Микрополосковая нагрузка Советский патент 1986 года по МПК H01P1/26 

. Изобретение относится к технике. СВЧ. Известна микрополосковая нагрузк с фиксированной фазой коэффициента отражения, представляющая собой вариант включения или заземления сосредоточенных или распределенных ре зисторов в микрополосковой линии. Недостатком этой микрополосковой линии является относительно высокое значение КСВН (1,1-1,2). Известна также микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическу подложку, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник, а на другой - заземляющее основание,при этом к токонесущему проводнику подключен резистор, другой конец которого соединен с зaзe fflяющим основанием. Однако эта известная микрополосковая нагрузка не обеспечивает хоро шего согласования и высокой допусти мой мощности. Цель изобретения - улучшение согласования и увеличение допустимой рабочей мощности. Для этого в известной микрополос ковой нагрузке на диэлектрической подложке вдоль токонесущего проводника размещен объемный поглотитель, имеющий форму тела вращения, усечен ного по оси, образующая которого описывается выражением A(x) 10W/e где W - ширина токонесущего проводни ка, А - значение ординаты образующей, X - текущее значение длины объемного поглотителя, отсчитываемо от его конца, ближайшего к резистор К - коэффициент, лежащий в пре/хелах 12-14, при этом Ади,н 0,25W 0S , На чертеже приведена конструкция микрополосковой линии, Микрополосковая линия содержит диэлектрическую подложку 1,.на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник 2, а на другой стороне заземляющее основание 3, при этом к токонесущему проводнику 2 подключен резистор 4, другой конец которого соединен с заземляющрад основанием 3, на диэлектрической подложке 1 вдоль токонесущего проводника 2 размещен объемный поглотитель 5, имеющий форf тела вращения, усеченного по оси, образующая которого описывается выражением A(x) lOW/e , причем К 12-14, а Ад, 0,25W. При изготовлении объемного поглотителя 5 из ферроэпоксида К 12, при изготовлении из полижелеза , Микрополосковая нагрузка работает следующим образом. Объемный поглотитель 5 практически не изменяет собственного КСВН регулярной микрополосковой линии и обеспечивает развязку между входом ю-1крополосковой линии и резистором 4, За счет наличия развязки отражения, вызываемые несовершенством резистора 4 и качеством его заземления, на вход микрополосковой нагрузки не попадают, а большая часть мощности, поданной на микрополосковую нагрузку, рассеивается в объемном поглотителе, не достигая резистора 4, КСВН такой микрополосковой нагрузки практически совпадает с собственным КСВН регулярной микрополосковой линии. Таким образом, введе:лие объемного поглотителя позволяет у1 еньшить КСВН Микрополосковой HarpysKii, т.е. улучшить согласование, а увеличить допустимую рабочую мощность.

МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник, а на другой заземляющее основание, при этом к токонесущему проводнику подключен резистор, другой конец которого соединен с заземляющим основанием, отличающаяся тем, что, с целью улучшения согласог ания и увеличения допустимой рабочей мощности, на диэлектрической подложке вдоль токонесущего проводника размещен объемный поглотитель, имеющий форму тела вращения, усеченного по оси, образующая которого описывается выражением: А(х) lOW/e ,где W - ширина токонесущего проводника; А - значение ординаты образующей; X - текущее значение длины объемного поглотителя, отсчитываемое от его конца, бли айщего к резистору; К (П коэффициент, лежащий в пределах 1214, при этом 0,25W. g ;о сд со