j; 4 о:
;о
00
Изобретение относится к фототер МОпластическим материалам и мояет быть использовано в области микросуммирования и голографии для изго товления электрофотографических материалов для регистрации, храненияо и воспроизведения информации.
Цель изобретения - улучшение качества материала за счет повьшения фоточувствительности при сохранении дифракционной эффективности и соотношения сигнал/шумо
II Ф и м е р 1 (известный). Фототермопластический материал готовят нанесением деформируемого слоя из канифоли на полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем из Ni тотациной 2 мкм на деформируемьй слой термическим испарением в вакууме наносят слой аморфного селена толищной 0,10 мкм,
Пример 2. (известный). Фото- термопластический материал готовят
1444698 2
Пример 6.Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мышьяк-теллур-сера имеет состав 88-8-2-2 масо% соответственно
Пример,, Фототермош1ас:ти- ческий материал готовят аналогично
10 примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен-мышьяк отеллур-сера имеет состав 86-4-6-4 мас.% соответственно, П р и м е р 8. Фототермопласти15 ческий материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мышьяк-теллур-сера имеет состав 89-4-6-1 мас,% соответственно,
20 Пример9, Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мышьяк-теллур-сера имеет состав
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Фототермопластический материал для записи информации | 1981 |
|
SU1108384A1 |
Фототермопластический материал | 1981 |
|
SU1040460A1 |
Фототермопластический материал | 1980 |
|
SU896591A1 |
Электрофотографический материал | 1980 |
|
SU935865A1 |
Способ записи оптической информации на электрофотографическом носителе | 1982 |
|
SU1056126A1 |
Способ получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропроводящую подложку | 1982 |
|
SU1071993A1 |
ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1973 |
|
SU374867A1 |
Способ определения дифрактометрических характеристик фототермопластических носителей записи | 1990 |
|
SU1748139A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА | 1974 |
|
SU439099A3 |
Электрофотографический элемент для получения изображения | 1977 |
|
SU1378794A3 |
Изобретение относится к области микрофильмирования и голограф1Ш и позволяет улучшить качество материала за счет повышения фоточувстви- тельности .при сохранении дифракционной эффективности и отношения сигнал/ шум. На полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем последовательно наносят полимерный деформируемый слой, фотопроводниковый слой из аморфного селена толщиной 0,0i2 - 0,06 мкм и слой из сплава Se-As-Te-S при следующем соотношении компонентов, мас.%: Se 82-93; As 2-8; Те 2-8; S 1-4. 1 табл. (Л
аналогично примеру t, за исключением 25 86-6-6-2 мас,% Соответственно, того, что в качестве деформируемого слоя использзпот композицию NyjN-ди- фенилгидразон п-диметиламинобензаль- дегида и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении 10:90, 30
ПримерЗ, Фототермопластйчес- кий материал готовят нанесением композиции NiN-дифенилгидразон п-ди метиламинобензальдеГида и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении 10:90 из раствора на металлизированную никелем полизтилентерефталатную подложку. Толщина полимерной композиции составляет 2 мкм.
На полимерный деформируе яый слой сверху термическим испарением в вакууме наносят слой аморфного селена толщиной 0,02 мкм,а затем слой композиции селен-мьтьяк-теллур сера при следующем соотношении компонен- З-ов, мас.%: Se 88; As 2; Те 8; S 2, толщиной 0,08 мкм,
Пример 4, Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исклн чением того, что фотопроводниковая композиция селен- мышьяк-теллур-сера имеет состав 88-6-4-2 масо% соответственно
Пример 10о Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мьшьяк-теллур-сера имеет состав 82-8-8-2 маео% соответственно.
Пример 11о Фототермрипасти- ческий материал готовят аналогично- примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мьппьяк-теллур-сера имеет состав ЧЗ-2-2-2 масо% соответственно.
Пример 12, Фототермопластический материал готовят аналогично
примеру 5 за исключением того, что толщина селенового слоя составляет 0,04 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллурч-сера 0,06 мкм,
45 I
Пример 13, Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, за исключением того, что толщина селенового слоя составляет
50 0,06 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллур-сера 0,04 мкм.
Пример 14, ФототермопластиПримерЗ. Фототермопластичес-ческий материал готовят аналогично
кий материал готовят аналогично при- примеру 5, за исключением того, чт(
меру 3, за исключением того, чтотолщина селенового;слоя составляет
фотопроводниковая композиция селен-0,06 мкм, а фотопроводниковой коммьшшякгтеллур-сера имеет составпозиции селен-мьш1ь як-теллур-сера
g8 4-6-2 мас.% соответственно.0,08 мкм.
86-6-6-2 мас,% Соответственно,
Пример 10о Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мьшьяк-теллур-сера имеет состав 82-8-8-2 маео% соответственно.
Пример 11о Фототермрипасти- ческий материал готовят аналогично- примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мьппьяк-теллур-сера имеет состав ЧЗ-2-2-2 масо% соответственно.
Пример 12, Фототермопластический материал готовят аналогично
примеру 5 за исключением того, что толщина селенового слоя составляет 0,04 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллурч-сера 0,06 мкм,
I
Пример 13, Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, за исключением того, что толщина селенового слоя составляет
0,06 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллур-сера 0,04 мкм.
Пример 15. Фототермопласти- ческий материал готовят аналогично примеру 5, за исключением того,что толщина селенового слоя составляет 0.02 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллур-сера О,10 мкм.
Пример 16. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция имеет следующий состав: селен-мьшьяк-тел- лур, при соотношении 90-4-6 маеЛ соответственно.
Результаты испытаний материала по примерам 1-16 приведены в таблице.
Из таблицы видно, что фоточувствительность предлагаемого фототермо- пластического материала (примеры 3- 13) по сравнению с известным в 2,5- 7,5 раз выше при сохранении высоких значений дифракционной эффективности и соотношения сигнал/шум.
Формула изобретения
Фототермопластический материал
состоящий из полиэтилентерефталат-
ной подложки с проводящим слоем и
нанесенных на нее последовательно полимерного деформируемого слоя и фотопроводникового слоя из аморфного селена, отличающий- с я тем, что, с целью улучшения -качества материала за счет повьшения фоточувствительности при сохранении дифракционной эффективности и соотношения сигнал/шум, материал дополнительно содержит слой из сплава селен-мьш1ьяк-теллур-сера при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Селен 82-93
Мышьяк 2-8
Теллур2-8
Сера1-4
толщиной 0,04-0,08 мкм, расположен ный поверх селенового слоя толщиной 0,02-0,06 мкм.
0,10
250
0,04
Прямечаяие. Толщина полтерного слоя 2,0 мкм. Дифракционная эффективность определялась при f 100 мм . Электрофотографическая чувствительность при Е 1,4 лк..
Продолжение таблицы
Фототермопластический материал | 1980 |
|
SU896591A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Активный полосовой пьезоэлектрический фильтр | 1990 |
|
SU1817226A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Авторы
Даты
1988-12-15—Публикация
1987-05-18—Подача