Способ записи скрытого изображения на галогеносеребряном фотоносителе Советский патент 1983 года по МПК G03C5/42 

Изобретение относится к фотозграфии и может быть применено для регистрации информации г например для Фоторегистр Ещии сигналов быстропротекающих процессов с экранов осциллографов. Известен способ записи скрытого изображения на галогеносеребряном , фотоносителе,включающий его экспонир вание в импульсном электрическом поле Скрытое изображение получают на крупнозернистой фотопленке, распо ложениой между -двумя электродами, один из которых прозрачен. Вмомент экспонирования импульсным источнико света на электроды подают импульсное напряжение, создающее электрическое поле между электродами до 6 -10 В/см 1 . Недостатками известного способа являются нестабильность эффекта пол что снижает качество фотографического изображения, и большой амплитудное значение напряженности поля, которое может вызвать электрический пробой фотопленки и в результате за светку кадра и выход из строя стеклянного электрода. Цедь изобретения - повышение чув ствительности и надежности записи при регистрации световых сигналов м .Лой длительности и яркости Поставленная цель достигается тем,-что согласно способу записи скрытого изображения, на галогеНосеребряном фотоносителе, включающему его экспонирование в импульсном электрическом поле, время нарастания переднего фронта импульсов поля выбирают не менее чем в два раза меньшим времени электрической поляризации фотоносителя при амплитудном значении поля 2-410 В/см. Сущность изобретения заключается Б установлении дополнительного определяюцего параметра электрического импульса, а именно длительности переднего фронта или скорости нарастания напряженности поля На чертеже изображена зависимость коэффициента увеличения чувствительности ЭЕ / So для различных фотоматериалов от длительности переднего фронта qp . при фиксированном значении амплитуды импульса. С ростом величины 2 ф эффект поля уменьшается и полностью исчезает при Сф 200 НС. Получить д,20 НС затруднительно, так как эта величина близка к теорети.ческому пределу для современных генераульсрв высокого напряжеТОРОЕ импульс -Ш , НИЯ t р -емкость системы электродо с расположеннсй внутри фо пленкой ХС -индуктивность линии(1,10 нГ) Длительность заднего фронта составляет величину порядка 1 мкс. Физическую основу явления, на котором строится предлагаемой способ, составляет лавинное размножение электронов в кристаллах галогенида серебра под действием электрического поля. Развитие электронной лавины в веществе имеет пороговый характер. Пороговое значение напряженное- ти Е может быть определено из соотношенияьи -; -энергия связи электрона;-длина-свободного пробега электрона в галогениде, - относительная диэлектрическая проницаемость галогенида и желатины е. - заряд электрона. , В реальных случаях В «« 2 -10 см, 4, ДЧ- 1-3 эЕ (меньшее значение - энергия связи электрона в серебряном кластере, большее - ширина запрещенной зоны галогенида). Это дает для пороговой напряженности значение Е 2 - . Повышение чувствительности сенсибилизированных эмульсий наблюдается при напряженности, превышающей , хотя эта величина зависит от ряда параметров эмульсии, наприМер от размеров микрокристаллов. Однако повышать амплитудное значение поля вБвие 4105в/г:м нецелесообразно, так как процесс усиления изображения в этом случае сопровождается резким ростом фотографической вуали, что снижает качество изображения Если микрокристалл галогенида серебра поместить во внешнее электрическое поле постоянной величины, то внутреннее поле релаксирует до нуля Это связано с движением междуузельных ионов серебра, концентрация которых довольно высока. Перемещение ионов приводит к образованию на краях микрокристалла поляризационных заря-дов, полностью компенсирующих во внутренней области микрокристалла приложенное внешнее поле. Опережение электрическим импульсом светового на 0,2 мкс полностью убирает эффект поля, т.е. внутреннее поле релаксирует в течение 0,2-0,3 МКС. Одна и та же амплитуда напря2кенности внутреннего поля может быть достигнута при различных амплитудах внешнего поля путем изменения длительности фронта,, Оптимальным представляется использование электрических импульсов с J 10642 амплитудой напряженности на 30-50% .ниже вызывающих npcCiofl 2-4 и передним фронт1Е 1 ф«30 50 не, десятиraeMiM современными генераторами V импульсов высокого напряжения, чтопримерно в два-три раза меньше вре-- мени ионной поляризации кристал ловгалогенида серебра. ; .Способ бсуцествляют слёдупцим . разсж . Фотопленку помешают между дв)О .электродами, один из которых проэраг чен, экспонируют через прозрачный электрод и подвергают воздействию 65 4 электрнческого импульса указанных параметров. Точная синхронизация световой встшки и электрического импульса не требуется/ фотоматеригш помнит о воздействии света в течение 10, что упрощает работу устройства реализушцего способ« Воздействие электрического поля приводит к повышению плотности . почернения негатива, соответствукцей увеличению ,чувствительности крупнозернистых сенсибилизированных фото-материалов в-20-30 раз/- а мелкозер нистых в 5-6 раз.

СПОСОБ ЗАПИСИ СКРЫТОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ГАЛОГЕНОСЕРББРЯИОМ (О1;0 {ОСИТЕЛЕ, включакикий его экспонирован ё В импульсном электрическом поле, о т л и ч а ю щи и с я тем, чтр, с целью повышения чувствительности и надежности записи время нарастания переднего фронта импульсов поля ВЕлбйрают не менее чем в два раза меньшим времени электрической поляри зации фотоносителя при амплитудном значении поля 2,-4-10°В/см. i 10 so so tfff 30 20 to (Л с ,HC