Микрополосковый аттенюатор Советский патент 1987 года по МПК H01P1/22 

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к устройствам для регулирования уровня мощности, и может быть использовано в радиоизмери- .тельной аппаратуре

Целью изобретения является расширение диапазона регулирования ослабления,

На чертеже представлен микропо- осковый аттенюатор, общий вид,

Микрополосковый аттенюатор содерит отрезок микрополосковой линии, состоящей из подложки 1, на одной стороне которой расположено металлическое заземленное основание 2, а на другой - микрополосок 3, и регуирующий элемент, имеющий клинообазную форму, установленньй со стороны микрополоска 3 с возможностью перемещения в направлении, перпендикуярном к нему, в плоскости, паралельной ему, и состоящий из диэлектрической пластины 4 и нанесенного на нее слоя 5 поглотителя, толщина которого меньше толщины скин-слоя. Диэлектрическая проницаемость материала диэлектрической пластины 4 больше диэлектрической проницаемости материала подложки 1. Слой 5 поглотителя нанесен на сторону диэлектрической пластины 4, обращенную к микрополоску 3. Площадь диэлектрической пластины 4 равна площади слоя 5 поглотителя,

Полосковый аттенюатор работает следующим образом,

В отсутствии регулирующего элемента над микрополоском 3 поле сконцентрировано в промежутке между микрополоском 3 и металлическим заземенным основа;нием 2, а на поверхности микрополоска 3 вдоль него протекает электрический ток. При толщине микрополоска 3 больше толщины скин-слоя волна по отрезку микрополосковой линии распространяется

практически без затухания,

Введение в область, промыкающую к микрополоску 3, слоя 5 поглотителя приводит к перераспределению поя. Поде выходит за пределы микрополоска 3 и часть его оказывается в области слоя 5 поглотителя, толщина которого меньше толщины скин-слоя. Возникающий в области слоя 5 поглотителя продольный ток, вследствие высокого сопротивления слоя 5 поглотителя, приводит к росту затухания

волны, которое тем больше, чем больше протяженность участка микрополоска 3, перекрытого слоем 5 поглотителя. Наличие над слоем 5 поглотителя

диэлектрической пластины 4, диэлектрическая проницаемость материала которой больв1е диэлектрической проницаемости материала подложки 1, способствует эффективному вытягиванию поля из промежутка между микрополоском 3 и металлическим заземленным основанием 2 и концентрации его в слое 5 поглотителя и в диэлектрической пластине 4,

Поскольку эффективность поглотителя тем выше, чем меньше расстояние от микрополоска до слоя 5 поглотителя, он нанесен на стороне диэлектрической пластины 4, обращенной к микрополоску 3. Выполнение диэлектрической пластины 4 и слоя 5 поглотителя с равными площадями также способствует расширению диапазона регулирования ослабления из-за уменьшения потерь на излучение, а выполнение регулирующего элемента клинообразной формы с перемещением его в направлении, перпендикулярном микрополоску, обеспечивает плавность

.регулирования ослабления.

Формула изобретения

1.Микрополосковый аттенюатор, содержащий отрезок микрополосковой линии и регулирующий элемент, установленный со стороны микрополоска с возможностью перемещения относительно него и состоящий из диэлектрической пластины и нанесенного на нее слоя поглотителя, толщина которого меньше толщины скин-слоя,причем диэлектрическая проницаемость материала диэлектрической пластины больше диэлектрической проницаемости материала подложки отрезка микрополосковой линии, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования ослабления, поглотителя нанесен- на сторону диэлектрической пластины, обращенной к микрополоску,

2,Аттенюатор по п, 1, отличающийся тем, что регулирующий элемент установлен с возможностью перемещения в направлении,

перпендикулярном к микрополоску, в плоскости, параллельной ему, и имеет клинообразную форму, причем площади слоя поглотителя и диэлектрической пластины равны между собой.

Изобретение относится к радиотехнике и обеспечивает расширение диапазона регулирования ослабления. Устр-во содержит отрезок микрополос- ковой линии, состоящий из подложки 1, на одной стороне к-рой расположено металлич. заземленное основание 2, а на другой - микрополосок (МП) 3, и регулирующий эл-т, имеющий клинообразную форму, установленный со стороны МП 3 с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном к нему, в плоскости, параллельной ему, и состоящий из диэлектрич. пластины (ДП) 4 и нанесенного на нее слоя 5 поглотителя, толщина к-рого меньше скин-слоя. Диэлектрич. проницаемость материала ДП 4 больше диэлектрич. проницаемости подложки 1. Слой 5 поглотителя нанесен на сторону ДН 4, обращенную к МП 3. Площадь ДП 4 рав- на площади слоя 5. 1 з.п.ф-лы, 1 ил. с $ (Л со со 00