процессов. Время проведения процесса сокращено на 40%. 6 ил. (Л со 00 05

Редактор В.Петраш

Составитель Н.Давыдова Техред А. КравчукЗаказ 2482/23 Тираж 369Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Корректор А.Зимокосов