Пересечение микрополосковых линий Советский патент 1987 года по МПК H01P1/04 

1 1

Изобребение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано при построении интегральных схем.

Цель изобретения - упрощение конструкции пересечения микрополосковых линий,

На фиг,1 показано пересечение мик рополосковых линий; на фиг,2 - разрез А-А на фиг,I; на фиг,3 -.вид Б на фиг,2,

Пересечение микрополосковых линий содержит диэлектрическую подложку I, на одной стороне которой размещено заземляющее основание 2, а на другой стороне - первый 3 и второй 4 токонесущие проводники. Первый токонесущий проводник 3 имеет разрыв, в кото ром проходит второй токонесущий про водник 4. Концы 5 и 6 разрыва первого токонесущего проводника 3 соеди- мены с третьим токонесуш.им проводником 7, расположенным в окне 8, выполненном в заземляющем основании 2, через проводники 9, размещенные в отверстиях диэлектрической подложки 1, Между концами 5 и 6 разрыва перво го токонесущего проводника 3 и вторым токонесущим проводником 4 размещены введенные дополнительные отрезки 10 и 11 проводников, изолированные от первого 3 и второго 4 токонесущих проводников и соединенные с заземляющим основанием 2 проводниками 12, размещенными в отверстиях, выполненных в диэлектрической подложке 1 ,

Пересечение микрополосковых линий работает следующим образом,

СВЧ-сигнал, поданный на первый токонесущий проводник 3, проходит по нему через проводники 9 и третий токонесущий проводник 7, Развязка по СВЧ-полю между первым 3 и вторым 4 токонесущими проводниками обеспечивается введением дополнительных отрезков 10 и II проводников, соеди379402

ненных Проводниками 12 с заземляющим основанием 2 и благодаря этому экранирующих, первый 3 и второй 4 токо- несуп ие проводники.

Для увеличения развязки между первым 3 и вторым 4 токонесущими проводниками возможно выполнение второго 4 и третьего 7 токонесущих провод1Q НИКОВ с зазорами в месте их скрещивания. Заземляющее основание 2 проходит через зазор третьего токонесущего проводника 7, дополнительные отрезки 10 и И проводников соединены пере15 мычкой, расположенной в зазоре второго токонесущего проводника 4, а точки разрывов второго 4 и третьего 7 токонесущих проводников соединяются воздушными перемычками,

20

Формула изобретения

Пересечеуше микрополосковых линий , содержащее диэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещено заземляющее основание, а на другой стороне - токонесущие проводники, первый из которых имеет разрыв, в,котором проходит второй токонесущий проводник, а концы разрыва

30 первого токонесущего проводника соединены с третьим токонесущим проводником через проводники, размещенные в отверстиях в диэлектрической подложке , отличающееся

35 тем, что, с целью упрощения конструкции, третий токонесущий проводник расположен в окне, выполненном в заземляющем основании, а между вторым токонесущим проводником и конца40 ми разрыва первого токонесущего проводника размещены введенные дополнительные отрезки проводников, изолированные от первого и второго токо- несущ1гх проводников и соединенные с

45 заземляющим основанием проводниками, дополнительно введенными и размещенными в отверстиях, которые выполнены в диэлектрической подложке.

25

сриг.1

Изобретение относится к технике СВЧ и упрощает конструкцию. СВЧ-сигнал, поданный на 1-й токонесущий проводник (ТП) 3, проходит по нему через проводники 9, размещенные в ди- электрич. подложке 1, и 3-й ТП. Развязка по СВЧ-полю между 1-м ТП 3 и 2-м ТП 4 обеспечивается введением дополнительных отрезков 10 и 11 проводников, соединенных проводниками 12 с заземляющим основанием. Для увеличения развязки между ТП 3 и 4 возможно выполнение ТП 4 и 3-го ТП с зазорами в месте их скрещивания. Заземляющее основание проходит через зазор 3-го ТП, отрезки 10 и II соединены перемычкой, расположенной в зазоре ТП 4, а точки разрывов ТП 4 и 3-го ТП соединяются воздушными перемычками. 3 ил. i а с 00 САЭ 4 фиг.З

13 Ю П 3 9

х / / / / /

Ф1/г.2