Переключатель плоских магнитных доменов Советский патент 1988 года по МПК G11C11/14 

оо

О5 СП

ю

оо

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на плоских магнитных доменах (ПМД). Целью изобретения является упрощение переключателя. Переключатель ПМД содержит магнитоодноосную пленку, напыленную на немагнитную подложку и покрытую диэлектрической пленкой 3, на которой расположены основной 4, 5 и дополнительный 6, 7 каналы продвижения ПМД из высококоэрцитивных ферромагнитных аппликаций 8, Э. Аппликации 8 и 9 соединены высококоэрцитивной ферромагнитной перемычкой 10 и гальванически связаны с то- копроводящей шиной управления 11. Переключатель ПМД может работать в следующих основных режимах: переключение ПМД из основного в дополнительный канал, переключение ПМД из дополнительного в основной канал, реплици- рование ПМД из основного в дополнительный канал и реплицирование ПМД из дополнительного в основной канал. 2 ил. (Л

Н- Юк

Г

олн

11

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на плоских магнитных доме- нах (ПМД).

Целью изобретения является упрощение переключателя.

На фиг.1 изображена конструкция переключателя; на фиг.2 - разрез А-А на фиг,1,

Переключатель ПМД (фиг.1 и 2) содержит магнитоодноосную пленку i , напыленную на немагнитную подложку 2 и покрытую диэлектрической пленкой 3, на которой расположены основной ц 5 и дополнительный 6, 7 каналы продвижения ПМД из высококоэрцитивных ферромагнитных аппликаций 8 и 9, соединенных высококоэрцитивной ферромаГ ниткой перемычкой 10 и гальванически связанных с токопроводящей шиной 11 управления.

Переключатель ПМД может работать в режимах переключения ПМД из 0(.:нов- ного в дополнительный канал, переключения ПМД из дополните.чьного в основной канал, реплицирования ПМД из основного в допо.пчительный канал и реп- лидирования ПМД из дополнительного в основной канал.

В режиме переключения ПМД из основного в дополнительный канат домен под действием иацосекунднох о импульсного поля Н и однородного магнитного поля Н д определенной величины перемещается и поступает на вход основного доменопродвигающего канала 4. При достижении высококоэрцитивной перемычки 10 домен растягивается и начинает реплицироваться. В этот момент в токопрозодящую шину 11 управления подается импульс тока 1 такой величины и длительности, которая необходима для коллапса домена в основном канале, Осгавшийся домен перемещается по дополнительному каналу 7 и поступает на его выход. Увеличивая длительность импульса тока 1 можно переключить основного канала ь дополнительный непрерывную последовательность ПМД.

Для того, чтобы величины размагничивающих полей И ,0 перемычки 10 и аппликаций 8 и 9 были одинаковы, а также для более надежного растяжения , перемычку 10 выполняют в 1,2-1,5 раза толще аппликаций о и 9. Нарушение указанного условия в сторо

; 0

25 о

35

0

5

0

5

282

ну увеличения ведет к самопроизвольному возникновению.ПМД, генерирование которых обусловлено большой величиной размагничивающего поля перемычки 10. Токопроводящая щина 11 управления выполнена из немагнитного материала, в противном случае возникает опасность влияния локального магнитного поля токопроводящей шины на работу переключателя. Величина магнитного поля Н, возникающего вокруг аппликации 9 под действием тока 1, и в области ферромагнитной пленки 1 совпадающего по направлению с магнитным полем Н, (Н4 -f Н), должна удовлетворять условию Н И где Н - величина однородного ь а -нитного поля Н , при котором информационные домены коллапсируют.

В дополнительном канале продвиже- ния ПМД магнитное поле Н 4Н, что приводит к небольшому росту информационных доменов в области действия магнитного поля Н. При подаче в управляющую шину 11 импульса тока 1; (ri2 liO ПМД, поступающий на вход 4 основного канала, следует по перемычке 10, где он растягивается и реплицируется, и поступает на вькод основного канала 5.. ПМД, поступающий после растяжения и репликации в дополнительный канал, под действием магнитного поля Н коллапсирует.

Переключение ПМД из дополнительного в основной канал осуществляется подачей в токопроводящую щину 11 управления импульса тока I С111 11,1) .

В режиме рейлицирования ПМД из ос- новнЪго в доЛолнительный канал домен поступает на вход 4 основного канала и перемещается вдоль него. Под действием размагничивающего поля перемычки 10 ПМД растягивается и далее реплицируется под воздействием магнитного поля, возникающего между треугольным выступом перемычки 10 н аппликациями 8 и 9, формирующими основной и дополнительный каналы продвижения ПМД. Это магнитное поле действует в направлении, противоположном действию магнитного поля Н , и при угле треугольного выступа ферромагнитной перемычки 10 в пределах 70-90° достигает зеличины, необходимой для надежной репликации ПМД. Реплицирование ПМД из дополнительного в основной канал происходит таким же образом.

313

Приме p..Магнитоодноосная маг- нитомягкая ферромагнитная пленка получена вакуумным напылением сплава N1(82%) - Fe(18%) на стеклянную под- ложку, нагретую до 100 С. Толщина пленки 0,15 мкм, коэрцитивная сила 1Э, поле анизотропия , , ,,4Э, толщина стеклянной подложки 200 мкм, толщина диэлектри- ческого слоя (SiO) 0,1 мкм, ширина аппликации 8,9-200 мкм, толщина аппликации 8,9-0,2 мкм, толщина ферромагнитной перемычки 10-0,26 мкм, угол треугольного выступа ферромагнитной перемычки 80, 1, мА, минимальная величина длительности импульса тока Г,и Т2для подключения МД 50мкс.

//////////////////А xJ

V / / / / / / / /

/////////////////////////f

/// //

8

Формула изобретения

Переключатель плоских магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций и токопроводящая шина управления, отличающийся тем, что, с целью упрощения переключателя, ферромагнитные аппликации основного и дополнительного каналов продвижения плоских магнитных доменов соединены ферромагнитной перемычкой и гальванически связаны с токопроводящей шиной управления.

Ю

//

///

fpa8.2