Способ фотографирования на галоидосеребряном фотоносителе быстропротекающих процессов со случайной величиной экспозиции меньшей порога чувствительности фотоматериала Советский патент 1987 года по МПК G03G17/00 

1

Изобретение относится к фотографии,, и предназначено для фоторегистрации быстропротекающих процессов в условиях заранее неизБестной очень малой яркости или осгзещенности объекта.

Целью изобретения является повышение качества фотографирования путем уменьшения злектроиндуцируемой вуали.

Сущность способа заключается в следующем.

Фотоматериал экспонируют с одновременным измерением величины экспозиции, а затем осуществляют усиление скрытого изображения, воздействуя на него импульсным электрическим полем длительностью не более 3-iO с с временным сдвигом относительно момента экспонирования, соответствующим измеренной экспозиции. Амплитуда импульсного электрического поля постоянна. После усиления скрытого изображения осуществляют фотохим1 - ческута обработку.

Способ осуществляют следующим образом.

При протекании процесса, который необходимо зарегистрировать на фотоматериале, производят экспонометри- рование светового потока, падающего на фотоматериал, одновременно происходит экспонирование фотоматериала. Затем данные о величине экспозиции поступают на анализатор, в основу которого график, приведенный например, для фотопленки РМ-1.

В зависимости от величины светового потока определяют момент подачи высоковольтного импульса. Импульсы

Составитель В. Ак с е ио в Редактор И. Шулла Техрнд Н.ДидыкКорректор С, Шекмар

Заказ 5996/47 Тираж 421Подписное

ВНИШИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж-35. Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полнграфич.еское предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4.

579092

высокого напряжения прикладывают к фотоматериалу, что приводит к получению негативов с заданной оптимальной плотностью почернения. При экснони- ровании свободный эпектрон, образовавшийся в микрокристалле галогенида серебра, захватывается мелкой ловушкой. Если в это время к микрокристаллу приложить электрическое поле, то появляется возможность туннелирова- ния электрона из ловушки в зону проводимости, где затем число свободных электронов растет за счет лавинного 5 размножения. При больших времен.ах растет вероятность захвата электрона в глубокие ловушки с большим временем жизни в них.

10

20

Формула

зобретения

Способ фотограф1- рования на галоидо- серебряном фотоносителе быстропротекающих процессов со случайной величи- ной экспозиции, меньшей порога чувствительности фотоматериала, включающий экспонирование фотоматериала с одновременным измерением величины экспозиции, усиление скрытого изображения воздействием на него импульс5

ного электрического поля длительностью не более 3-10 си фотохимической обработкой, отличающий- с я тем, что, с целью повышения качества фотографирования путем уменьшения электроиндуцируемой вуали, воздействие на носитель электрическим полем осуществляют с временным сдвигом относительр о момента экспони- рован ия, соответствуюшим измеренной экспозиции, при независящей от эксно- зиции амплитуде электрического поля.

Изобретение относится к способу фотографирования на галоидсеребряном фотоносителе быстропротекагощих процессов со случайной величиной экспозиции, меньшей порога чувствительности фотоматериала, и позволяет повысить качество фотографирования путем уменьшения электроиндуцируемой вуали. Фотоматериал экспонируют и однорре- менЕЮ измеряют величину экспозиции. Затем осуществляют усиление скрытого изображения, воздействуя на него импульсным электрическим полем. Дпи- . тёльность воздействия составляет не более с временным сдвигом относительно момента экспонирования, соответствующим измеренной экспозиции. Амплитуда импульсного поля постоянна. (Л 00 ел Ч СО