Способ изготовления оригинала фототеневой отмывки рельефа Советский патент 1988 года по МПК G03F7/00 

9д

сл

:

О1

Изобретение относится к области картографии и может быть использовано при изготовлении рельефных моделей местности, применяемых для создания оригиналов фототеневой отмывки рельефа.

Целью изобретения является устранение искажений изображения на оригинале фототеневой отмывки рельефа.

Сущность изобретения заключается в том, что по способу изготовления рельефной модели карты, включающему последовательное наращивание слоев из жидкой фотополимеризующейся композиции, отверждаемых путем экспонирования ультрафиолетовыми лучами через негативную маску очередного горизонтального сечения рельефа местности, негативные маски изготавливаются с учетом поправок путем изменения масштаба воспроизведения каждой маски, величину которого определяют по формуле

ния маски 1-го горизонтального сечения рельефа местности;

f - фокусное расстояние

объектива фотоаппарата;

Год - масштаб фотографирования нулевого горизонтального сечения;

h, - превышение слоя фото- полимеризующейся композиции над осноп 1ни- ем модели.

Центральная проекция имеет свойство искажать изображение при фотографировании объемной модели рельефа от центра к краям на величину S . Бели- чина , в каждой точке фотографирования зависит от высоты рельефа h на модели, фокусного расстояния фотоаппарата f и расстояния от центра снимка до данной точки г

h

rh

(2)

Исходя из формулы зависимости (1, можно определить величину изменения масштаба каждой маски с тем, чтобы при фотографировании изготовленной с их помощью рельефной модели при заданных фокусном расстоянии f и

превьшении слоя композиции над основанием мо;тели h- компенсировалась ошибка. Практическое применение формулы (1) выражается в использовании ее для расчета и приведения длин линий

L m

о о

т(3)

где L; - приведенная длина линии (например, стороны рамки карты);

L - исходная длина линии (эта величина постоянная для

данной модели рельефа);

т- - знаменатель масштаба i-ой 1

маски, определяется по формуле (1};

m - знаменатель масштаба нулевого слоя модели (основания), т.е. масштаба фотографирования модели. Способ осуществляют в следующей

последовательности.

На листе пластика со съемным мае- кируюш 1м слоем с нанесенным изображением рельефа в виде горизонталей определяется исходная длина линии, например сторона рамки карты. По формулам (l) и (З) производится расчет приведенных длин линий для каждой маски с учетом проектируемого превышения над основанием. После снятия

очередного съемного слоя (начиная с нижнего по высоте) пластик устанавливается в оригиналодержатель фотоаппарата, а на-матовом стекле фотоап- парата изменяя масштаб фотографирования, добиваются соответствия длины стороны рамки, выбранной в качестве исходной, расчетной приведенной длине. Поочередно фотографируя пластик, получают комплект негативных масок

гипсометрических ступеней для изготовления рельефной модели. Для повышения точности изготовления модели пластик со съемньм слоем устанавливается в оригиналодержатель, а фотопленка - в пленкодержатель фотоаппарата по щтифтам, для чего в них пробиваются перфорационные отверстия.

При изготовлении рельефной модели маски устанавливаются в копировальную установку по перфорационным отверстиям с помощью штифтов. Полученная рельефная модель сглаживается для придания естественных форм и окрашивается.

313

При фотографировании с целью получения оригинала фототеневой отмывки рельефа рельефная модель точно устанавливается и закрепляется на ориги- налодержателе в том же месте, где устанавливался пластик со съемным слоем при его фотографировании при изготовлении масок. Для этого пластик

верждаемых посредством экспонирования ультрафиолетовым излучением через негативную маску очередного слоя, соответствующую горизонтальному сечению рельефа местности этого слоя, а также последующее фотографирование модели и фотохимическую обработку фотопленки, отлич аю

Изобретение относится к картографии и позволяет устранить искажения изображения на оригинале фототеневой отмывки рельефа. Последовательно наращивают слои из жидкой фотопо- лимеризующейся композиции. Отверждение слоев осуществляется путем экспонирования ультрафиолетовыми лучами через негативную маску очередного горизонтального сечения рельефа местности. Эти маски изготавливают с учетом поправок путем изменения масштаба воспроизведения каждой маски. При последующем фотографировании изготовленной рельефной модели при заданных фокусном расстоянии и превышении слоя композиции над основанием модели исключено искажение изображений от центра к краям.

предварительно устанавливается в ори- ю щ и и с я тем, что, с целью устрагинаподержатель по штифтам, а по нему производится ориентирование рельефной модели. Этим достигается идентичность их расположения относительно главной оптической оси фо- тоаппарата. После этого на фотоаппарате устанавливается масштаб фотографирования, соответствующий масштабу фотографирования нулевого слоя модели (основания), и производится фотографирование. Эти условия обеспечивают исключение искажений изображения при фотографировании модели.

Формула изобретения

Способ изготовления оригинала фототеневой отмьшки рельефа, включающий изготовление рельефной модели путем наращивания слоев из жидкой фотополимеризующейся композиции,от

где

нения искажений изображения на оригинале фототеневой отмывки рельефа, негативные маски изготавливают в масштабе, определяемом формулой

маски 1-го горизонтального сечения рельефа местности; - фокусное расстояние

объектива фотоаппарата;

- масштаб воспроизведения нулевого горизонтального сечения;

- превышение слоя фотополимеризующейся композиции над основанием модели.