Изобретение относится к устройствам для измерения давления с помощью тензочувствительных элементов.
Целью изобретения является уменьшение погрешности измерения„
На фиг.1 изображен предлагаемый тензопреобразователь; на фиг.2 - рай- рез А-А на фиг.1.
На круглой мембране 1 с плоской утоньшенной рабочей частью 2, выполненной из монокристалла сапфира в плоскости (0001) расположен замкнутый полный равноплечий тензомост,образованный резисторами R - R и соеРабота устройства осуществляется следующим образом.
диненными их уширениями 3, сформиро- ванньми из эпитаксиального однородного кремния, выращенного плоскостью , (111), причем пара одинаковых танген-зо тензорезисторов R,- R снимается
При действии давления на мембрану
сигнал, ления.
соответствующий значению дав
циальных тензорезисторов R, и R3 расположена по дуге окружности, где радиальные деформации равны нулю, т.е. по окружности с радиусом 0,54 г, тензорезисторы R и R имеют зубчатую форму, огибающая каждого лепестка которой характеризуется формулой
2(К,, +К,, ).г
K,J . г
(1)
где об г К , ,К, угол между радиусом-вектором точки и касательной в этой точке;
относительный радиус-вектор (модуль радиуса-вектора, отнесенный к радиусу рабочей части мембраны); коэффициенты продольной и поперечной тензочувствитель ности полупроводника соответственно.
Толщина, ширина и длина средней линии всех тензорезисторов одинаковы, следовательно, их номинальные сопротивления также одинаковы.
На уширёниях 3 выполнены омические контакты.4, расположенные вне прямых, соединяющих концы смежных тензорезисторов. Удалением части соответствующего уширения 3 достигается точное равенство сопротивлений йсех плеч тензомоста при номинальном значении сопротивлений тензорезисторов. На изотропной поверхности мембраны обе пары тензорезисторов распо0
5
лагаются симметрично относительно осей 5 и 6. В данном случае лучи 7 тензорезисторов Rj и R расположены на площади, ограниченной окружностями радиусом 0,75 г и 0,85 г.
Очевидно, что подобный рисунок бу- ;дет иметь диффузионный и приклеиваемый тензорезисторы, в том числе металлический, если они выполнены из материалов, изотропных по механическим и пьезорезистивным свойствам, и размещены Hai мембране с плоской утоньшенной paбoчe частью, изотроп- ной по механическим свойствам.
Работа устройства осуществляется следующим образом.
, о тензорезисторов R,- R снимается
тензорезисторов R,- R снимается
При действии давления на мембрану
, тензорезисторов R,-
сигнал, ления.
соответствующий Формула изобретени
я
Тензопреобразователь давления, содержащий упругую мембрану из монокристалла с тензочувствительными элементами из монокристалла полупров.од- ник а, соединенными в мостовую измерительную схему, о тличающий- с я тем, что, с целью уменьшения погрешности измерения, в нем тензо- чувствительные элементы одной пары противоположных плеч мостовой изме- рительной схемы размещены по окружности преимущественно с нулевой радиальной деформацией мембраны, а тен- зочувстрительнь1е элементы другой пары противоположных плеч имеют зубчатую форму, огибающая каждого лепестка которой характеризуется формулой
к 3
+ К,,,- 2(К„ +К,) . г
(К,,- к,)..
де об - угол между радиусом-вектором точечного элемента и касательной в этой точке:
о
г - относительный радиус-вектор, т.е. модуль радиуса-вектора, отнесенный к радиусу рабочей части мембраны; соответственно коэффициенты
продольной и поперечной тен- зочувствительности полупроводника.
А-А.
К1 R1 J/fj
... ...,.г. ,. |ХчЧЧ Ч|
7 / I
12R2
Фив,2.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Тензопреобразователь давления | 1989 |
|
SU1830138A3 |
Устройство для измерения давления | 1990 |
|
SU1744533A1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2009 |
|
RU2391640C1 |
Датчик давления | 1990 |
|
SU1751645A1 |
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1990 |
|
SU1835913A1 |
Интегральный преобразователь давления | 1989 |
|
SU1749731A1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2009 |
|
RU2397460C1 |
Преобразователь давления | 1987 |
|
SU1529063A1 |
ДВУХМЕМБРАННЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ | 1991 |
|
RU2101688C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ И ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ЕГО ОСНОВЕ | 2009 |
|
RU2398195C1 |
Изобретение относится к измерительной технике и позволяет уменьшить погрешиость измерения. На мембране 1 из монокристалла сапфира размещен замкнутый равноплечий мост, образованный тензочувствительными элементами R J - R Одна пара зтих элементов R, и Rj размещена по окружности иуле- -вой радиальной деформации мембраны. Элементы R и R имеют зубчатую форму с определенной формой огибающей каждого лепестка. При воздействии на мембрану давления с тензочувствитель- ных элементов снимается соответствующий значению давления сигнал. 2 ил. КЗ ее СО О 4 СО я
Патент США 3537319, кл | |||
Способ подготовки рафинадного сахара к высушиванию | 0 |
|
SU73A1 |
Вагаиов В.И | |||
Иитегральиые теизо- преобразователи | |||
М.: Энергоатомиздат, 1982. |
Авторы
Даты
1987-08-30—Публикация
1985-08-16—Подача