СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХСЛОЕВ Советский патент 1969 года по МПК G03G5/82 G03G13/22 

Описание патента на изобретение SU245555A1

Изобретение отнсится к электрографии, в частности к способу изготовления электрофотографических слоев.

Известен способ получения электрофотогдафических слоев, состоящий в том, что на подложку, подогретую до 120°С, наносят в вакууме селенид мышьяка, после чего охлаждают ее до комнатной температуры. Этим способом получают слои с абсолютной величиной чувствительности к монохроматическому свету, определяемой по полуспаду потенциала и равной 0,24 при максимуме Я 560 им, не превышающей чувствительность селеновых электрофотографических слоев в собственном максимуме (430 нм.

Выщеописанные селен-мышьяковые слои обладают чувствительностью к белому свету порядка 0,2-0,3 сек, так как они в 6-10 раз чувствительнее аморфных селеновых слоев, напыленных на неподогретую подложку, имеющих чувствительность не выше 0,03 . Таким образом, данные слои, обладая чувствительностью приблизительно такой, как Se-Те слои, примерно в два раза чувствительнее лучщих селеновых слоев (0,14 ), а по другим электрографическим параметрам значительно хуже последних, так как предельный положительный потенциал селен-мышьяковых слоев достигает

только 250 8, а время полного темнового спада потенциала составляет лишь 60-100 сек.

Цель изобретения - увеличить потенциал зарядки и чувствительность ко всей видимой и близкой инфракрасной области спектра электрофотографических слоев. Согласно изобретению способ получения электрофотографических слоев состоит в том, что на подложку, подогретую до 140-280°С, наносят в

вакууме селенид мышьяка, после чего охлаждают до комнатной температуры со скоростью 1-5 град/мин. Для осуществления способа можно применять селенид мышьяка, содержащий примеси, например теллур, таллий,

серу, сурьму, индий, галлий и другие.

Для предотвращения растрескивания и отслаивания слоя перед его напылением подложку обрабатывают тлеющим разрядом или прогревают в высоком вакууме при темпера1туре 300-400°С. Это повышает адгезию подложки. Ирименяющийся в качестве подложки дюралюминий также предотвращает отделение слоя, так как обладает коэффициентом теплового расширения, близким к сплавдм

As-Se.

Пример 1. Кварцевые ампулы чистят механически, промывают эмульгирующими растворами, прополаскивают дистиллированной водой и сушат. Навески селена и мышьяка в стехиометрическом соотношении загружают в ампулу и создают в ней вакуум до тор, после чего ампулу запаивают, нагревают в нечи при темнературе 700°С в течение 3 час и охлаждают до комнатной температуры в режиме выключенной печи. При прогреве и. охлаждении встряхивают ампулу для получения гомогенности снлава. Охлажденную ампулу разбивают и полученое вещество размельчают. Полированную дюралюминиевую подложку тщательно обезжиривают, промывают дистиллированной водой, сушат и помещают в вакуумную камеру. Размельченный сплав АзгЗез помещают в испаритель в количестве, обеспечивающем при его испарении толщину слоя 15-20 мк. Дюралюминиевую подложку до напыления обрабатывают тлеющим разрядом в форвакууме в течение 10 мин при плотности тока 1-3 MulcM. После этого температуру подложки доводят до 150°С и напыляют слой селенида мышьяка со средней скоростью наслоения 1 мк/мин. По окончании напыления подложку охлаждают в вакууме до комнатной температуры со скоростью 1-5 град/мин. Слои, изготовленные по предлагаемому способу из сплавов As-Se, обладают значительно лучшими параметрами по сравнению с известными электрофотографическими слоями. Они чувствительны во всей видимой области спектра. К белому свету они в 10 раз чувствительнее селен-теллуровых и известных селен-мышьяковых слоев и более чем на порядок превышают чувствительность лучших селеновых слоев, т. е. их чувствительность к белому свету, определенная по иолуспаду потенциала, не ниже 2 лк сек. Слои способны заряжаться до 1000 в, а время полного спада потенциала в темноте составляет 1,5- 3 мин. Максимум чувствительности при 550 нж равен 0, , что также превышает чувствительность лучших известных селен-теллуровых слоев (0,4 . Пример 2. Слои AsSei.sTlo.m изготавливают, ироводя операции и придерживаясь реЖИМОВ, аналогичных указанным в примере 1, с одним различием: запаянную ампулу с мышьяком, селеном и таллием прогревают в печи при температуре 900°С. Введение таллия в состав слоя обеспечивает сдвиг максимума чувствительности до 730 нм, что является существенным при эксплуатации слоев. Пример 3. Слои на основе сплавов селена с мышьяком изготавливают, проводя операции и придерживаясь режимов, аналогичных указанным в примерах 1 или 2, в зависимости от состава испаряемого вещества, с тем различием, что вместо дюралюминиевой подложки используют стеклянную с токопроводя-. щим слоем и нагревают ее до температуры 270°С, при которой наносят слой. Эти слои на стеклянной подложке при освещении со стороны слоя обладают той же чувствительностью и спектральным ее распределением, как и слои на металлической подложке, однако при освещении через подложку чувствительность имеется лишь к красному свету, т. е. в области слабой абсорбции. Это расширяет возможность применения селен-мышьяковых слоев. Например, они могут успешно использоваться для целей рефлексной электрофотографии. Предмет изобретения 1.Способ получения электрофотографических слоев нанесением в вакууме на подогретую подложку селенида мышьяка и последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью увеличения потенциала зарядки и чувствительности слоев ко всей видимой и близкой инфракрасной области спектра, подложку нагревают до 140-280°С, а охлаждение производят со скоростью 1-Б°С/мин.. 2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что применяют селенид мышьяка, содержащий различные примеси, например теллур, серу. 3.Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии, подложку перед нанесением селенида мышьяка обрабатывают, например, тлеющим разрядом.

Похожие патенты SU245555A1

название год авторы номер документа
Электрофотографический материал и способ его получения 1978
  • Шнейдман Исаак Борисович
  • Тазенков Борис Афанасьевич
  • Браницкий Виктор Владиславович
  • Мкртичан Альберт Андрясович
  • Сулоев Виталий Анатольевич
SU777633A1
Электрофотографический материал 1969
  • Бондаренко О.М.
  • Дронская Т.М.
  • Ислямов В.А.
  • Крутенюк В.А.
  • Подвигалкин П.М.
  • Тутова Э.В.
SU352582A1
Способ изготовления электрофотографического материала 1981
  • Кулемин Леонид Геннадьевич
  • Тамошюнас Стасис Ионович
SU957158A1
ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 1973
  • Изобретени Иностранцы Леон Андрэ Тойшер, Митчел Пауль Трубиски, Фрэнк Митчел Палермити Чарльз Левин Соединенные Штаты Америки
SU374867A1
Способ получения электрофотографического носителя 1987
  • Тазенков Борис Афанасьевич
  • Качанов Евгений Григорьевич
  • Евстропов Александр Николаевич
  • Артоболевская Елена Сергеевна
  • Кругликов Александр Сергеевич
SU1647505A1
Электрофотографический материал 1979
  • Подвигалкин Павел Михайлович
  • Тутова Эмма Валерьяновна
  • Куликова Эсфирь Васильевна
SU966656A1
Электрографический материал 1982
  • Балтрушайтис Хенрикас-Римантас Аугустинович
  • Бальчюнас Юозас Юргио
  • Сидаравичюс Донатас-Ионас Броневич
  • Шелкова Анна Феодосьевна
  • Анфилов Игорь Владимирович
  • Виноградова Галина Зиновьевна
  • Дембовский Сергей Аристахович
SU1068882A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ СЛОЕВ ДЛЯ МНОГОКРАТНОГО ПРОЯВЛЕНИЯ 1967
  • В. А. Б. Бан Лис, В. И. Гайд Лис, Э. А. Монтримас Н. Н. Маркевич
SU201916A1
Электрофотографический многослойный материал 1980
  • Кулемин Леонид Геннадьевич
  • Тамошюнас Стасис Ионович
SU911446A1
Электрофотографический материал 1981
  • Шелкова Анна Феодосьевна
  • Бальчюнас Юозапас Юргевич
  • Викторавичюс Станиславас Юозопово
  • Виноградова Галина Зиновьевна
  • Сидаравичюс Ионас-Донатас Броняус
  • Таурайтене Сигита Альфонсовна
  • Мельман Алексей Владимирович
  • Дембовский Сергей Аристархович
SU989525A1

Реферат патента 1969 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХСЛОЕВ

Формула изобретения SU 245 555 A1

SU 245 555 A1

Авторы

А. С. Лукацка К. П. Паб Ржис, Б. К. Ракаускене, С. А. Таурайтене

А. С. Таурайтис

Научно Исследовательский Институт Электрографии

Даты

1969-01-01Публикация