Импульсный усилитель Советский патент 1988 года по МПК H03K5/04 

ее

VI :л

1

Изобретение относится к промышленной электронике и может быть использовано усиления импульсных сигналов прямоугольной формы в различных устройствах автоматики, электроники и измерительной техники.

Цель изобретения - повышение скорости нарастания напряжения.

На чертеже изображена электрическая принципиальная схема устройства.

Импульсный усилитель содержит первый транзистор 1, база которого соединена с источником 2 входного сигна137

7452

14 только подзаряжает конденсатор 7), транзистор 8 при этом заперт.

При отпирании транзистора 1 ток течет через резистор 13 и диод 5, запирая транзистор 14, одновременно открывается диод 4 и первая обкладка конденсатора 7 приобретает нулевой потенциал. Отрицательный потен- 10 циал второй обкладки конденсатора 7 запирает транзистор 17 и диод 18 и открывает диод 9 и транзистор 8. Цепь смещения (резистор 10 и конденсатор 12) обеспечивает насыщение

Изобретение относится к области промышленной электроники и может быть использовано для усиления сигналов прямоугольной формы в различных устройствах автоматики, электроники и измерительной техники. Целью изобретения является повьшение скорости нарастания напряжения.На выходе предложенного усилителя, принципиальная схема которого приведена на чертеже, напряжение возрастает до величины,близкой к напряжению питания, что увеличивает скорость нарастания фронта импульса. По сравнению с прототипом скорость нараста- - ния переднего фронта импульса увеличивается на порядок. Поставленная цель достигается за счет введения в импульсный усилитель третьего резистора 16, четвертого транзистора 17 и шестого диода 18. 1 ил. с € (Л

ла, эмиттер - с общей шиной 3, а кол-15 транзистора 8. Благодаря форсирующелектор - с катодами первого 4 и второго 5 диодов, анод первого 4 и катод третьего 6 диодов соединены между собой и подключены к первой обкладке первого конденсатора 7, а тран- 20 зистор 8, эмиттер которого подключен к аноду четвертого диода 9, база через параллельно соединенные первый резистор 10 и второй конденсатор

11 к общей шине 3, а коллектор - к аноду второго диода 5, катоду пятого диода 12, первому выводу второго резистора 13 и базе третьего транзистора 14, эмиттер которого подключен к анодам третьего 6 и пятого 17 диодов и выходной шине 15, а колл,ктор к второму выводу второго резистора 13 и к шине источника питания (Е,), третий резистор 16 четвертый транзистор 17 и шестой диод 18, катод которого соединен с общей шиной 3, а анод - с коллектором четвертого транзистора 17, эмиттер которого подключен к второй обкладке первого конденсатора 7 и катоду четвертого диода 9, а база - к эмиттеру второго транзистора и первому выводу третьего резистора 16, второй вывод которого подключен к общей шине 3.

Импульсный усилитель работает следующим образом.

На базу транзистора 1 подается прямоугольное напряжение,периодически открывающее и запирающее первый транзистор 1.Когда первый транзистор 1 заперт, на базе и эмиттере транзистора 14 потенциал близок к напряжению питания Е, третий транзистор 14 через диод 6, открытый транзистор 17 и диод 18 заряжает конденсатор 7 до напряжения, практически равного выходному (в квазиуста новившемся режиме работы транзистор

му действию конденсатора 11 обеспечивается четкое подключение второго транзисттора 8. Отрицательный потенциал конденсатора 7 через открытый диод 9, транзистор 8 и диод 12 передается на выход импульсного усилителя . Диоды 5 и 6 при этом запираются .

При следующем запирании транзистора 1 открываются транзисторы 14 и 17 и диод 18. Транзисторы 8 через резистор 16 выходит из состояния насыщения. Благодаря этому на выходе усилителя напряжение возрастает до величины, близкой напряжению питания, т.е. увеличивается скорость нарастания фронта импульса.

Время нарастания фронта импульса (в мкс) транзистора 1 известного усилителя определяется по формуле:

(С

4

10 ) uU

c-f

где ли - изменение выходного напряжения;

суммарная емкость коллекторных переходов второго и третьего транзисторов; ток коллекторной цепи второго транзистора; время рассасывания транзистора, имеющее величину более 1 мкм.

Б предложенном усилителе время нарастания фронта импульса определяется по формуле:

С I Тп 55

р2

10- ) ди.

г - г

при 100 В

10 пФ,

-pi

I t

П

Таким образом, у предлагаемого усилителя скорость нарастания переднего фронта импульса резко увеличивается ,

обр

Формула

и 3

е т е н и я

Импульсный усилитель, содержащий первый транзистор, база которого соединена с источником входного сигнала

эмиттер - с общей шиной,а коллектор - с катодами первого и второго диодов, анод первого и катод третьего диодов соединены между собой и подключены к первой обкладке первого конденсатора, второй транзистор, эмиттер которого подключен к аноду четвертого диода, база - через параллельно соединенные первый резистор и второй конденсатор к общей шине, а коллектор - к аноду второго диода, катоду

Q

5

0

пятого диода, первому выводу второго резистора и базе третьего транзистора, эмиттер которого подключен к анодам третьего и пятого диодов и выходной шине, а коллектор - к второму выводу второго резистора и положительной шине источника питания, отличающийся тем,что, с целью повышения скорости нарастания напряжения, введены третий резистор, четвертый транзистор и шестой диод, катод которого соединен с общей шиной, а анод - с коллектором четвертого тран- : ист6ра, эмиттер которого подключен к второй обкладке первого конденсатора и катоду четвертого диода, а база - к эмиттеру второго транзистора и первому выводу третьего резистора, второй вывод которого подключен к общей шине.