Электрофотографический материал Советский патент 1987 года по МПК G03G5/08 

Изобретение относится к электро- фотографическим материалам, в частности к промежуточным носителям информации, используемым в копировально-множительной аппаратуре, устройствах для регистрации выходных данны ЭВМ, фотонаборных машинах, регистрирующих приборов.

Цель изобретения - повьппение ка- чества материала за счет улучшения его электрофизических характеристик.

Примеры 1-4. Подложку из дюралюминиевого сплава протирают тампоном, смоченным.бензином, для уда- ления остатков полировальной пасты, затем обезжиривают в 20%-ном растворе поверхностно-активного средства- Прогресс при 60°С. Контроль качества обезжиривания проводят по раз- рывности водяной пленки. После обезжиривания подложку помещают в ванну с фосфатирующим раствором, г/л: ,Н,Р04 45, Cr-jO, 5, NaF 3, и проводят фосфатирование в течение 1,5-2 мин. Ьодложку высушивают и помещают в вакуумную камеру. Сплав Se-P-Te размельчают и в количестве, обеспечивающем при его испарении толщину слоя 20-60 мкм, загружают в тигель и уста навливают в вакуумную камеру.

Создают вакуум в мм рт.ст., устанавливают температуру тигля 220 и напыляют слой. Температура

подложки 60-80 С. После напьшения сло Se-P-Te поверхностный его слой легируют -в- --камеру сразу пускают воздух или кислород и, поддерживая температуру материала 60-80°С, вьщерживают слой 10 мин,затем слой охлаждают за- калкой в воду. Толщина легированного слоя составляет 1,5-1,8 мкм.

В табл. 1 представлены составы слоя Se-P-Te и основные электрофотографические параметры предлагаемого материала.

Интегральную фоточувствительность, а также время полуспада потенциала

g Q 5 Q

5

Q

в темноте измеряли при напряженности поля 20 В/мкм.

Предлагаемьй материал по сравнению с прототипом характеризуется более высокой фоточувствительностью к монохроматическому свету и более широкой спектральной областью фоточувствительности, что расширяет возможность применения материала в различных областях электрофотографической техники, например в аппаратуре цветного документирования, при регистрации информации с помощью лазера и др. (табл. 2),отсутствием остаточного потенциала, наличие которого ухудшает качество изображения из-за увеличения фона (табЛо 3), и значительно меньшей (более чем в 2 раза) (табл.4) скоростью спада темнового потенциала. Кроме того, материал имеет большую адгезию фоточувствительного слоя к подложке.

Формула изобретения1.Электрофотографический материал, состоящий из электропроводящей подложки и нанесенных на нее последовательно промежуточного слоя и верхнего слоя на основе сплава селен - фосфор - теллур, отличающий- с я тем, что, с целью повьш1ения качества материала за счет улучшения его электрофизических характеристик, поверхность .верхнего слоя электрофотографического материала легирована кислородом, при этом сплав данного слоя

содержит компоненты при следующем соотношении, ат.%:

Селен 88,5-94,5

Фосфор 0,5-1,5

Теллур 5,0-10,0, а в качестве промежуточного слоя - фосфатную пленку толщиной 0,05-0,1 мкм.

2.Материал по п. 1, отличающийся тем, что толщина легированного кислородом слоя составляет 1,5-1,8 мкм.I

Таблица 1

S13341016

Продолжение табл.2

Длина волныI Фоточувствительность электрофотографимонохроматичес-| ческого материала, м /Дж

кого -света, им

попрототипу1 предлагаемого

700 50 220

720 40100

740 2080

760 -60

780 -20

Таблица 3

Электрофотографический Электростатический Остаточный потенциал, материалконтраст, ВВ

По прототипу560 .40

Предлагаемьй560О

Таблица 4

Электрофотографический Время полуспада потенциала, материалв темноте, с:

. По прототипу26,

Предлагаемьй.60

Составитель В. Шиманская Редактор А. ОгарТехред И.Попович Корректор М. Демчик

Заказ 3960/43Тираж 420Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий .113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

f

Изобретение относится к электрографии и позволяет повысить качество материала за счет улучшения его электрофизических характеристик. Электропроводящую подложку из дюралюминиевого сплава обезжиривают и помещают в ванну с фосфатирующим раствором, где проводят фосфатирование в течение 1,2-2 мин, при этом на подложке образуется фосфатная пленка толщиной 0,05-0,1 мкм. Затем подложку высушивают и помещают в вакуумную камеру . для нанесения на фосфатную пленку . сплава селен (Se) - фосфор (Р) - теллур (Те) при их соотношении, ат.%: Se 88,5-94,5; Р О,5-1,5; Те 5,0-10,0. После напьшения слоя Se-P-Te его поверхностный слой легируют путем пропускания .в камеру воздуха или кислорода и, поддерживая температуру материала 60-80 С, вьщерживают слой. 10 мин и затем охлаждают, Солщина легированного слоя составляет.1,5- 1,8 мкм. 1 з.п. ф-лы, 4 табл. (Л 00 со 4.