Скрещивание микрополосковой и щелевой линий Советский патент 1984 года по МПК H01P3/08 

СО

со со со Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано при построении интегральных схем. Известно скрещивание микрополосковой и щелевой линий, содержащее диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник, а на другой заземляющее основание, в котором выполнена щель При этом токонесущий проводник и щел перекрещиваются под прямым углом 1 Недостатком известного скрещивания микрополосковой и щелевой линий является отсутствие развязки между линиями. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является скрещивание микрополосковой и щелевой линий, содержащее диэлектрическую подложку, на одной стороне к,оторой нанесен токонесущий проводник, а на другой - заземляющее основание, в котором выполнена щель. При этом щель скрещивается с токонесущим проводником под малым углом 2. Недостатком известного скрещива.ния микрополосковой и щелевой линий является малая величина развязки между линиями, вызванная тем, что из вестному скрещиванию микрополосковой и щелевой линий присущи свойства направленного ответвителя. Цель изобретения - увеличение раз вязки между щелевой и микрополосковой линиями. Поставленная цель достигается тем что в скрещивании микрополосковой и щелевой линий, содержащем диэлекг трическую подложку, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник, а на другой - заземляющее основание, в котором выполнена щель щел в зоне перекрытия токонесущего проводника выполнена в форме полуволнойой петли, плечи которой параллельны и расположены симметрично относитель но продольной оси токонесущего проводника, при этом щирина W токонесу щего проводника, ширина 5 щели и рас стояние d между плечами связаны соот ношением 5S d«W. На чертеже показано скрещивание микрополосковой и щелевой линий. Скрещивание микрополосковой и щелевой линий содержит диэлектрическую подложку I, на одной стороне которой нанесен.токонесущий проводник 2, а на другой - заземляющее основание 3, в котором выполнена щель 4. Щель 4 в зоне перекрытия токонесущего проводника 2 выполнена в форме полуволновой петли 5, плечи 6 которой параллельны и расположены-симметрично относительно продольной оси токонесущего проводника 2. Ширина W токонесуидего проводйика 2, ширина S щели 4 и расстояние d между плечами б связаны соотношением 5S d : W. Скрещивание микрополосковой и щелевой линий работает следующим образом. При подаче СВЧ сигнала на микрополосковую линию в щели 4 возбуждаются две волны, распространяющиеся в обоих направлениях. Благодаря наличию полуволиовой петли 5 эти волны сдвинуты по фазе на 180°и благодаря симметрии плеч 6 относительно оси токонесущего проводника равны по амплитуде, в результате чего эти волны взаимно компенсируются и передачи мощности из микрополосковой линии в щелевую не происходит. Так как скрещивание микрополосковой и щелевой линий взаимно, развязка между ними имеет место и при подаче СВЧ сигнала на щелевую линию. Выполнение соотношения 5S 4 d W необходимо для получения хорошей развязки между микрополосковой и щелевой линиями. При d 5S между плечами 6 полуволновой петли 5 имеется заметная электромагнитная связь, в результате чего ухудшается развязка между микрополосковой и щелевой линиями. При чрезмерном увеличении расстояния d между плечами б и нарушении условия d «W развязка между микрополосковой и щелевой линиями ухудшается за счет некомпенсируемого возбуждения вершины полуволновой петли 5. Параллельность плеч 6 необходима для обеспечения отсутствия их возбуждения СВЧ сигналом, поданным на микрополосковую линию. Предлагаемое скрещивание микрополосковой и щелевой линий обеспечивает развязку между ними порядка 17 дБ в 20% полосе частот, при сохранении свойственных прототипу компактности и технологичности.

СКРЕЩИВАНИЕ МИКРОПОЛОСКОВОЙ И ЩЕЛЕВОЙ ЛИНИЙ, содержащее диэлектрическую подложку на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник, а на другой - заземляющее основание, в котором выполнена щель, отличающеес я тем, что, с целью увеличения развязки между щелевой и микрополосковой линиями, щель в зоне перекрытия токонесущего проводника выполнена в форме полуволновой петли, плечи которой параллельны и расположены симметрично относительно продольной оси токонесущего проводника, при этом ширина W токонесущего проводника, ширина S щели и расстояние d между плечами связаны соотношением 5S d « W (Л