13
которых выполнены с обеих сторон капиллярные каналы и по)1ой вставкой из диэлектрического материала. Охладители 5 - многослойные, при этом внешние слои (С) 10 и 11 выполнены из материала с крупнодисперсной структурой а внутренние С 13 - из материала с мелкодисперсной структурой. С 10, 11 армированы элементами 12 из элек
Изобретение относится к теплооб- менным устройствам, в частности к устройствам для охлаждения тепловыделяющих приборов, используемых преимущественно в полупроводниковой технике.
Целью изобретения является повышение надежности блока в работе и уменьшение его массогабаритных характеристик.
На фиг.1 показан предлагаемый ра- диоэлектронньА блок; на фиг.2 - разрез А-А на фиг.1.
Радиоэлектронный блок содержит герметичный корпус 1, заполненный диэлектрической жидкостью 2, конденсатор 3 и собранные в столб тепловыделяющие полупроводниковые приборы, чередующиеся с охладителями 5, отделенными друг от друга жесткими перегородками 6 из электропроводного материала, на поверхности которых выполнены с обеих сторон капиллярные каналы 7. Дпя выхода паров охлаждающей диэлектрической жидкости 2 полой вставкой 8 из синтетического материала и перегородками б образованы окна 9..Охладители 5 содержат внешние слои 10 и 11 из материала с крупнодисперсной структурой, армированные элементами 12 из электропровоМного материала, в качестве которого может быть использована, например, медная проволока, а также внутренний слой 13 из материала с мелкодисперсной структурой.
Блок работает следуювом образом.
При относительно низких электрических нагрузках охлаждение тепловы- деляюцих полупроводииковых приборов
.
тропроводного материала, ориентированными в разньк направлениях. В описании приведены соотношения геометрических размеров охладителя и капиллярных каналов калугой П. Изобретение может быть использовано для охлаждения тепловьщелякнцих приборов, применяемых преимущественно в полупроводниковой технике. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
А происходит за счет нагрева и испа- рения непосредственно с поверхностей приборов А диэлектрической жидкости 2, которая поступает к охлаждаемым поверхностям тепловыделяющих приборов А по капиллярным каналам 7 на поверхности перегородки 6 из электропроводного материала и через многослойные охладители 5, слои которьлс выполнены из материала с капиллярно- пористой структурой. Под действием капиллярных сил в охладителях 5 возникает капиллярный напор, наибольогий там, где сильнее местные перегревы на контактирующих с охладителями 5 поверхностях тепловыделяющих приборов А, что устраняет местные перегревы структуры полупроводниковых приборов и обеспечивает равномерность, охлаждения всей их последовательной цепочки. Это позволяет производить расчет нагрузочной способности тепло- внпеляющих приборов А из средних условий охлаждения, а не из условий их наихудшего охлаждения. Смесь жидкости 2 удаляется Из зоны нагрева через объем корпуса, ограниченного полой вставкой 8, через сегментные окна 9.
При повышенньре и им1 гульсных тепловых нагрузках внещние слои из матери- .. ала с крупнодисперсной структурой
охладителей 5, обращенные к тепловы- деляицим поверхностям полупроводниковых приборов 4, осуществляются и далее, с ростом тепловой.нагрузки, работают как проводники тепла к поверхностям раздела пар-жидкость, который образуется на внутреннем слое 13 Из материала с мелкодисперсной структурой. При этом жидкий тешгоно
ситель поступает к.поверхностям раз-- дела пар-жидкость по капиллярным каналам 7 и частично по капиллярам внешних слоев из материала с крупнодисперсной структурой, расположенных между перегородками 6 и внутренними алиями 13. Образующийся при нагревании теплоносителя пар удаляется из материала с крупнодисперсной структурой, имеющей контакт с поверхностью тепловыделяющих приборов. Смесь нагретой диэлектрической жидкости 2 поступает в конденсатор 3 через сегментные окна 9.
Слой 13 не дает пару возможности пробиться во внешние крупнодисперсные , имеющие контакт с электропроводными перегородками 6. Поэтому внешние крупнодисперсные слои, кон-, тактирующие с перегородками 6, всегда смочены жидким теплоносителем, и гидродинамика жидкого теплоносителя по капиллярам вставки и самой капиллярно-пористой структуре охладителей 5 не нарушается.
Охлаждение тепловыделяющих полупроводниковых приборов А при повьппен- ных и импульсных электрических нагрузках всегда сопровождается значительными электродинамическими, усилиями в осевом направлении, с помощью которых осуществляется механическое прижатие элементов системы друг к другу. Эти же условия действуют и на капиллярно-пористые слои охладителей 5. Поэтому для обеспечения работоспособности блока оба крупнопористых слоя озитадителей 5 армированы электропроводным материалом, причем направление армирования одного слоя не совпадает с направлением армирования другого слоя.
,.
Эффективность охлаждения тепловыделяющих приборов повьппается за счет того, что устранена возможность осуществления кашшярно-пористой структуры охладителей, а также возможность их смятия под действием значительных механических усилий и запаривания при одновременном уменьшении переходного теплового сопротивления охлажда- хяцих элементов.
Улучшение массогабаритных характеристик радиоэлектронного блока с тепловыделяющей аппаратурой следует иэ уменьшения удельной массы охладителей, выполненных из капиллярно-пористого материала.
Технико-экономическая эффективность изобретения основана кя том, что в полупроводниковых преобразователях увеличение тока через полупроводниковые приборы из-за повыпигння эффективности охлаждения позволяет увеличить мощность преобразователя или, при сохранении мощности, уменьд шить количество приборов в силовых блоках и улучшить массогабаритные характеристики блоков, что особенно важно при использовании полупроводниковых преобразователей, например, на
с летательных аппаратах. Кроме того, изобретение может быть использовано как при последовательном электрическом соединении тепловыделяющих полупроводниковых приборов, так и при
Q монтаже любой из известных схем преобразования энергии в виде одного столба. При этом для электрического разделения плеч преобразовательной схемы в соответствующих местах стол5 ба вместо вентилей с охлаждающими элементами устанавливаются диэлектрические полые вставки.
Формула изобретения. I
0 1. Радиоэлектронный блок, содер- жащий герметичный корпус, заполненный диэлектрической жидкостью, размещенный в корпусе конденсатор, полупроводниковые приборы, каждый из ко5 торых установлен между двумя охладителями с образованием столба, погруженные в диэлектрическую жидкость, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности его в
0 работе и уменьшения массогабаритных
характеристик, он снабжен полой встав- кой из диэлектрического материала, размещенной в корпусе, и перегородками из электропроводного материала с
5 капиллярными каналами на их поверхности, столб чередующихся между собой полупроводниковых приборов и охладителей расположен внутри полой вставки, а перегородки поэтажно установле0 иы между соседними охладителями с возможностью их контакта с ними и пересечения стенок полой вставки с образованием соосных окон, входы капиллярных каналов перегородки распо5 ложены на двух их противоположных концах, которые размещены с внеггаей стороны полой вставки, каждый охладитель выполнен трехслойным из материала с капиллярно-пористой структуррой, причем внутренний слой охладителя выполнен из материала с мелкодисперсной структурой, а смежные с ним внешние слои - иэ материала с крупнодисперсяой структурой, армированного элементами иэ теплоэлектро- проводного.материала.
2.Блок ПОП.1, отличающийся тем, что элементы армирования внешних слоев каждого охладителя ориентированы в разных направлениях,
3.Блок non.t, отличающийся тем, что геометрические размеры внутреннего слоя и внешних слоев каждого охладителя и капиллярных каналов каждой перегородки связаны следукщими соотношениями: d -(0,005-0,5)dfc-, «/-к-(0,5-0,005)dn.;
. 4-А
cy;(0,1-0,01).i а(2-5)с/, i b(0,1- -1)ai c-(0,1-1,0)a,
где диаметр пор слоя из материала с мелкодисперсной капиллярно-пористой структурой. Mi d,. - диаметр пор слоя из материала с крупнодисперсной капиллярно-пористой структурой, MJ OR- толщина слоя из материала с крупно- дисперсной капиллярно-пористой структурой, м; rf - толщина слоя из материала мелкодисперсной капиллярно-пористой структуры, Mj di, - диаметр тепловыделяющей поверхности охлаждаемых приборов, Mj а - шаг между соседними каналами не поверхности вставки, м; Ь - ширина поперечного сечения канала на поверхности вставки, м} с - высота поперечного сечения канала на поверхности вставки, м.
Редактор Г.Бельская
Составитель С.Дудкин Техред Л.Сердюкова
Заказ 3436Тираж 316Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д; 4/5
.Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4
Фиг. 2
Корректор И.Муска
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Теплообменник для охлаждения электроэлементов | 1987 |
|
SU1538009A1 |
Устройство для испарительного охлаждения | 1985 |
|
SU1250820A1 |
Полупроводниковый прибор | 1990 |
|
SU1751830A1 |
Радиоэлектронный блок | 1985 |
|
SU1293860A1 |
Теплосъемник - испаритель | 1990 |
|
SU1795254A1 |
ИНТЕНСИФИЦИРОВАННАЯ ИСПАРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ СВЕТОДИОДНОГО МОДУЛЯ | 2013 |
|
RU2546676C2 |
СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ СВЕТОДИОДНОГО МОДУЛЯ | 2012 |
|
RU2510732C2 |
БЕСШУМНАЯ ТЕПЛОТРУБНАЯ СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ | 2011 |
|
RU2489665C1 |
ИСПАРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ СВЕТОДИОДНОГО МОДУЛЯ | 2013 |
|
RU2551137C2 |
Узел охлаждения | 1980 |
|
SU937965A1 |
Изобретение относится к теплооб- менным устройствам. Цель изобретения- повышение надежности блока в работе и уменьшение его массогабарятных характеристик. Радиоэлектронный блок (РБ) содержит заполненный диэлектри- ч-ской жидкостью 2 герметичный корпус 1, конденсатор 3, собранные в столб тепловыделяющие полупроводниковые приборы 4 с охладителями 5, отделенными один от другого. РБ снабжен жесткими перегородками (П) 6 из электропроводного материала, на поверхности .1. f-- Я - 5J.. .13 И -П -Ю
ТЕПЛОВАЯ ТРУБКА | 0 |
|
SU381850A1 |
Видоизменение пишущей машины для тюркско-арабского шрифта | 1923 |
|
SU25A1 |
Исакеев А.И | |||
и др | |||
Эффективные способы охлаждения силовых полупроводниковых приборов | |||
Л.: Энергоиздат, 1982, с.26. |
Авторы
Даты
1991-08-07—Публикация
1985-05-23—Подача