Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовления Советский патент 1962 года по МПК H01L31/296 H01L31/18 H01L21/105 

Для решения ряда задач необходима повышенная чувствительность селеновых фотоэлементов в инфракрасной области спектра.

Известны способы смещения максимума спектральной характеристики чувствительности в область длинных волн введением в слой селена теллура и некоторых других элементов. Однако чувствительность таких селеновых фотоэлементов в области 800 мк недостаточна для практики. Наиболее эффективен известный способ расширения спектральной чувствительности добавками теллура. Однако чем выше концентрация теллура, тем хуже параметры фотоэлементов.

Согласно описываемому способу в качестве добавки к селену используется индий. Индий может быть примешан к селену в малой концентрации (до 1%), или же может быть нанесен в виде промежуточного слоя испарением или катодным напылением из газовой атмосферы. При применении промежуточного слоя из индия целесообразно этот слой подвергнуть температурной обработке в вакууме, в воздухе или в газовой атмосфере при определенных режимах давления.

Спектральная кривая чувствительности описываемого селенового фотоэлемента с запираюшим слоем имеет в диапазоне, примерно, от 770 до 800 мк второй явный макси.мум, равный при пересчете на максимум равной энергии, примерно, 30% высоты обыкновенного максимума селенового фотоэлемента в видимой области спектра. Чувствительность фотоэлемента в области максимума в видимой области саектра при этом равна приблизительно чувствительности обыкновенного селенового фотоэлемента. Помещая металлический слой, например, из серебра, между основным металлом селеном и промежутс-шым слсем из

№ 150951- 2 индия, можно получить изменение максимума по высоте и по положению в определенных пределах.

Металлическая барьерная пленка влияет па процесс диффузии индия в селен. От толщины и вида барьерной пленки,а также от толщины.слоя индия зависит соотношение обоих максимумов кривой распределения фототока при равном количестве падающей энергии.

Температурные условия при нанесении слоя индия не влияют существенно на положение и величину максимума в инфракрасной части спектра. В большинстве случаев такое ианесепие осуществляется при комнатной температуре.

Таким образом, изобретение позволяет расширить спектральную кривую чувствительности без изменения электрических характеристик фотоэлементов.

Предмет изобретения

1.Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности, достигаемой добавками к селену или использованием промежуточных слоев, отличающийся тем, что в качестве добавки к селену или в кгшестве промежуточного слоя, получаемого испарением или катодным напылением из газовой атмосферы и размещенного между основным селеновым слоем и покровным электродом, применен индий.

2.Способ изготовления селенового фотоэлемента с запирающим слоем по и. 1, отличающийся тем, что, промежуточный слой из индия подвергают температурной обработке в вакууме, в воздухе или газовой атмосфере при определенных режимах давлеиия, а до нанесения промежуточного слоя из индия на основной селеновый слой наносят металлическую прослойку, например, из серебра.