Ячейка памяти Советский патент 1987 года по МПК G11C11/34 

тельной технике, может быть использо

вано в репрограммируемых запоминающих устройствах.

Целью изобретения является повьше- ние быстродействия ячейки памяти.

На чертеже представлена конструкция ячейки памяти.

Ячейка памяти состоит из диэлектрической подложки 1, на которую нанесены электроды 2 и 3 записи и электроды 4 и 5 считывания. На подложку 1 и электроды 2-5 нанесен слой 6 полупроводникового стекла. Расстояние между электродами 2 и 3 записи не менее чем на порядок больше расстояния между электродами 2,4 и 3,5. Расстояния между электродами 2,4 и 3,5 одинаковы.

Ячейка работает следующим образом

Запись и стирание информации осуществляется одновременной подачей разнополярных импульсов напряжения с одинаковой длительностью и амплиту дои на электроды 2 и 3 записи. Для считывания информации используются электроды 2 и 4 или 3 и 5. В исходном состоянии сопротивление стекла

между электродами 2-5 велико. При крытием краев электродов, о т

писи между электродами 2 и 3 записи и ближайшим электродом 4 считывания формируется низкоомный канал, для другой пары электродов 3 и 4 обеспечивается высокоомное состояние стекла. Если низкоомное состояние стекла

35

чающаяся тем, что, с ц повышения быстродействия, в яч памяти введены два дополнитель электрода, расположенные на по ности диэлектрической подложки двумя основными электродами.

омное - логической единице. Для перезаписи (стирания) информации достаточно изменить полярность импульсов, прикладываемых к электродам 2 и 3 записи. При этом низкоомный канал, замыкающий одну пару электродов (например, 3 и 5) разрушается, а для другой пары (соответственно 2 и 4) - формируется. За пределами пар электродов 3,5 и 2,4 сохраняется высоко- омное состояние стекла.

В качестве подложки можно использовать ситалл, для изготовления электродов - платину (можно золото, никель), в качестве стекла используют

VO - , и др.

v,o,- Те02, WOj -

Формула изобретения

Ячейка памяти, содержащая диэлектрическую подоожку, электроды записи и считывания, расположенные на поверхности диэлектрической подложки, слой из полупроводникового стекла, размещенный на поверхности диэлектрической подложки с частичным перел и

чающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия, в ячейку памяти введены два дополнительных электрода, расположенные на поверхности диэлектрической подложки между двумя основными электродами.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в репрограммируемых запоминающих устройствах. Цель изобретения - повышение быстродействия ячейки. Ячейка памяти содержит подложку, электроды и активный элемент из полупроводникового стекла. Запись и стирание информации осуществляются подачей разнополярных импульсов напряжения на соответствующие электроды. При записи (стирании) между одной парой электродов формируется низкоом- ное состояние активного элемента, между другой парой - высокоомное. Стирание осуществляется изменением полярности импульсов. 1 ил. со ьо сд СП Oi го

внмига-1

Заказ 3116/49 Тираж 589

иронзв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная,

Подпис:-::е