Способ обнаружения дефектов в доменосодержащих эпитаксиальных пленках Советский патент 1987 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к магнитной микроэлектронике н может быть использовано л. 1я контроля качества и однородности доменосодержатих монокристаллических эпнтаксиальиых нленок, применяемых для создания устройств хранения и переработки информации

Цель изобретения - упрощение способа и повышение его быстродействия.

, (люсоб обнаружения дефектов заключается в следующем.

На локальный участок п. К Нки, находящейся в размагниченном состоянии и имею щей .табиринтную доменную структуру. подают магнитное ноле смешения, перпендикулярное плоскости пленки, с амплитудой, величина которой достаточна для пере- Bo.ia пленки на локальном участке в насыщенное (монодоменное) состояние. В ре- (ультате по краям локал1 но| о участка обр.чзуется доменная граница, разделяющая .чье моподоменные области с нротивипо иаправлепи(м намагинченности. Латем поле смсмпепия снимают, в результате чего развивается неустойчивость доме)1- ной границы, сформированной по краям .кжа.тьного участка. Это приводит к формированию из нее системы полосовых магнитных доменов, удлиняющихся но направ- ;i- i;iKi, перщ нднкулярному границе локального участка. По окч чанпи sroro npouec са в лока. участке имеем картину шднально СХОДЯН1ИХСЯ полосов111х доменов центром строго посередине локального ччастка При залимии дефекта на исследуемом участке пленки после снятия поля смещения пере.маг ничивание пленки обуслав- .1ииается двумя одновременно протекающими процессами; ростом радиально сходящихся полосовых доменов от границы локального участка и ростом радиально-гребсн1ковых доменов, распространяющихся от дефекта.

0

служащего центром зародышеобразования внутренней лабиринтной структуры. Процесс неремагничивания заканчивается в месте встречи двух разрастающихся навстречу

друг другу доменных структур. Затем производят наблюдение полученной на локальном участке структуры магнитных доменов с использованием магнитооптического эффекта Фарадея на установке, выполненной на базе поляризационного микроскопа.

Длительность подачи поля смещения должна быть достаточной для полного перемагничивания локального участка пленки. Обычно достаточно подать прямоугольный имнульс поля смещения длительнос5 тью 1-3 МКС, которое может быть создано с помощью катушки небольщого размера, например с внутренним диаметром 1-3 мм.

Предлагаемый способ позволяет визуально обнаружить дефекты в доменосодер0 жащих пленках, которые обнаруживают себя в виде доменной структуры в форме «чечевицы на фоне радиально сходящихся полосовых доменов, причем для этого используются простые аппаратные средства, а время наблюдения любого локального участка не ограничено.

Формула изобретения Способ обнаружения дефектов в домено- содержан1.их энитаксиальных пленках, включающий воздействие на локальный учас0 ток пленки импульсом магнитного поля смещения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повыщения его быстродействия, на размагниченную доменосо- держащую пленку подают импульс магнитного поля смещения до полного перемагничивания локального участка пленки н по радиально-гребенчатым доменам в доменной структуре в виде «чечевицы на фоне радиально сходящихся полосовых доменов судят о наличии дефектов.

5

Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники и может быть использовано для контроля качества и однородности доменосодержащих монокристаллических эпитаксиальных пленок. Целью изобретения является упрощение способа и повышение его быстродействия. Способ выявления дефектов заключается в следующем. На локальный участок размагниченной пленки воздействуют импульсом магнитного поля смещения, достаточным для полного перемагничивания этого участка. После окончания действия импульса на этом локальном участке происходит формирование либо радиально сходящихся полосовых доменов в случае отсутствия на нем дефектов, либо доменной структуры, в которой на фоне радиально сходящихся по./1псовых доменов присутствуют радиально-гребен- чатые домены в виде «чечевицы, в случае наличия дефектов. Дефекты обнаруживают по доменным структурам «чечевица на установке, выполненной на базе поляризационного .микроскопа. lo: с кэ 1чЭ 00 СО