конструк- схема рас
И-зобретение относится к измерител ной технике и может быть использовано для измерения давления при работе п условиях действия термоудара криогенной температуры.
Цель изобретения - повышение точности в условиях действия термоудара криогенной температуры.
На фиг, 1 представлена ция датчика; на фиг. 2а - положения тензорезисторсв на мембране; на фиг. 26 - мостовая измерительная цепь; на фиг. 3 - распределение температуры по поверхности мембраны; на фиг. 4 - термоударные характеристики (графики) прототипа и предлагаемой конструкции.
Предлагаемый датчик давления (фиг. 1) содержит корпус 1, восприни мающую мембрану 2, выполненную заодно со штуцером 3. На мембране 2 установлены тензорезисторы 4, 5 и 6, 7 в окружном и радиальном направлениях .
Расположение тензорезисторов на мембране показано на фиг. 2а, Тензорезисторы R2 и R3 (на фиг. тензорезисторы 6 и 7), расположенные в окружном направлении, установлены по окружности, радиус которой
. 1
тр
где Г., - расстояние от центра мембраны до середины радиальных тенэорезисторов R1 и Б4 (на фиг. 1 тензорезисторы 4 и 5); - длина радиального тензорезистора.
Все тензорезисторы собраны в мостовую измерительную цепь, представленную на фиг. 25.
Датчик работает следующим образом .
При подаче измеряемого давления через штуцер 3 на воспринимающую мембрану 2 (фиг. 1) последняя прогибается, тензорезисторы R1 и R4 (фиг. 2) испытывают радиальную деформацию, а тензорезисторы R2 и R3 - окружную. Вследствие этого на выходе мостовой измерительной цепи появляряемому давлению.
При действии термоудара криогенной температуры, например температурой Т -196(: (жидкий азот,, темпсра
5
0
тура на поверхности воспринимающей мембраны распределяется как показано на фиг. 3 (раснреД1.и1ение пoлyчe io на основе экспериментальных данных).
Вследствие неравномерного распределения температуры по радиусу температура в различных -очках тензорезисторов R1 и R4 неодинакова. Значение температуры минимально вблизи центра и максимально на периферии.
Изменение сопротивлений радиальных тензорезисторов IU и К4 под действием термоудара ог1р1;деляется средним значением темнературы краев этих тензорезисторов. Из термоударной характеристики (фиг. 3; видно, что значение температуры, соответствующее среднему значению температуры краев радиальных тензорезигторов R1 и К4, находится на расстоянии г от центра мембраны и его можно определить по формуле
0
25
0
5
0
5
0
где г„ Чрасстояние от центра мембраны до середины радиальных тензорезисторов; длина радиального тензоре- зистора.
В датчике окружные тензорезисторы R2 и R3 установлены своей серединой по окружности радиусом г и значение температуры этих тензорезисторов равно средней температуре тензорезисторов R1 и R4. Поэтому изменение сопротивлений тензорезисторов R2 и R3 (окружных) под действием термоудара равно изменению сопротивлений тензорезисторов R1 и К4 (радиальных), а так как тензорезисторы R1, R2, Р.З и R4 образуют плечи моста, то сигнал на выходе измерительной цепи не изменяется при возде11ствии термоудара. Температурная погрешность становится практически равной нулю.
Аддитивная температурная чувствительность датчика, характериз то1чая температурную погрешность, определяется выражением
5
п :г :L l -- :i. -L
oi 4
1 f
а з,
где Ы,
RI
температурные коэф- Липиенты сопротивления тензорезигторов , Р2, R3, R4 соответственно с
le..учетом температурного поля; относительное изме- некие сопротивлени всех плеч мостовой цепи от номинального давления.
Для предлагаемой конструкции ai о( 4 поэтому из выражения (l) следует, что 0.
На фиг. представлены графики изменения начального выходного сигнала прототипа и датчика предлагаемой конструкции при воздействии на приемную полость жидкого азота (термоудар), из которых видно, что скачкообразное изменение начального выходного сигнала (а следовательно, и величина погрешности) в предлагаемой конструкции практически отсутствует, а температурная погрешность не превышает погрешности в стационарном температурном режиме.
Предлагаемое изобретение позволяет уменьп1ить температурную погрешность в условиях действия термоудара криогенной температуры, тем самым повысить достоверность получаемой информации о величине давления.
Предлагаемый безтермоударный датчик давления выгодно отличается от
0
5
0
известных и может найти I lupoKoi применение для измерении давлсинг, тз условиях действия т -:рмоуд; рл криогенной Температуры.
Формула изобретения
Датчик давления, содержащий корпус, воспринимающую давление мембрану, на которой установлены тензоре- зисторы но дуге окружности и в радиальном направлении, включенные в мостовую измерительную схему, о т- ЛИЧ-. ающийся Тем, что, с целью повьпиения точности в условиях действия термоудара криогенной температуры, в нем тензорезисторы , расположенные по дуге окружности, своей срединной частью размшчены на окружности с радиусом
1
ТР
25
где г - расстояние от центра мембраны до Середины тензорезисто- ра, установленного в радиальном направлении; длина тензорезистора, уста- новле}1Ного в радиальном направлении.
Ч
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Датчик давления | 1990 |
|
SU1751645A1 |
Датчик давления | 1987 |
|
SU1474486A1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2009 |
|
RU2391640C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2009 |
|
RU2397460C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 2011 |
|
RU2464538C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 2023 |
|
RU2805781C1 |
ТЕРМОУСТОЙЧИВЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С МЕМБРАНОЙ, ИМЕЮЩЕЙ ЖЁСТКИЙ ЦЕНТР | 2015 |
|
RU2601613C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ И ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ЕГО ОСНОВЕ | 2009 |
|
RU2398195C1 |
ТЕРМОУСТОЙЧИВЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 2008 |
|
RU2375689C1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 2003 |
|
RU2235981C1 |
Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить точность измерений в условиях действия термоудара криогенной т-ры. На воспринимающей мембране 2, выполненной заодно со штуцером 3, размещень 1ензорезисторы 4, 5, 6, 7 в окружном и в радиальном направлениях, собранные в мостовую цепь. Прогиб воспри- нимаьэщей мембраны 2 вызывает появление на выходе мостовой цепи электрического сигнала. Воздействие термоудара на датчик не изменяет выходного сигнала вследствие установки тен- зорезисторов 4 и 5 срединной частью на окружности с опредилепным радиусом (гфиведена ф-.ча для расчета радиуса). А ил. (Л со со а со (риг i
(
7(K4J
5Глз;
Я1
UtC f l
ФигЗ
40 Ю КГ 25
5
5
О
Прввлапемая паистрднция
Z
Редактор 1.Петрова
ФигЛ
Составитель О.Слюсарев Техред М.Моргентал
4119/37
Тираж 776Подписное
ВНИШШ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. 11роектнг я, 4
ю
15
20
t(MUH)
Корректор М.и1ароши
Патент ФРГ N 1473689, кл | |||
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 0 |
|
SU301582A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1987-09-15—Публикация
1986-03-20—Подача