Способ записи скрытого изображения на галогено-серебряном фотоносителе Советский патент 1985 года по МПК G03C5/26 

9д 4 9) 4 О) Изобретение относится к фотографии и может быть применено для регистрации оптической информации, например для аэрофотосъемки. Целью изобретения является повышение фоточувствительности записи и возможности увеличения длительности экспозиции. С5пцность способа заключается в том, что под действием электрического поля происходит лавинное размножение электронов в кристаллах галогенида серебра. В неэкспонированном кристалпе свободных электронов нет. Действие света приводит к появлению электронов в зоне проводи мости. За время 10 -10 с фотоэлек троны захватываются мелкими ловушками и цeнfpaми чувствительности. Термоактивация приводит к выбросу электрона из ловушки, после чего он может участвовать в образовании .скрытого изображения, если будет захвачен центром чувствительности. Характерное время термоактивации пр комнатной температуре 10 - . Под воздействием высоковольтного электрического импульса в указанном пределе электроны освобождаются из ловушек и размножаются полем. Это явление эквивалентно увеличению экспозиции и приводит к повьш1еиию чувствител.ьности фотоматериала. Есл длительность экспозиции более 10 с то электрический импульс, приложенный после окончания экспонирования не оказывает сенсибилизирующего действия, так как все фотоэлектроны уже покинули мелкие ловушки и захва чены более глубокими (центрами чувствительности) , откуда поле уже не может их освободить. При понижении температуры фотослоя до (-20) - (-40)) время жизни электрона в ловушке увеличивается на 2-3 порядка, достигая величины О,1с, что позволяет увеличить чувствительность фотоматериала путем приложения электрического импульса в конце периода экспонирования длительностью 0,01-0,1 с. Температура слоя ниже -40°С нецелесообтраэна, так как све точувствительность уменьшается в 5-10 раз, что снижает реальный эффект увеличения чувствительности электрическим импульсом. Пример. Фотопленку размещают между двумя электродами, один из которых прозрачен (стекло с покрытием SnO,), систему электродов с фотопленкой помещают в жидкий диэлектрик (этиловый спирт), систему охлаждают ( С). Затем фотоматериал экспонируют световой вспьш1кой, а по окончании экспонирования подвергают воздействию высоковольтного электричес-г: кого импульса. Амплитуда ,. 10 В/см, длительность переднего и заднего фронта 50 не. Измерения проводят при температурах 25. О, на крупнозернистой эмульсии с размером зерна 1.8 мкм, светочувстви- тельностью 2500 ед ГОСТ и на экспериментальной мелкозернистой эмульсии с размером зерна 0,25 мкм. Реальное увеличение чувствительности при экспозициях длительностью 0,01-0,1 с составляет 7-20 для крупнозернистой и 5-8 для мелкозернистой эмульсии.

СПОСОБ ЗАПИСИ СКРЫТОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ГАЛОГЕНОСЕРЕБРЯНОМ ФОТОНОСИТЕЛЕ, заключающийся в том, что изображение экспонируют и воздействуют на него импульсн1 1м электрическим полем амплитудой