со
О5 О5 4;
00
Изобретение относится к технологии оптоэлектронных приборов и может быть использовано для селективного травления стекла по отношению к прозрачным проводящим пленкам типа и InjOjiSnOj.
Цель изобретения - повышение селективности по отношению к пленке In ,0 э: Sn.0,j .
Для составления растворов используют деионизованную воду марки А, фтористый аммоний и ортофосфорную кислоту марки х.ч., Пленки Inj03 Sn02 на кремниевой подложке получают рас- пыпением в среде кислорода низкого давления с использованием металлической мишени, содержащей, мас.%: In 95, Sn 5.
Толщина пленок 80 нм. Для получения термического SiO (кварцевое стекло) используют термическое окисление кремниевых подложек. Толщина термического окисла 0,3-0,8 мкм. Применяют также пленки пиролитического стекла (фосфор-силикатные). В используемых растворах они травятся в 4,5 - 5 раз быстрее, чем термический окисел. Травление контролируют по изменению и исчезновению интерференционных цветов пленок.
Изобретение поясняется на конкретных примерах, которые приведены в таблице.
Технико-экономическими преимущест- вами изобретения являются ускорение технологического процесса, упрощение его контроля и повьш1ение выхода годных в производстве изделий оптоэлект- роникй.
Формула изобретения
Раствор для травления стекла, включающий фтористый аммоний, фосфор- ную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью повьш1е- ния селе ктивности по отношению к пленке In OjtSnOj, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, г/л:
NH F50-820
,14-75,, 7
ВодаОстальное
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ изготовления шаблона | 1982 |
|
SU1064352A1 |
| Электрон-селективный слой на основе оксида индия, легированного алюминием, способ его изготовления и фотовольтаическое устройство на его основе | 2021 |
|
RU2764711C1 |
| Способ получения раствора силиката калия | 1982 |
|
SU1087464A1 |
| КРЕМНИЕВЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, ИМЕЮЩИЙ УСОВЕРШЕНСТВОВАННОЕ ПОДСТИЛАЮЩЕЕ ПОКРЫТИЕ | 2010 |
|
RU2531752C2 |
| Способ ионно-химического травления кремнийсодержащих диэлектрических пленок на кремниевых подложках | 1981 |
|
SU1040980A1 |
| СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА И МОДУЛЬ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 2010 |
|
RU2532137C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЯ ПРОЗРАЧНОГО ПРОВОДЯЩЕГО ОКСИДА НА СТЕКЛЯННОЙ ПОДЛОЖКЕ | 2012 |
|
RU2505888C1 |
| Способ селективного травления кремний-металлосодержащего слоя в многослойных структурах | 1990 |
|
SU1819356A3 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЁНКИ ОРГАНО-НЕОРГАНИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСНОГО ГАЛОГЕНИДА | 2020 |
|
RU2779015C2 |
| Способ получения электродных покрытий для оптоэлектронных устройств на основе галогенидных перовскитов | 2022 |
|
RU2797895C1 |
Изобретение относится к технологии оптоэлектронных приборов и может быть использовано для селективного травления стекла по отношению к прозрачным проводящим пленкам и . Цель изобретения состоит в повышен И селективности по отношению к пленке InjOjrSnO. Раствор .для травления стекла содержит, г/л: 50-820; 15,14-75,7; вода остальное. Скорость травления термического SiOj 2-45 нм/мин, а селективность по отношению к InjOjtSnO - 120-300 раз. 1 табл.
Н,Р0415,14
HjOДо 1 л
Скорость травления термического SiO,, нм/мин 2
Селективность, раз 300
400 50 820 820 ,75,7 60,5 60,5 75,7
До 1 л До 1 л До 1 л До 1 л
3,5
200
30 300
45 140
| Травильный раствор | 1970 |
|
SU457673A1 |
| Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
| Способ очищения сернокислого глинозема от железа | 1920 |
|
SU47A1 |
| Выбрасывающий ячеистый аппарат для рядовых сеялок | 1922 |
|
SU21A1 |
