Селеновый фотоэлемент Советский патент 1960 года по МПК H01L31/296 

Известные методы Бездействия на спектральное распределение чувствительности фотоэлементов не обеспечивают достаточного повышения чувствительности во всех областях спектра.

Предлагаемый селеновый фотоэлемент, имеющий основной слой и оди-н ИЛИ несколько дополнительных слоев, отличается повышенной чувствительностью. Это достигается тем, что между этими слоями нанесены разделительные слои «з диэлектрика или из полупроводника, предназначенные для уменьшения взаимной диффузии материалов основного и дополнительного слоев.

Схематическое изображение конструкции описываемого фотоэлемента дано на чертеже.

На основной слой-пластинку / нанесен селеновый слой 2. Этот слой покрыт разделительным слоем 5 из фтористого кальция, на который в целях повышения чувствительности фотоэлемента нанесен методом катодного распыления или испарения промежуточный слой 4 из индия. Над промежуточным слоем 4 расположен прозрачный электрод 5, представляющий собой слой из металла или полупроводникового материала. Разделительный слой 3; в данном случае служит для уменьшения диффузии индия промежуточного слоя 4 в селеновый слой 2.

Описанная конструкция позволяет значительно повысить чувствительность фотоэлемента не только в види.мой. области спектра, но и в ближайшей инфракрасной области.

Предмет изобретения

СелёНовый фотоэлемент, имеюший основной слой и один или несколько дополнительных слоев, отличающийся тем, что, с целью

№ 132664- 2 -

повышения чувствительности, между этими слоями нанесены разделительные слои из изолятора (например, из фтористого кальция) или из полупроводника (например, из какого-либо галогенида тяжелого металла), уменьшаюидие взаимную диффузию материалов осн.овного и дополнительных слоев.