Фототермопластический материал Советский патент 1988 года по МПК G03G5/22 G03G5/08 

j; 4 о:

;о

00

Изобретение относится к фототер МОпластическим материалам и мояет быть использовано в области микросуммирования и голографии для изго товления электрофотографических материалов для регистрации, храненияо и воспроизведения информации.

Цель изобретения - улучшение качества материала за счет повьшения фоточувствительности при сохранении дифракционной эффективности и соотношения сигнал/шумо

II Ф и м е р 1 (известный). Фототермопластический материал готовят нанесением деформируемого слоя из канифоли на полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем из Ni тотациной 2 мкм на деформируемьй слой термическим испарением в вакууме наносят слой аморфного селена толищной 0,10 мкм,

Пример 2. (известный). Фото- термопластический материал готовят

1444698 2

Пример 6.Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мышьяк-теллур-сера имеет состав 88-8-2-2 масо% соответственно

Пример,, Фототермош1ас:ти- ческий материал готовят аналогично

10 примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен-мышьяк отеллур-сера имеет состав 86-4-6-4 мас.% соответственно, П р и м е р 8. Фототермопласти15 ческий материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мышьяк-теллур-сера имеет состав 89-4-6-1 мас,% соответственно,

20 Пример9, Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мышьяк-теллур-сера имеет состав

Изобретение относится к области микрофильмирования и голограф1Ш и позволяет улучшить качество материала за счет повышения фоточувстви- тельности .при сохранении дифракционной эффективности и отношения сигнал/ шум. На полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем последовательно наносят полимерный деформируемый слой, фотопроводниковый слой из аморфного селена толщиной 0,0i2 - 0,06 мкм и слой из сплава Se-As-Te-S при следующем соотношении компонентов, мас.%: Se 82-93; As 2-8; Те 2-8; S 1-4. 1 табл. (Л

аналогично примеру t, за исключением 25 86-6-6-2 мас,% Соответственно, того, что в качестве деформируемого слоя использзпот композицию NyjN-ди- фенилгидразон п-диметиламинобензаль- дегида и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении 10:90, 30

ПримерЗ, Фототермопластйчес- кий материал готовят нанесением композиции NiN-дифенилгидразон п-ди метиламинобензальдеГида и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении 10:90 из раствора на металлизированную никелем полизтилентерефталатную подложку. Толщина полимерной композиции составляет 2 мкм.

На полимерный деформируе яый слой сверху термическим испарением в вакууме наносят слой аморфного селена толщиной 0,02 мкм,а затем слой композиции селен-мьтьяк-теллур сера при следующем соотношении компонен- З-ов, мас.%: Se 88; As 2; Те 8; S 2, толщиной 0,08 мкм,

Пример 4, Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исклн чением того, что фотопроводниковая композиция селен- мышьяк-теллур-сера имеет состав 88-6-4-2 масо% соответственно

Пример 10о Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мьшьяк-теллур-сера имеет состав 82-8-8-2 маео% соответственно.

Пример 11о Фототермрипасти- ческий материал готовят аналогично- примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мьппьяк-теллур-сера имеет состав ЧЗ-2-2-2 масо% соответственно.

Пример 12, Фототермопластический материал готовят аналогично

примеру 5 за исключением того, что толщина селенового слоя составляет 0,04 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллурч-сера 0,06 мкм,

45 I

Пример 13, Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, за исключением того, что толщина селенового слоя составляет

50 0,06 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллур-сера 0,04 мкм.

Пример 14, ФототермопластиПримерЗ. Фототермопластичес-ческий материал готовят аналогично

кий материал готовят аналогично при- примеру 5, за исключением того, чт(

меру 3, за исключением того, чтотолщина селенового;слоя составляет

фотопроводниковая композиция селен-0,06 мкм, а фотопроводниковой коммьшшякгтеллур-сера имеет составпозиции селен-мьш1ь як-теллур-сера

g8 4-6-2 мас.% соответственно.0,08 мкм.

86-6-6-2 мас,% Соответственно,

Пример 10о Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мьшьяк-теллур-сера имеет состав 82-8-8-2 маео% соответственно.

Пример 11о Фототермрипасти- ческий материал готовят аналогично- примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- мьппьяк-теллур-сера имеет состав ЧЗ-2-2-2 масо% соответственно.

Пример 12, Фототермопластический материал готовят аналогично

примеру 5 за исключением того, что толщина селенового слоя составляет 0,04 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллурч-сера 0,06 мкм,

I

Пример 13, Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, за исключением того, что толщина селенового слоя составляет

0,06 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллур-сера 0,04 мкм.

Пример 15. Фототермопласти- ческий материал готовят аналогично примеру 5, за исключением того,что толщина селенового слоя составляет 0.02 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллур-сера О,10 мкм.

Пример 16. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция имеет следующий состав: селен-мьшьяк-тел- лур, при соотношении 90-4-6 маеЛ соответственно.

Результаты испытаний материала по примерам 1-16 приведены в таблице.

Из таблицы видно, что фоточувствительность предлагаемого фототермо- пластического материала (примеры 3- 13) по сравнению с известным в 2,5- 7,5 раз выше при сохранении высоких значений дифракционной эффективности и соотношения сигнал/шум.

Формула изобретения

Фототермопластический материал

состоящий из полиэтилентерефталат-

ной подложки с проводящим слоем и

нанесенных на нее последовательно полимерного деформируемого слоя и фотопроводникового слоя из аморфного селена, отличающий- с я тем, что, с целью улучшения -качества материала за счет повьшения фоточувствительности при сохранении дифракционной эффективности и соотношения сигнал/шум, материал дополнительно содержит слой из сплава селен-мьш1ьяк-теллур-сера при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Селен 82-93

Мышьяк 2-8

Теллур2-8

Сера1-4

толщиной 0,04-0,08 мкм, расположен ный поверх селенового слоя толщиной 0,02-0,06 мкм.

0,10

250

0,04

Прямечаяие. Толщина полтерного слоя 2,0 мкм. Дифракционная эффективность определялась при f 100 мм . Электрофотографическая чувствительность при Е 1,4 лк..

Продолжение таблицы